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전력 전력 (PMIC) (3214)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압 - 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 온도 온도 산출 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 구성 참조 참조 인터페이스 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 디스플레이 디스플레이 숫자 숫자 문자 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz -10Hz ~ 10kHz 전류 - 음극 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
LM3700XCBPX-308 National Semiconductor LM3700XCBPX-308 0.2800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 9-VFBGA 간단한 간단한/재설정 재설정 LM3700 푸시 푸시, 풀 기둥 9-DSBGA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.08V 140ms
LP5900TL-4.5 National Semiconductor LP5900TL-4.5 -
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-WFBGA, DSBGA 5.5V 결정된 4-DSBGA (1x1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 250 50 µA 230 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4.5V - 1 0.15v @ 150ma 85dB ~ 40dB (100Hz ~ 100kHz) 온도, 회로 단락
LP8345IDT-5.0 National Semiconductor LP8345IDT-5.0 -
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 10V 결정된 TO-252-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 50 µA - 긍정적인 500ma 5V - 1 0.4V @ 500ma 55dB (120Hz) 현재, 이상 온도
LP3995ILD-1.6 National Semiconductor LP3995ILD-1.6 0.2300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 6V 결정된 6-wson (2.92x3.29) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1,000 150 µA 200 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.6V - 1 0.1V @ 150ma 55dB ~ 53dB (1kHz ~ 10kHz) 전류, 이상 온도, 단락
LM3411N-5.0 National Semiconductor LM3411N-5.0 -
RFQ
 ECAD 5087 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 ± 1% -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) LM3411 150µA 20V 결정된 - 8-mdip 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 분로 15 MA 5V - 80µvrms
LP3981IMM-2.83 National Semiconductor LP3981IMM-2.83 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 6V 결정된 8-VSSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1,000 120 µA 210 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.83V - 1 0.2v @ 300ma 50dB ~ 55dB (1kHz ~ 10kHz) 전류, 이상 온도, 단락
LP3986BL-3030 National Semiconductor LP3986BL-3030 -
RFQ
 ECAD 6426 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TFBGA 6V 결정된 8-µSMD (1.57x1.57) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 250 130 µA 320 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 2 0.1V @ 150ma 60dB ~ 50dB (1kHz ~ 10kHz) 전류, 이상 온도, 단락
LP2983IM5-0.9 National Semiconductor LP2983IM5-0.9 0.3100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 국가 국가 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 16V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1,000 95 µA 2 MA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 0.9V - 1 - 65db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
LP2985AIBP-3.6 National Semiconductor LP2985AIBP-3.6 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 5-VFBGA 16V 결정된 5-USMD (0.93x1.11) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 250 95 µA 2.5 MA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.6v - 1 0.575V @ 150mA 45db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
LP2985AIM5X-12 National Semiconductor LP2985AIM5X-12 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 16V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 2.5 MA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 12V - 1 0.575V @ 150mA 45db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
LM2612ATL National Semiconductor LM2612ATL 0.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국가 국가 LM2612BL 대부분 활동적인 -25 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-TFBGA 5.5V 프로그래밍 프로그래밍 10- USMD (1.51x2) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 250 뿌리 뿌리 1 책임 600kHz 긍정적인 예 0.4V 1.05V, 1.3V, 1.5V, 1.8V - 2.8V
LM2575M-3.3 National Semiconductor LM2575M-3.3 0.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 국가 국가 간단한 간단한 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 40V 결정된 24-SOIC 다운로드 rohs 비준수 2A (4 주) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 뿌리 뿌리 1 책임 52kHz 긍정적인 아니요 1A 3.3v - 4V
LP2989ILD-285 National Semiconductor LP2989ILD-285 0.7500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-wdfn n 패드 16V 결정된 8-wson (4x4) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1,000 175 µA 9 MA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 2.85V - 1 0.65V @ 500MA 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
LP3875ET-5.0 National Semiconductor LP3875ET-5.0 -
RFQ
 ECAD 9447 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-5 5 된 리드 7V 결정된 TO-220-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 5 MA 15 MA 할 할있게 수 긍정적인 1.5A 5V - 1 0.55V @ 1.5A 73dB ~ 57dB (120Hz) 전류, 이상 온도, 단락
LM79M15CT National Semiconductor LM79M15CT 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 -35V 결정된 TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 1.5 MA - 부정적인 500ma -12V - 1 1.1v @ 500ma 70dB (120Hz) 온도, 회로 단락
LM809M3X-4.00/NOPB National Semiconductor LM809M3X-4.00/NOPB 0.2900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 간단한 간단한/재설정 재설정 LM809 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4V 140ms
LM2672LD-5.0 National Semiconductor LM2672LD-5.0 -
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 국가 국가 간단한 간단한 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-Wfdfn d 패드 패드 40V 결정된 16-wson (5x5) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1,000 뿌리 뿌리 1 책임 260kHz 긍정적인 아니요 1A 5V - 6.5V
LM2574HVN-3.3 National Semiconductor LM2574HVN-3.3 -
RFQ
 ECAD 9760 0.00000000 국가 국가 간단한 간단한 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 60V 결정된 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 뿌리 뿌리 1 책임 52kHz 긍정적인 아니요 500ma 3.3v - 4V
LM2686MTC National Semiconductor LM2686MTC 0.6800
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 6.5V 결정된 14-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 비율 2 충전 충전 130kHz 긍정적인 아니요 50ma 5V - 2.85V
LM79M12CH National Semiconductor LM79M12CH -
RFQ
 ECAD 7825 0.00000000 국가 국가 LM79M12 대부분 활동적인 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 -35V 결정된 TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 2 MA - 부정적인 500ma -12V - 1 1.1v @ 500ma 66dB (120Hz) 온도, 회로 단락
8418003XA National Semiconductor 8418003XA -
RFQ
 ECAD 2988 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 8418003 - - 결정된 - To-46-3 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 분로 10 MA 2.5V - - 400 µA
LP8345IDTX-2.5 National Semiconductor LP8345IDTX-2.5 0.6800
RFQ
 ECAD 545 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 10V 결정된 TO-252-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 50 µA - 긍정적인 500ma 2.5V - 1 0.65V @ 500MA 55dB (120Hz) 현재, 이상 온도
LP2980AIM5X-3.6 National Semiconductor LP2980AIM5X-3.6 0.1500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 16V 결정된 TSOT-23-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 110 µA 850 µA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 3.6v - 1 - 63db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
LP2966IMM-3030 National Semiconductor LP2966IMM-3030 0.5100
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 7V 결정된 8-VSSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 300 µA 600 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 2 0.27V @ 150mA 60dB ~ 40dB (120Hz) 전류, 이상 온도, 단락
LM285MX-2.5 National Semiconductor LM285MX-2.5 -
RFQ
 ECAD 1878 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 ± 1.5% -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM285 - - 결정된 150ppm/° C 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 2,500 분로 20 MA 2.5V - 120µvrms 20 µA
LM2463TA National Semiconductor LM2463TA -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -20 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-11 1 된 리드 LM2463 50 MA 0V ~ 3.75V, 60V ~ 85V TO-220-11 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 - - Crt -
LP2980IBPX-3.3 National Semiconductor LP2980IBPX-3.3 0.1900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-VFBGA 16V 결정된 5-µSMD (0.93x1.11) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 1.2 MA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 3.3v - 1 0.22v @ 50ma 63db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
LP2980AITPX-3.3 National Semiconductor LP2980AITPX-3.3 0.1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-VFBGA 16V 결정된 5-µSMD (0.93x1.11) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 95 µA 1.2 MA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 3.3v - 1 0.22v @ 50ma 63db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
LM4510SD National Semiconductor LM4510SD -
RFQ
 ECAD 6819 0.00000000 국가 국가 LM4510 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-wfdfn d 패드 5.5V 조절할 조절할있는 10- 웨슨 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 스텝 스텝 1 후원 1MHz 긍정적인 예 - 2.7V 18V 2.7V
LM2595S-3.3 National Semiconductor LM2595S-3.3 -
RFQ
 ECAD 5065 0.00000000 국가 국가 간단한 간단한 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA LM2595 40V 결정된 DDPAK/TO-263-5 - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 뿌리 뿌리 1 책임 150kHz 긍정적인 아니요 1A 3.3v - 4.5V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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