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전력 전력 (PMIC) (3214)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	전류 - 공급	전압 - 입력	전압- 최대 (입력)	출력 출력	온도 온도	sic 프로그램 가능	산출	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	참조 참조	출력 출력	다시 다시	현재 -Quiescent (iq)	현재 -공급 (max)	채널 채널	토폴로지	주파수 - 스위칭	제어 제어	출력 출력	동기 동기	현재 - 출력	구동 구동	드라이버 드라이버	게이트 게이트	논리 논리 - vil, vih	현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크)	상승 / 시간 낙하 (타이핑)	높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)	모니터링되는 모니터링되는 수	전압 - 값 임계	시간 시간 재설정합니다	전압- 최소 (출력/고정)	노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz	-10Hz ~ 10kHz	전류 - 음극	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호	sic 프로그램 가능
LM2931AM-5.0/NOPB	-	RFQ	4380	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM2931				26V	결정된					8-SOIC	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1					15 MA	30 MA				-	긍정적인		100ma											5V				-		1	0.3v @ 100ma	80dB (120Hz)	온도, 극성 역, 단락
LP3961EMP-3.3	2.6600	RFQ	306	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-261-5, TO-261AB		LP3961				7V	결정된					SOT-223-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000					9 MA	15 MA				할 할있게 수	긍정적인		800ma											3.3v				-		1	0.35V @ 800ma	-	전류, 이상 온도, 단락
LP2951CMX-3.3-NS	-	RFQ	3442	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)						30V	결정된					8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	2,500					200 µA	14 MA				활성화, 플래그 오류, 전원 켜기 재설정 재설정	긍정적인		100ma											3.3v				-		1	0.6v @ 100ma		온도 온도
LM4040CIM3-5.0	0.7500	RFQ	12	국가 국가	-	대부분	활동적인	± 0.5%	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		LM4040		-	-		결정된	100ppm/° C				SOT-23-3	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-LM4040CIM3-5.0-14			1		분로											15 MA											5V	-	80µvrms	80 µA
LM5111-1MX/NOPB	-	RFQ	4178	국가 국가	*	대부분	활동적인																	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-LM5111-1MX/NOPB-14			1
lm2611amf-ns	2.9300	RFQ	135	국가 국가	-	대부분	활동적인						LM2611											다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000
LP38859S-0.8/NOPB	2.1700	RFQ	2	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA		LP38859				5.5V	결정된					DDPAK/TO-263-5	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1					8.5 MA	15 MA				소프트 소프트	긍정적인		3A											0.8V				-		1	0.45V @ 3A	80dB ~ 65dB (120Hz ~ 1kHz)	"
LP38691DTX-2.5/NOPB	0.7700	RFQ	23	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63						10V	결정된					TO-252-3	다운로드					귀 99	8542.39.0001	389					55 µA	100 µa				-	긍정적인		500ma											2.5V				-		1	0.73V @ 500MA	55dB (120Hz)	온도 온도
LM2750LDX-ADJ/NOPB	-	RFQ	4361	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	10-wfdfn d 패드		LM2750				5.6v	조절할 조절할있는					10- 웨슨 (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	4,500	스텝 스텝		1					충전 충전	1.7MHz		긍정적인	아니요	120ma											3.8V				5.2v	2.7V
LM185H-2.5/NOPB	10.3500	RFQ	1	국가 국가	-	대부분	활동적인	± 1.5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	46-2 캔 금속		LM185		-	-		결정된	150ppm/° C				To-46-2, 6 캔	다운로드					귀 99	8542.39.0001	29		분로											20 MA											2.5V	-	120µvrms	20 µA
lm5101amr/nopb	-	RFQ	1238	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8-Powersoic (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM5101	비 비						확인되지 확인되지		9V ~ 14V	8- 파워 패드	다운로드						0000.00.0000	1							독립적인							하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	2.3v, -	3A, 3A	430ns, 260ns	118 v
LM4050BIM3-5.0/NOPB	1.4800	RFQ	500	국가 국가	-	대부분	활동적인	± 0.2%	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		LM4050		-	-		결정된	50ppm/° C				SOT-23-3	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		분로											15 MA											5V	-	93µvrms	80 µA
LM25056PSQ/NOPB	2.8000	RFQ	3	국가 국가	*	대부분	활동적인						LM25056											다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-LM25056PSQ/NOPB-14			1
LM431BCMX/NOPB	0.2600	RFQ	95	국가 국가	-	대부분	활동적인	± 1%	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM431		-	-		조절할 조절할있는	50ppm/° C 전형				8-SOIC	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1,161		분로											100 MA											2.495V	-	-	1 MA	37 v
LP3874EMP-1.8/NOPB	1.8300	RFQ	1	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-261-5, TO-261AB						7V	결정된					SOT-223	다운로드					귀 99	8542.39.0001	164					9 MA	15 MA				할 할있게 수	긍정적인		800ma											1.8V				-		1	0.35V @ 800ma	73dB ~ 57dB (120Hz)	전류, 이상 온도, 단락
LM5102SD	1.2900	RFQ	1	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	10-wdfn n 패드		LM5102	비 비						확인되지 확인되지		9V ~ 14V	10) (4x4)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000							독립적인							하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	0.8V, 2.2V	1.6A, 1.6A	600ns, 600ns	118 v
LP3470IM5-4.8/NOPB	1.0600	RFQ	8	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74A, SOT-753	간단한 간단한/재설정 재설정	LP3470								열린 열린 또는 배수 수집기		SOT-23-5	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-LP3470IM5-4.8/NOPB-14			1				활성 활성																	1	4.8V	최소 1ms
LP2980IM5-4.5	0.1500	RFQ	4	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74A, SOT-753						16V	결정된					TSOT-23-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000					110 µA	850 µA				할 할있게 수	긍정적인		50ma											4.5V				-		1	-	63db (1khz)	전류, 이상 온도, 단락
LP2992IM5X-2.5/NOPB	-	RFQ	6683	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753		LP2992				16V	결정된					SOT-23-5	다운로드						0000.00.0000	1					95 µA	4 MA				할 할있게 수	긍정적인		250ma											2.5V				-		1	0.85V @ 250mA	45db (1khz)	전류, 이상 온도, 단락
LP2989AILD-5.0	1.5300	RFQ	569	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-wdfn n 패드		LP2989				16V	결정된					8-wson (4x4)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1					175 µA	9 MA				할 할있게 수	긍정적인		500ma											5V				-		1	0.65V @ 500MA	60dB (1kHz)	전류, 이상 온도, 단락
LM4132EMFX-4.1/NOPB	1.4800	RFQ	8	국가 국가	-	대부분	활동적인	± 0.5%	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74A, SOT-753		LM4132		100µA	4.496V ~ 5.5V		결정된	30ppm/° C				SOT-23-5	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		시리즈											20 MA											4.096V	350µvp-p	-
LM2598SX-12/NOPB	1.9900	RFQ	7	국가 국가	간단한 간단한 ®	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA		LM2598				40V	결정된					DDPAK/TO-263-7	다운로드					귀 99	8542.39.0001	152	뿌리 뿌리		1					책임	150kHz		긍정적인	아니요	1A											12V				-	4.5V
LM385AXM-1.2	3.4000	RFQ	995	국가 국가	LM285-1.2	대부분	활동적인	± 2.02%	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM385		-	-		결정된	20ppm/° C 전형				8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1		분로											20 MA											1.235V	-	60µvrms	15 µA
LM2937ES-2.5/NOPB	1.0800	RFQ	6	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA		LM2937				26V	결정된					DDPAK/TO-263-3	다운로드					귀 99	8542.39.0001	279					10 MA	20 MA				-	긍정적인		500ma											2.5V				-		1	1V @ 500MA	-	미러 미러 삽입, 온도, 단락, 과도 전압
LM2590HVS-ADJ/NOPB	-	RFQ	6428	국가 국가	*	대부분	활동적인																	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-LM2590HVS-ADJ/NOPB-14			1
LP2987ILD-3.3/NOPB	1.0200	RFQ	2	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-wdfn n 패드						16V	결정된					8-wson (4x4)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	295					120 µA	3.7 MA				할 할있게 수	긍정적인		200ma											3.3v				-		1	0.35V @ 200mA	65db (1khz)	전류, 이상 온도, 단락
LM27222MX/NOPB	1.4700	RFQ	5	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM27222	비 비								4V ~ 6.85V	8-SOIC	다운로드					귀 99	8542.39.0001	205							동기							하프 하프	2	N- 채널 MOSFET	-	3A, 4.5A	17ns, 12ns	33 v														확인되지 확인되지
LP3991TL-1.55	-	RFQ	1896	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	4-WFBGA, DSBGA						4V	결정된					4-DSBGA (1.5x1.3)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	250					100 µa	225 µA				할 할있게 수	긍정적인		300ma											1.55V				-		1	0.16v @ 300ma	65db (1khz)	온도, 회로 단락
LM2595T-5.0	-	RFQ	1944	국가 국가	간단한 간단한 ®	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-5 5 된 리드						40V	결정된					TO-220-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	뿌리 뿌리		1					책임	150kHz		긍정적인	아니요	1A											5V				-	4.5V
LM2931CMX	0.5700	RFQ	6595	국가 국가	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LM2931				26V	조절할 조절할있는					8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	2,500					1 MA	15 MA				-	긍정적인		100ma											3V				24V		1	0.3v @ 100ma	55dB (120Hz)	온도, 극성 역, 단락

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

전력 전력 (PMIC) (3214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²