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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 특징 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전류 - 공급 | 배터리 배터리 | 세포 세포 | 전압- 최대 (입력) | 출력 출력 | 비율 - 출력 : 입력 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 - 채널 / 출력 | 전압- v (VCC/VDD) | 인터페이스 | 출력 출력 | 내부 내부 | 토폴로지 | 주파수 - 스위칭 | 결함 결함 | 전압- 최대 (공급) | 출력 출력 | 동기 동기 | 현재 - 출력 | RDS ON (TYP) | 전압 - 하중 | 모터 모터 - 타입 | 모터 모터 -AC, DC | 단계 단계 | 디밍 | 전압- 최소 (공급) | 전압 - 출력 | 스위치 스위치 | 현재- 최대 (출력) | 전압- 최소 (출력/고정) | 전압- 최대 (출력) | 전압- 최소 (입력) | LED 드라이버 | 감독자 | 시퀀서와 |
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![]() | MPC17529EJR2 | 1.6700 | ![]() | 35 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 65 ° C (TA) | 범용 | 표면 표면 | 20-tssop (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 | NMOS | 2.7V ~ 5.6V | 20-tssop | - | 2156-MPC17529EJR2 | 180 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (4) | 700ma | 2V ~ 6.8V | 양극성 | 브러시 브러시 DC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC33771ATP5AE551 | 24.1300 | ![]() | 160 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 2156-MC33771ATP5AE551 | 13 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPF5023AMBA0ES | 4.0800 | ![]() | 860 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 고성능 I.MX 8, S32X 프로세서 기반 | 표면 표면, 마운트 측면 | 40-vfqfn 노출 패드 | MPF5023 | - | 2.5V ~ 5.5V | 40-HVQFN (6x6) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MPF5023AMBA0ES | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ncr401tr | 0.0500 | ![]() | 37 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | NCR401 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-NCR401TR-954 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC33FS8430G1ES | 7.1300 | ![]() | 260 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 시스템 시스템 칩 | 표면 표면, 마운트 측면 | 56-vfqfn 노출 패드 | MC33FS8430 | 15MA | 60V | 56-HVQFN (8x8) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MC33FS8430G1ES | 귀 99 | 8542.39.0001 | 43 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PC33772ASP1AE | 12.8500 | ![]() | 93 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-lqfp q 패드 | PC33772 | 리튬 리튬 | 3 ~ 6 | 48-LQFP (7x7) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-PC33772ASP1AE | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 배터리 배터리 컨트롤러 | i²c, spi | 오버/전압 미만 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3P191UK, 023 | 0.2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | NX3P191 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-NX3P191UK, 023-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | nx3p1108ukz | 0.1600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 4-UFBGA, WLCSP | 하중 하중, 방전 속도 제어 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 4-WLCSP (0.96x0.96) | - | 2156-nx3p1108ukz | 1,918 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | - | 높은 높은 | 34mohm | 0.9V ~ 3.6V | 범용 | 1.5A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mpf5020amma0es | - | ![]() | 5793 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면, 마운트 측면 | 40-vfqfn 노출 패드 | 2.5V ~ 5.5V, 2.7V ~ 5.5V | 40-HVQFN (6x6) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-MPF5020AMMA0ES | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 4 | " | 2.5MHz | 아니요 | 아니요 | 예 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPF5023AMMA0ES | 3.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 고성능 I.MX 8, S32X 프로세서 기반 | 표면 표면, 마운트 측면 | 40-vfqfn 노출 패드 | MPF5023 | 200µA | 2.5V ~ 5.5V | 40-HVQFN (6x6) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MPF5023AMMA0ES | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC34910BAC | 2.5500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 시스템 시스템 칩 | 표면 표면 | 32-LQFP | MC34910 | 4.5MA | 5.5V ~ 18V | 32-LQFP (7x7) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MC34910BAC-954 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ncr402ux | - | ![]() | 5106 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | NCR402 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-NCR402UX-954 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCZ33903DP3EK | 4.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 자동차, 기반 시스템 칩 | 표면 표면 | 32-SSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) 노출 패드 | 2.8ma | 5.5V ~ 28V | 32-SOIC EP | - | 2156-MCZ33903DP3EK | 69 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC34PF1510A5EP | - | ![]() | 4593 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 40-vfqfn 노출 패드 | MC34PF1510 | 4.1V ~ 6V | 40-HVQFN (5x5) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MC34PF1510A5EP | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 | 스텝 스텝 (다운 다운) (3), 선형 (ldo) (3) | 2MHz | 아니요 | 아니요 | 예 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDA3683J/N2S, 112 | 4.9600 | ![]() | 252 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 점화 점화, 버퍼 | 구멍을 구멍을 | 23-ssip,, 된 리드 | 300µA | 6.5V ~ 18V | DBS23P | - | 2156-TDA3683J/N2S, 112 | 61 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PCA9532d, 118 | 1.7700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 백라이트 | 표면 표면 | 24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 선의 | - | 24- | - | 2156-PCA9532d, 118 | 170 | 25MA | 16 | 예 | - | 5.5V | i²c | 2.3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC34933EPR2 | - | ![]() | 1449 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 범용 | 표면 표면 | 16-ufqfn 노출 패드 | MOSFET | 2.7V ~ 5.5V | 16-UQFN-EP (3x3) | - | 2156-MC3493333EPR2 | 1 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (4) | 1A | 2V ~ 7V | 양극성 | 브러시 브러시 DC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPF5020AMBA0ES | - | ![]() | 8379 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면, 마운트 측면 | 40-vfqfn 노출 패드 | 2.5V ~ 5.5V, 2.7V ~ 5.5V | 40-HVQFN (6x6) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-MPF5020AMBA0ES | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 4 | " | 2.5MHz | 아니요 | 아니요 | 예 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PCA9412Aukz | 0.6000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 9-UFBGA, WLCSP | 5.25V | 결정된 | 9-WLCSP (1.24x1.24) | - | 2156-PCA9412Aukz | 503 | 스텝 스텝 | 1 | 후원 | 3MHz | 긍정적인 | 예 | 300ma | 5.4V | - | 2.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC34PF1510A7EP | 2.4800 | ![]() | 490 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 40-vfqfn 노출 패드 | 4.1V ~ 6V | 40-HVQFN (5x5) | 다운로드 | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MC34PF1510A7EP | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 | 스텝 스텝 (다운 다운) (3), 선형 (ldo) (3) | 2MHz | 아니요 | 아니요 | 예 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC33PF8200D2ES | 8.5500 | ![]() | 423 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면, 마운트 측면 | 56-vfqfn 노출 패드 | 2.7V ~ 5.5V | 56-HVQFN (8x8) | - | 2156-MC33PF8200D2ES | 36 | 11 | 2.5MHz | 아니요 | 아니요 | 예 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC34GD3000EP | 5.6800 | ![]() | 208 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -20 ° C ~ 105 ° C (TA) | 범용 | 표면 표면 | 56-vfqfn 노출 패드 | MOSFET | 6V ~ 58V | 56-QFN (8x8) | - | 2156-MC34GD3000EP | 53 | 컨트롤러 - 방향, 정류 관리 | SPI | 하프 하프 (3) | - | 6V ~ 58V | 다상 | DC (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCZ33905DD5EK | 5.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 자동차, 기반 시스템 칩 | 표면 표면 | 54-SSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) 노출 패드 | MCZ33905 | 2.8ma | 5.5V ~ 28V | 54-SOIC-EP | 다운로드 | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MCZ33905DD5EK | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPF5020AVNA0ES | 3.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 고성능 I.MX 8, S32X 프로세서 기반 | 표면 표면, 마운트 측면 | 40-vfqfn 노출 패드 | MPF5020 | - | 2.5V ~ 5.5V | 40-HVQFN (6x6) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MPF5020AVNA0ES | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC33910G5AC | 3.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 시스템 시스템 칩 | 표면 표면 | 32-LQFP | MC33910 | 4.5MA | 5.5V ~ 18V | 32-LQFP (7x7) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MC33910G5AC-954 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MWPR1516CFM | 3.1900 | ![]() | 49 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 무선 무선 송신기 | 표면 표면 | 32-ufqfn 노출 패드 | MWPR1516 | - | 3.5V ~ 20V | 32-QFN (5x5) | 다운로드 | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MWPR1516CFM-954 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC35XS3500HFK | 4.7900 | ![]() | 832 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-powerqfn | pwm, sle ware 제어, Watchdog 타이머 | 비 비 | n 채널 | 1 : 5 | 24-PQFN (12x12) | - | 2156-MC35XS3500HFK | 63 | 6V ~ 28V | SPI | 5 | 높은 높은 | 35mohm (최대) | 6V ~ 28V | 범용 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM912H634DV1AE | 4.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-lqfp q 패드 | 납 납 | - | 48-HLQFP (7x7) | - | 2156-MM912H634DV1AE | 75 | 배터리 배터리 | 연속물 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PC33PF8100PDES | 6.2400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면, 마운트 측면 | 56-vfqfn 노출 패드 | 2.7V ~ 5.5V | 56-HVQFN (8x8) | - | 2156-PC33PF8100PDES | 50 | 11 | 2.5MHz | 아니요 | 아니요 | 예 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | nx30p6093ukaz | 1.5600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-UFBGA, WLCSP | 슬리트 슬리트 제어되었습니다 | 비 비 | p 채널 | 1 : 1 | 20-WLCSP (1.7x2.16) | - | 2156-nx30p6093ukaz | 193 | 3V ~ 4.5V | i²c | 1 | 온도 온도, 이상, uvlo | - | 8.95mohm | 2.8V ~ 20V | USB 스위치 | 8a |
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