RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

전력 전력 (PMIC) (77)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전류 - 공급	전압 - 입력	전압- 최대 (입력)	출력 출력	온도 온도	비율 - 출력 : 입력	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	구성	참조 참조	전압- v (VCC/VDD)	인터페이스	출력 출력	현재 -Quiescent (iq)	현재 -공급 (max)	토폴로지	주파수 - 스위칭	결함 결함	제어 제어	출력 출력	출력 출력	듀티 듀티 (사이클)	동기 동기	클록 클록	직렬 직렬	현재 - 출력	디스플레이 디스플레이	숫자 숫자 문자	RDS ON (TYP)	전압 - 하중	모터 모터 - 타입	모터 모터 -AC, DC	단계 단계	전압 - 출력	스위치 스위치	현재- 최대 (출력)	전압- 최소 (출력/고정)	노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz	-10Hz ~ 10kHz	전류 - 음극	전압- 최대 (출력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호	LED 드라이버	감독자	시퀀서와
TL431MFDT, 215	0.0800	RFQ	1	nxp 반도체	-	대부분	활동적인	± 2%	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		TL431			-	-		조절할 조절할있는	-			TO-236AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-TL431MFDT, 215-954			1			분로																100 MA											2.495V	-	-	1 MA	36 v
74HC4511D, 653	0.3700	RFQ	16	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HC4511											다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC4511D, 653-954			804
TDA3661AT/N1,118	0.2600	RFQ	15	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)							45V	조절할 조절할있는				8-SOIC	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	2156-TDA3661AT/N1,118	귀 99	8542.39.0001	1							30 µA	2.5 MA				-	긍정적인						100ma											1.5V				45V	1	0.3v @ 50ma	60dB (120Hz)	전류, 역, 온도 극성, 단락, 과도 전압
MC33VR5500V1ES	6.5300	RFQ	250	nxp 반도체	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면, 마운트 측면	56-vfqfn 노출 패드												56-HVQFN (8x8)	-				2156-MC33VR5500V1ES			46						6			"	-																													아니요	예	예
MC33771ATP1AE551	17.3400	RFQ	9335	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는																		-				2156-MC33771ATP1AE551			15
PCA8543AHL/ay	2.2000	RFQ	937	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	80-LQFP					250 µA						2.5V ~ 5.5V	80-LQFP (12x12)	-				2156-PCA8543AHL/ay			137		7 14 + dp, 14 세그먼트 + dp + ap, 도트 매트릭스			i²c															LCD	15 자, 30 30, 240 개의 요소
MC34717epr2	4.5400	RFQ	4	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	변환기, DDR	표면 표면	26-vfqfn 노출 패드						3V ~ 6V						26-QFN (5x5)	-				2156-MC34717EPR2			67						2																					0.7V ~ 3.6V
MC32PF1510A4EP	-	RFQ	1638	nxp 반도체	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	40-vfqfn 노출 패드											4.1V ~ 6V	40-HVQFN (5x5)	-				2156-MC32PF1510A4EP			1						6			스텝 스텝 (다운 다운) (3), 선형 (ldo) (3)	2MHz																													아니요	아니요	예
STBP120DVDK6F	0.8300	RFQ	3	nxp 반도체	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	과부하 과부하	표면 표면	10-wdfn n 패드					170µA						1.2V ~ 28V	10-tdfn (2.5x2.0)	-				2156-STBP120DVDK6F			364
MC33907LAER2	8.0100	RFQ	9	nxp 반도체	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	자동차, 기반 시스템 칩	표면 표면	48-lqfp q 패드					3.5MA						3.3V, 5V	48-LQFP (7x7)	-				2156-MC33907LAER2			38
PCF8551BTT/AY	-	RFQ	8656	nxp 반도체	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)					1.2 µA						1.8V ~ 5.5V	48-tssop	-				2156-PCF8551BTT/AY			1		36 세그먼트			SPI															LCD	9 자, 18 18, 144 개의 요소
PCA9450AHNY	3.6300	RFQ	4	nxp 반도체	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	i.mx 프로세서	표면 표면	56-vfqfn 노출 패드					23µA						2.7V ~ 5.5V	56-HVQFN (7x7)	-				2156-PCA9450AHNY			83
74HC4511D, 652	0.4100	RFQ	7	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HC4511											다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC4511D, 652-954			1
MC33PF8201A0ES	7.3800	RFQ	260	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면, 마운트 측면	56-vfqfn 노출 패드											2.5V ~ 5.5V, 2.7V ~ 5.5V	56-HVQFN (8x8)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC33PF8201A0ES	귀 99	8542.39.0001	1						8			스텝 스텝 (다운 다운) (5), 선형 (ldo) (3)	2.5MHz																													아니요	아니요	예
TL431AMFDT, 215	0.0800	RFQ	17	nxp 반도체	-	대부분	활동적인	± 1%	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		TL431			-	-		조절할 조절할있는	-			TO-236AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-TL431AMFDT, 215-954	귀 99	8542.39.0001	1			분로																100 MA											2.495V	-	-	600 µA	36 v
MPF5023AVNA0ES	3.7100	RFQ	2	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	고성능 I.MX 8, S32X 프로세서 기반	표면 표면, 마운트 측면	40-vfqfn 노출 패드		MPF5023			200µA						2.5V ~ 5.5V	40-HVQFN (6x6)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	2156-MPF5023AVNA0ES	귀 99	8542.39.0001	1
MC35FS4501NAE	6.3100	RFQ	250	nxp 반도체	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TA)	시스템 시스템 칩	표면 표면	48-lqfp q 패드		MC35FS4501			-						2.7V ~ 36V	48-LQFP (7x7)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC35FS4501NAE	귀 99	8542.39.0001	1
MC33886PVWR2	6.3100	RFQ	2	nxp 반도체	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	범용	표면 표면	20-SOIC (0.433 ", 11.00mm 너비) 노출 패드				CMOS							5V ~ 40V	20 마력	-				2156-MC33886PVWR2			48	드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지				평행한								하프 하프 (2)						5a				5V ~ 40V	양극성	브러시 브러시 DC	-
RP115L271D-E2	0.6300	RFQ	20	nxp 반도체	-	대부분	활동적인																		-				2156-RP115L271D-E2			479
MC34PF1510A1EPR2	2.8500	RFQ	5	nxp 반도체	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	40-vfqfn 노출 패드											4.1V ~ 6V	40-HVQFN (5x5)	-				2156-MC34PF1510A1EPR2			106						6			스텝 스텝 (다운 다운) (3), 선형 (ldo) (3)	2MHz																													아니요	아니요	예
TPS40050pwpr	-	RFQ	8644	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)								트랜지스터 트랜지스터				16-HTSSOP	-				2156-TPS40050PWPR			1	뿌리 뿌리			8V ~ 40V		1			책임	500kHz		현재 현재, 제한, 주파수 제어, 소프트 스타트	긍정적인	1	94%	예	예	-
MC33FS6600M0ES	7.8300	RFQ	780	nxp 반도체	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	자동차	표면 표면, 마운트 측면	56-vfqfn 노출 패드					-							56-HVQFN (8x8)	-				2156-MC33FS6600M0ES			39
MC34PF1510A2EP	2.4800	RFQ	490	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	40-vfqfn 노출 패드											4.1V ~ 6V	40-HVQFN (5x5)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC34PF1510A2EP	귀 99	8542.39.0001	1						6			스텝 스텝 (다운 다운) (3), 선형 (ldo) (3)	2MHz																													아니요	아니요	예
MC34981ABHFK557	6.3000	RFQ	168	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							MC34981											다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-MC34981ABHFK557-954			1
PCA8553DTT/AJ	1.1000	RFQ	6890	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)					1.8 µA						1.8V ~ 5.5V	56-tssop	-				2156-PCA8553DTT/AJ			2		40			i²c, spi															LCD	10 자, 20 20, 160 ℃
MC33AR6000BGT	8.0900	RFQ	42	nxp 반도체	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	자동차 자동차, 3 발전기	구멍을 구멍을	TO-220-5											5V ~ 16.5V	TO-220-5	-				2156-MC33AR6000BGT			42
upd166025t1j-e1-ay	-	RFQ	4188	nxp 반도체	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	12-powerbsop (0.295 ", 7.50mm 너비)	-		비 비					n 채널		1 : 1		12-HSSOP	-				2156-UPD166025T1J-E1-ay			1				4.5V ~ 28V	논리	1					전류 전류 (제한 가능), 오버 하중, 온도, 단락		높은 높은									16mohm	4.5V ~ 28V					범용	114A
NXH2280UK/C1012	9.4100	RFQ	78	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는																		-				2156-NXH2280UK/C1012			32
NX5P1100UK, 012	0.5500	RFQ	9	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							NX5P1100											다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	공급 공급 정의되지 업체는	2156-nx5p1100uk, 012-954			1
MC33FS5502Y0ES	4.4300	RFQ	260	nxp 반도체	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, 마운트 측면	56-vfqfn 노출 패드											60V	56-HVQFN (8x8)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC33FS5502Y0ES	귀 99	8542.39.0001	1						4			"	455kHz, 2.22MHz																													아니요	아니요	예

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

전력 전력 (PMIC) (77)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²