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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
ISL89165FRTCZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89165FRTCZ-T -
RFQ
 ECAD 8424 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-vfdfn 노출 패드 ISL89165 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 7.5V ~ 16V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 2.4V, 9.6V 6A, 6A 20ns, 20ns
MPQ1923GR-AEC1-P Monolithic Power Systems Inc. MPQ1923GR-AEC1-P -
RFQ
 ECAD 1268 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. 자동차, AEC-Q100, MPQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 비 비 5V ~ 17V 8-QFN (4x4) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1589-MPQ1923GR-AEC1-PTR 500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 7a, 8a 7.2ns, 5.5ns 120 v
MAX5063BASA+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX5063BASA+T 7.1700
RFQ
 ECAD 8725 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) max5063 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 8V ~ 12.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 2A, 2A 65ns, 65ns 125 v
ISL6613CBZR5214 Intersil ISL6613CBZR5214 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6613 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC - 적용 적용 수 할 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
2CG010BBC13N Tamura 2CG010BBC13N 73.2700
RFQ
 ECAD 3683 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 기준 기준 2CG010 비 비 확인되지 확인되지 13V ~ 28V 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 132-2CG010BBC13N 귀 99 8543.90.8885 30 독립적인 하프 하프 2 IGBT, SIC MOSFET 1.65V, 3.85V 500ns, 500ns
2CG010BBC11N Tamura 2CG010BBC11N 73.2700
RFQ
 ECAD 593 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 기준 기준 2CG010 비 비 확인되지 확인되지 13V ~ 28V 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 132-2CG010BBC11N 귀 99 8543.90.8885 30 독립적인 하프 하프 2 IGBT, SIC MOSFET 1.65V, 3.85V 500ns, 500ns
IRS2334STRPBF International Rectifier IRS2334STRPBF -
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IRS2334 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 20- 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 200ma, 350ma 125ns, 50ns 600 v
EL7412CM Renesas Electronics America Inc EL7412CM -
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) EL7412 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 15V 20- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 38 독립적인 하프 하프 4 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 2A, 2A 7.5ns, 10ns
IX6S11S6T/R IXYS ix6s11s6t/r -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 18-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 노출 패드 IX6S11 - 확인되지 확인되지 - 18- SOIC-EP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - - - - - -
1EDN7550BXTSA1 Infineon Technologies 1EDN7550BXTSA1 1.0700
RFQ
 ECAD 7566 0.00000000 인피온 인피온 EICEDRIVER ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 1EDN7550 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 20V PG-SOT23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 하나의 하이 하이 1 n-채널, p 채널 MOSFET - 4a, 8a 6.5ns, 4.5ns 84 v
IR4426PBF International Rectifier IR4426PBF 1.5400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR4426 반전 확인되지 확인되지 6V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.7V 2.3a, 3.3a 15ns, 10ns
HIP6604BCRZ Renesas Electronics America Inc HIP6604BCRZ -
RFQ
 ECAD 1383 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-vqfn q 패드 HIP6604 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,125 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - - 20ns, 20ns 15 v
IR21365SPBF International Rectifier IR21365SPBF 3.8600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IR21365 반전 확인되지 확인되지 12V ~ 20V 28 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 200ma, 350ma 125ns, 50ns 600 v
MAX5062DASA-T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX5062DASA-T -
RFQ
 ECAD 1869 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 max5062 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 8V ~ 12.6V 8-SOIC-EP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 2A, 2A 65ns, 65ns 125 v
AUIRS4427STR International Rectifier auirs4427str -
RFQ
 ECAD 6174 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRS4427 비 비 확인되지 확인되지 6V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 낮은 낮은 2
IRS26302DJPBF-IR International Rectifier IRS26302DJPBF-IR 6.2300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-LCC (J-Lead), 32 개의 리드 IRS26302 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 44-PLCC, 32 ℃ (16.51x16.51) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 200ma, 350ma 125ns, 50ns 600 v
MIC4422CT Microchip Technology MIC4422CT -
RFQ
 ECAD 5676 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MIC4422 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V TO-220-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 20ns, 24ns
UC2710N Unitrode UC2710N 9.7000
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 유니트로 유니트로 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) UC2710 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.7V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2V 6A, 6A 85ns, 85ns
ISL6610ACBZ-T Intersil ISL6610ACBZ-T 1.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인터 인터 - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6610 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - -, 4a 8ns, 8ns 36 v
UC1708JE883B Unitrode UC1708JE883B 33.8800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 유니트로 유니트로 * 대부분 활동적인 UC1708 확인되지 확인되지 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
LM5104MX National Semiconductor LM5104MX -
RFQ
 ECAD 8373 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM5104 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.6A, 1.6A 600ns, 600ns 118 v
FAN3229CMPX Fairchild Semiconductor fan3229cmpx 0.5300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 FAN3229 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-mlp (3x3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 3A, 3A 12ns, 9ns
LTC7000ARMSE-1#TRPBF Analog Devices Inc. LTC7000ARMSE-1#TRPBF 7.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-TFSOP (0.118 ", 3.00mm 너비), 12 개의 리드, 노출 된 된 패드 LTC7000 비 비 확인되지 확인되지 3.5V ~ 135V 16-MSOP-EP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 1.8V, 1.7V - 90ns, 40ns 14 v
MP18024HN-LF Monolithic Power Systems Inc. MP18024HN-LF -
RFQ
 ECAD 9266 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 MP18024 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 16V 8- 소음 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1V, 2.4V - 15ns, 9ns 100 v
LM5111-4MYX/NOPB Texas Instruments LM5111-4MYX/NOPB -
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertssop, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) LM5111 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 3.5V ~ 14V 8-HVSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 3A, 5A 14ns, 12ns
UCC27212DPRT Texas Instruments UCC27212DPRT 4.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 10-wdfn n 패드 UCC27212 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 17V 10) (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1.6V, 2.3V 4a, 4a 7.8ns, 6ns 100 v
2EDS8265HXUMA3 Infineon Technologies 2EDS8265HXUMA3 4.3900
RFQ
 ECAD 1196 0.00000000 인피온 인피온 EICEDRIVER ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 2EDS8265 비 비 확인되지 확인되지 20V PG-DSO-16-30 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,500 독립적인 하프 하프 2 n-채널, p 채널 MOSFET -, 1.65V 4a, 8a 6.5ns, 4.5ns
IXDD409PI IXYS IXDD409PI -
RFQ
 ECAD 5652 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDD409 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 9a, 9a 10ns, 10ns
2SP0325T2A1-CM1800DY-34S Power Integrations 2SP0325T2A1-CM1800DY-34S -
RFQ
 ECAD 8086 0.00000000 전력 전력 스케일 ™ -2 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 섀시 섀시 기준 기준 2SP0325 - 확인되지 확인되지 14.5V ~ 15.5V 기준 기준 다운로드 재고 재고 요청합니다 1810-2SP0325T2A1-CM1800DY-34S 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 하프 하프 2 IGBT - 25A, - 600ns, 750ns
IRS2117PBF International Rectifier IRS2117pbf 1.6600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRS2117 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V 290ma, 600ma 75ns, 35ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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