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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) sic 프로그램 가능
FAN7081MX-SN00035 Fairchild Semiconductor FAN7081MX-SN00035 2.0900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - - - fan7081 - 확인되지 확인되지 - - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
LM27222M National Semiconductor LM27222m 2.4000
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM27222 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 6.85V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 3A, 4.5A 17ns, 12ns 33 v
LTC7001MPMSE#TR Analog Devices Inc. LTC7001MPMSE#TR -
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 노출 패드 LTC7001 비 비 확인되지 확인되지 3.5V ~ 15V 10-msop-ep - 1 (무제한) 161-LTC7001MPMSE#TR 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 1.8V, 1.7V - 90ns, 40ns 135 v
1SD210F2-FZ500R65KE3_OPT1 Power Integrations 1SD210F2-FZ500R65KE3_OPT1 -
RFQ
 ECAD 4554 0.00000000 전력 전력 - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 섀시 섀시 기준 기준 1SD210F2 - 확인되지 확인되지 15.5V ~ 16.8V 기준 기준 - 1 (무제한) 1810-1SD210F2-FZ500R65KE3_OPT1 쓸모없는 20 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT - 6A, 10A 100ns, 100ns 1200 v
1SD210F2-CM900HG-90H Power Integrations 1SD210F2-CM900HG-90H -
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 전력 전력 - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 섀시 섀시 기준 기준 1SD210F2 - 확인되지 확인되지 15.5V ~ 16.8V 기준 기준 - 1 (무제한) 1810-1SD210F2-CM900HG-90H 쓸모없는 20 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT - 6A, 10A 100ns, 100ns 680 v
UCC27282DR Texas Instruments UCC27282DR 1.5900
RFQ
 ECAD 4837 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UCC27282 비 비 확인되지 확인되지 5.5V ~ 16V 8-SOIC - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1.3V, 1.9V 2.5A, 3.5A 12ns, 10ns 120 v
LTC7000JMSE#WPBF Analog Devices Inc. LTC7000JMSE#WPBF 9.8600
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-TFSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 노출 패드 LTC7000 비 비 확인되지 확인되지 3.5V ~ 135V 16-MSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 37 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 1.8V, 1.7V - 90ns, 40ns
FAN7190MX-F085P Fairchild Semiconductor FAN7190MX-F085P -
RFQ
 ECAD 5578 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FAN7190 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 22V 8-SOP - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 1.2V, 2.5V 4.5A, 4.5A 25ns, 20ns 600 v
IR21091SPBF International Rectifier IR21091SPBF -
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR21091 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 적용 적용 수 할 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 200ma, 350ma 150ns, 50ns 600 v
IR2235STRPBF International Rectifier IR2235STPBF -
RFQ
 ECAD 2122 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IR2235 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 28 -Soic 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2V 250ma, 500ma 90ns, 40ns 1.2 v
FAN3223CMPX Fairchild Semiconductor fan3223cmpx 0.5600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 fan3223 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-mlp (3x3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 5a, 5a 12ns, 9ns
FAN3223CMX-F085 Fairchild Semiconductor FAN3223CMX-F085 1.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan3223 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 5a, 5a 12ns, 9ns
IRS2308PBF International Rectifier IRS2308pbf 2.8900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 국제 국제 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 104 확인되지 확인되지
IRS21814PBF International Rectifier IRS21814PBF -
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRS21814 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14-DIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 1.9a, 2.3a 40ns, 20ns 600 v
IR21094PBF International Rectifier IR21094PBF 2.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR21094 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14-DIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 200ma, 350ma 150ns, 50ns 600 v
IR21271PBF International Rectifier IR21271pbf 2.0800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR21271 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 250ma, 500ma 80ns, 40ns 600 v
UC3714D Unitrode UC3714D 1.5900
RFQ
 ECAD 603 0.00000000 유니트로 유니트로 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UC3714 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 동기 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 500ma, 1a 30ns, 25ns
MIC4469ZWMTR Microchip Technology MIC4469ZWMTR 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MIC4469 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 4 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.2A, 1.2A 14ns, 13ns
UCC27325P Unitrode UCC27325P 0.7200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 유니트로 유니트로 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) UCC27325 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 15V 8-PDIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
HIP6603BCB Intersil HIP6603BCB -
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HIP6603 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - - 20ns, 20ns 15 v
ISL6614CBZ Intersil ISL6614CBZ 2.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
LM2726M National Semiconductor LM2726M 2.0600
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 국가 국가 - 튜브 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM2726 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 7V 8-SOIC - rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 95 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.25V, 2.4V 3A, 3.2A 17ns, 12ns 42 v
FAN7171MX Fairchild Semiconductor fan7171mx -
RFQ
 ECAD 1752 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FAN7171 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 4a, 4a 25ns, 15ns 600 v
ADP3412JR-REEL Analog Devices Inc. ADP3412JR-REEL -
RFQ
 ECAD 9104 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ADP3412 확인되지 확인되지 4.15V ~ 7.5V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 30 v
IRS2103PBF International Rectifier IRS2103PBF 0.8400
RFQ
 ECAD 8719 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRS2103 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 290ma, 600ma 70ns, 35ns 600 v
IR2109PBF International Rectifier IR2109pbf 2.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국제 국제 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 138 확인되지 확인되지
FAN3121TMPX Fairchild Semiconductor FAN3121TMPX 0.8500
RFQ
 ECAD 7177 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 FAN3121 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-mlp (3x3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 10.6a, 11.4a 23ns, 19ns
LM5101ASDX/NOPB National Semiconductor LM5101ASDX/NOPB -
RFQ
 ECAD 9189 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-wdfn n 패드 LM5101 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 10) (4x4) 다운로드 0000.00.0000 1 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 2.3v, - 3A, 3A 430ns, 260ns 118 v
FAN3227CMX-F085 Fairchild Semiconductor FAN3227CMX-F085 -
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan3227 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 3A, 3A 12ns, 9ns
IR21363JTRPBF International Rectifier IR21363JTRPBF 4.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 44-LCC (J-Lead), 32 개의 리드 IR21363 반전 확인되지 확인되지 12V ~ 20V 44-PLCC, 32 ℃ (16.58x16.58) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 200ma, 350ma 125ns, 50ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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