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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) sic 프로그램 가능
MIC4425YWM Microchip Technology MIC4425YWM 1.8900
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MIC4425 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 47 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 28ns, 32ns
MAX5075BAUA Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX5075BAUA -
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 max5075 RC 입력 회로 확인되지 확인되지 4.5V ~ 15V 8-umax-EP | 8- USOP-EP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 동기 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 3A, 3A 10ns, 10ns
UC3710NG4 Texas Instruments UC3710NG4 -
RFQ
 ECAD 1345 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) UC3710 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.7V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2V 6A, 6A 85ns, 85ns
UCC37325P Texas Instruments UCC37325P 0.9900
RFQ
 ECAD 1106 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) UCC37325 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 15V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
ISL6605CBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6605CBZ-T -
RFQ
 ECAD 9237 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6605 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1V, 2V 2A, 2A 8ns, 8ns 33 v
UCC27424DGN Texas Instruments UCC27424DGN 2.4200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 UCC27424 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-HVSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 80 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
ISL6614CRZ Renesas Electronics America Inc ISL6614CRZ 6.6600
RFQ
 ECAD 660 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-vqfn q 패드 ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -ISL6614CRZ 귀 99 8542.39.0001 75 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
UCC27200ADRMR Texas Instruments UCC27200ADRMR 1.0500
RFQ
 ECAD 8996 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 UCC27200 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 17V 8-vson (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 3V, 8V 3A, 3A 8ns, 7ns 120 v
DGD2304S8-13 Diodes Incorporated DGD2304S8-13 1.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DGD2304 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.7V, 2.3V 290ma, 600ma 70ns, 35ns 600 v
L6386AD STMicroelectronics l6386ad 1.7700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) L6386 반전 확인되지 확인되지 17V (최대) 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 1.5V, 3.6V 400ma, 650ma 50ns, 30ns 600 v
MP6539GF Monolithic Power Systems Inc. MP6539GF -
RFQ
 ECAD 1495 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 28-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 MP6539 비 비 확인되지 확인되지 8.5V ~ 14V 28-TSSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 3 상 하프 하프 6 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 800ma, 1a - 100 v
LT1162CSW#TRPBF Analog Devices Inc. LT1162CSW#trpbf 9.4950
RFQ
 ECAD 4517 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) LT1162 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 15V 24-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 1.5A, 1.5A 130ns, 60ns 60 v
UC3715D Texas Instruments UC3715D 2.4687
RFQ
 ECAD 6588 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UC3715 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 동기 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 500ma, 1a 30ns, 25ns
IRS21864PBF International Rectifier IRS21864PBF 2.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 국제 국제 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 132 확인되지 확인되지
UCC27201ADRCR Texas Instruments UCC27201ADRCR 2.3600
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 패드, 9 개의 리드 UCC27201 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 17V 9-vson (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 3A, 3A 8ns, 7ns 120 v
MAX4420CSA+TG11 Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4420CSA+TG11 -
RFQ
 ECAD 7593 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 대부분 쓸모없는 MAX4420 확인되지 확인되지 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
IXDD414SI IXYS IXDD414SI -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDD414 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 14 -Soic 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
TC4422AVPA Microchip Technology TC4422AVPA 2.8200
RFQ
 ECAD 417 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TC4422 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 10A, 10A 38ns, 33ns
TC4468EOE Microchip Technology TC4468EOE 5.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TC4468 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4468EOE-NDR 귀 99 8542.39.0001 47 독립적인 낮은 낮은 4 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.2A, 1.2A 15ns, 15ns
TC4429VOA Microchip Technology TC4429VOA 2.1300
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC4429 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4429VOA-NDR 귀 99 8542.39.0001 100 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
IXDD609YI IXYS Integrated Circuits Division IXDD609YI 3.8300
RFQ
 ECAD 969 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA IXDD609 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V TO-263-5 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 9a, 9a 22ns, 15ns
TC1413NEPA Microchip Technology TC1413NEPA 3.5300
RFQ
 ECAD 294 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TC1413 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC1413NEPA-NDR 귀 99 8542.39.0001 60 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 3A, 3A 20ns, 20ns
MCP1407-E/MF Microchip Technology MCP1407-E/MF 1.5200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MCP1407 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-DFN-S (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCP1407EMF 귀 99 8542.39.0001 60 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 20ns, 20ns
MIC4414YFT-T5 Microchip Technology MIC4414YFT-T5 -
RFQ
 ECAD 8370 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 4-uqfn MIC4414 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 4-TQFN (1.2x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET 0.8V, 3V 1.5A, 1.5A 12ns, 12ns
IXA531L4T/R IXYS IXA531L4T/R -
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 44-LCC (J-Lead) IXA531 반전 확인되지 확인되지 8V ~ 35V 44-PLCC (16.54x16.54) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 600ma, 600ma 125ns, 50ns 650 v
ADP3416JR-REEL7 onsemi ADP3416JR-REEL7 -
RFQ
 ECAD 5064 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ADP3416 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
ISL6608CBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6608CBZ-T -
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6608 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 2A, 2A 8ns, 8ns 22 v
UC3706DW Texas Instruments UC3706DW 8.3000
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) UC3706 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 5V ~ 40V 16- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 40 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.5A, 1.5A 40ns, 30ns
LM27222M Texas Instruments LM27222m 3.0595
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM27222 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 6.85V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 3A, 4.5A 17ns, 12ns 33 v
IRS2112STRPBF Infineon Technologies IRS2112STPBF 3.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IRS2112 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V 290ma, 600ma 75ns, 35ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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