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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
ISL6605IBZ Renesas Electronics America Inc ISL6605IBZ -
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6605 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ISL6605iBZ 귀 99 8542.39.0001 980 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1V, 2V 2A, 2A 8ns, 8ns 33 v
MIC4101BM Microchip Technology MIC4101BM -
RFQ
 ECAD 6324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4101 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 16V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 2A, 2A 400ns, 400ns 118 v
TPS2814DG4 Texas Instruments TPS2814DG4 -
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPS2814 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 14V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 동기 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 4V 2A, 2A 14ns, 15ns
UCC27201ADDA Texas Instruments UCC27201ADDA 2.5400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 텍사스 텍사스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersoic (0.154 ", 3.90mm 너비) UCC27201 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 17V 8- 파워 패드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 3A, 3A 8ns, 7ns 120 v
LM25101AMX/NOPB Texas Instruments LM25101AMX/NOPB 1.9800
RFQ
 ECAD 3453 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM25101 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 2.3v, - 3A, 3A 430ns, 260ns 100 v
IRS23365DMTRPBF Infineon Technologies IRS23365DMTRPBF 3.8747
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 48-vfqfn 노출 패드 패드, 34 ℃ IRS23365 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 48-mlpq (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001535088 귀 99 8542.39.0001 3,000 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 180ma, 380ma 125ns, 50ns 600 v
MAX5075AAUA-T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX5075AAUA-T -
RFQ
 ECAD 6115 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 max5075 RC 입력 회로 확인되지 확인되지 4.5V ~ 15V 8-umax-EP | 8- USOP-EP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 3A, 3A 10ns, 10ns
FAN3228CMX Fairchild Semiconductor fan3228cmx 0.5200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan3228 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 3A, 3A 12ns, 9ns
MAX15013DASA+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX15013DASA+T -
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 MAX15013 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 8V ~ 12.6V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하프 하프 2 175 v
FAN3225CMX onsemi fan3225cmx -
RFQ
 ECAD 7374 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FAN3225 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 5a, 5a 12ns, 9ns
TC4425VMF Microchip Technology TC4425VMF 1.9350
RFQ
 ECAD 8767 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TC4425 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-DFN-S (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4425VMF-NDR 귀 99 8542.39.0001 60 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 23ns, 25ns
ISL6622ACRZ Renesas Electronics America Inc ISL6622ACRZ -
RFQ
 ECAD 5968 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 ISL6622 비 비 확인되지 확인되지 6.8V ~ 13.2V 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ISL6622ACRZ 귀 99 8542.39.0001 100 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
MIC4420BMM-TR Microchip Technology MIC4420BMM-TR -
RFQ
 ECAD 6167 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MIC4420 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-MSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 12ns, 13ns
IXDN614PI IXYS Integrated Circuits Division IXDN614PI 2.8000
RFQ
 ECAD 864 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDN614 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 14a, 14a 25ns, 18ns
ISL6612AIRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612Airz-T -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 ISL6612 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
IR2154 Infineon Technologies IR2154 -
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR2154 RC 입력 회로 확인되지 확인되지 10V ~ 15.6V 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - - 80ns, 45ns 600 v
FAN3227TMX onsemi FAN3227TMX 1.5700
RFQ
 ECAD 3892 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan3227 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 3A, 3A 12ns, 9ns
IR2154S Infineon Technologies IR2154S -
RFQ
 ECAD 6953 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2154 RC 입력 회로 확인되지 확인되지 10V ~ 15.6V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - - 80ns, 45ns 600 v
ISL6614BCRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6614BCRZ-T -
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-vqfn q 패드 ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 13.2V 16-QFN (4x4) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
IXDD408YI IXYS IXDD408YI -
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA IXDD408 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 25V TO-263-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ixdd408yi-ndr 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 8a, 8a 14ns, 15ns
MC34152DG onsemi MC34152dg 1.4600
RFQ
 ECAD 455 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MC34152 비 비 확인되지 확인되지 6.1V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MC34152DGOS 귀 99 8542.39.0001 98 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.6V 1.5A, 1.5A 36ns, 32ns
UCC37322DGN Texas Instruments UCC37322DGN 1.5600
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 UCC37322 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-HVSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 80 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 1.1V, 2.7V 9a, 9a 20ns, 20ns
TC4427AVOA Microchip Technology TC4427AVOA 1.7800
RFQ
 ECAD 369 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC4427 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4427AVOA-NDR 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 25ns, 25ns
MCP14628T-E/MF Microchip Technology MCP14628T-E/MF 1.7100
RFQ
 ECAD 7379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MCP14628 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,300 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.5V, 2V 2A, 2A 10ns, 10ns 36 v
2SC0108T2D0-12 Power Integrations 2SC0108T2D0-12 64.3700
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 전력 전력 스케일 ™ -2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 기준 기준 2SC0108 - 확인되지 확인되지 14.5V ~ 15.5V 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 1810-1026 귀 99 8473.30.1180 30 독립적인 높은 높은 또는 쪽 쪽 2 IGBT - 8a, 8a 17ns, 15ns 1200 v
5962-8761903VFA Texas Instruments 5962-8761903VFA -
RFQ
 ECAD 6300 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-8761903VFA 1
IRS2332SPBF International Rectifier IRS2332SPBF 3.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IRS2332 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 28 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.2V 250ma, 500ma 80ns, 35ns 600 v
UC2715DTR Texas Instruments UC2715DTR 1.7730
RFQ
 ECAD 6763 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UC2715 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 500ma, 1a 30ns, 25ns
MAX8552EUB+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX8552EUB+T 1.6800
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MAX8552 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 6.5V 10- 핵/USOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V - 14ns, 9ns
UCC27423P Texas Instruments UCC27423P 1.2200
RFQ
 ECAD 1172 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) UCC27423 반전 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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