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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
ADP3412JR onsemi ADP3412JR -
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ADP3412 비 비 확인되지 확인되지 4.15V ~ 7.5V 8-SOIC - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 196 년 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V - 20ns, 20ns 30 v
ISL6605IB Intersil ISL6605iB 0.6100
RFQ
 ECAD 913 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6605 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1V, 2V 2A, 2A 8ns, 8ns 33 v
LTC7001JMSE#TRPBF Analog Devices Inc. LTC7001JMSE#TRPBF 7.5900
RFQ
 ECAD 8620 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 노출 패드 LTC7001 비 비 확인되지 확인되지 3.5V ~ 15V 10-msop-ep 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 1.8V, 1.7V - 90ns, 40ns 135 v
IR2133PBF International Rectifier IR2133PBF 7.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) IR2133 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 28-DIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.2V 250ma, 500ma 90ns, 40ns 600 v
LT8672EDDB#TRPBF Analog Devices Inc. lt8672eddb#trpbf 3.5250
RFQ
 ECAD 7222 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-wfdfn d 패드 LT8672 비 비 확인되지 확인되지 3V ~ 42V 10-DFN (3x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET - - -
1SP0335S2M1-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 1SP0335S2M1-XXXX (2) (3) (4) 269.6700
RFQ
 ECAD 9643 0.00000000 전력 전력 - 대부분 활동적인 - 596-1SP0335S2M1-XXXX (2) (3) (4) 6
MCP14A0154T-E/MS Microchip Technology MCP14A0154T-E/MS 0.9450
RFQ
 ECAD 8944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MCP14A0154 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 1.5A, 1.5A 11.5ns, 10ns
2SB315A-2MBI1200U4G-170 Power Integrations 2SB315A-2MBI1200U4G-170 -
RFQ
 ECAD 6285 0.00000000 전력 전력 스케일 ™ -1 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 기준 기준 2SB315 - 확인되지 확인되지 0V ~ 16V 기준 기준 - 1 (무제한) 귀 99 8473.30.1180 2 하나의 하프 하프 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET - - -
ISL78434AVEZ-T7A Renesas Electronics America Inc ISL78434AVEZ-T7A 5.5100
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 ISL78434 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 8V ~ 18V 14-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1V, 2.1V 3A, 4A 10ns, 10ns 100 v
IXDF502D1 IXYS IXDF502D1 -
RFQ
 ECAD 2936 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDF502 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 56 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 2A, 2A 7.5ns, 6.5ns
IXDN509SIA IXYS IXDN509SIA -
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDN509 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 25ns, 23ns
IXDD430MCI IXYS IXDD430MCI -
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IXDD430 비 비 확인되지 확인되지 8.5V ~ 35V TO-220-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 30A, 30A 18ns, 16ns
ISL6620ACBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6620ACBZ-T -
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6620 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 2A, 2A 8ns, 8ns 36 v
ISL6609AIRZ-TR5544 Renesas Electronics America Inc ISL6609Airz-TR5544 -
RFQ
 ECAD 8220 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vqfn q 패드 ISL6609 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-QFN (3x3) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 20-ISL6609Airz-TR5544 귀 99 8542.39.0001 1 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - -, 4a 8ns, 8ns 36 v
IXDD514D1T/R IXYS IXDD514D1T/R -
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IXDD514 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
UCC21530QDWKQ1 Texas Instruments UCC21530QDWKQ1 6.5400
RFQ
 ECAD 2969 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) UCC21530 CMOS/TTL 확인되지 확인되지 3V ~ 18V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 296-UCC21530QDWKQ1 귀 99 8542.39.0001 40 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1.2V, 1.6V 4A, 6A 6ns, 7ns
TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK401G, LF 0.6200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-UFBGA, WLCSP TCK401 비 비 확인되지 확인되지 2.7V ~ 28V 6-WCSPE (0.80x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 하나의 하이 하이 1 - 0.4V, 1.6V - 0.2ms, 1.5µs
IR7106STRPBF Infineon Technologies ir7106strpbf -
RFQ
 ECAD 9113 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR7106 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 200ma, 350ma 150ns, 50ns 700 v
UC3715DTR Texas Instruments UC3715DTR 1.5825
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UC3715 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 20V 16- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 500ma, 1a 30ns, 25ns
NCP4429DR2 onsemi NCP4429DR2 0.4800
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 NCP4429 확인되지 확인되지 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
AUIR3200S Infineon Technologies AUIR3200S -
RFQ
 ECAD 2667 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIR3200 비 비 확인되지 확인되지 6V ~ 36V 8-SOIC 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 SP001513374 귀 99 8542.39.0001 95 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 0.9V, 2.7V - 1µs, 1µs
ISL89160FBEAZ Intersil ISL89160FBEAZ 3.2600
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL89160 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 98 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.22V, 2.08V 6A, 6A 20ns, 20ns
ISL6605CB Intersil ISL6605CB 0.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6605 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1V, 2V 2A, 2A 8ns, 8ns 33 v
LM5100BMA/NOPB Texas Instruments LM5100BMA/NOPB 2.1608
RFQ
 ECAD 8300 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM5100 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 2.3v, - 2A, 2A 570ns, 430ns 118 v
FAN3122CMPX onsemi fan3122cmpx 2.3400
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 FAN3122 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-mlp (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET - 10.6a, 11.4a 23ns, 19ns
MIC5011YN Microchip Technology MIC5011YN 7.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MIC5011 비 비 확인되지 확인되지 4.75V ~ 32V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 N- 채널 MOSFET 2V, 4.5V - -
NCP5351MNR2 onsemi NCP5351MNR2 -
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 NCP5351 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 6.5V 10-DFN (3x3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 4a, 4a 8ns, 14ns 25 v
IXA531S10T/R IXYS IXA531S10T/R -
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 48-tfqfn 노출 패드 IXA531 반전 확인되지 확인되지 8V ~ 35V 48-MLP (7x7) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 600ma, 600ma 125ns, 50ns 650 v
EL7156CN Renesas Electronics America Inc EL7156CN -
RFQ
 ECAD 1282 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL7156 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16.5V 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT 0.8V, 2.4V 3.5a, 3.5a 14.5ns, 15ns
IX21844N IXYS Integrated Circuits Division IX21844N -
RFQ
 ECAD 8558 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IX21844 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14 -Soic - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CLA409 귀 99 8542.39.0001 25 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2V 1.4a, 1.8a 23ns, 14ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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