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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
IRS2124STRPBF Infineon Technologies IRS2124STPBF -
RFQ
 ECAD 3953 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRS2124 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET - 500ma, 500ma 80ns, 80ns 600 v
MAX5063CASA+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX5063CASA+T 7.1700
RFQ
 ECAD 4029 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 max5063 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 12.6V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 2A, 2A 65ns, 65ns 125 v
IRS4426SPBF Infineon Technologies IRS4426SPBF -
RFQ
 ECAD 9345 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRS4426 반전 확인되지 확인되지 6V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 2.3a, 3.3a 25ns, 25ns
ISL83204AIPZ Renesas Electronics America Inc ISL83204AIPZ -
RFQ
 ECAD 9469 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) ISL83204 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 9.5V ~ 15V 20-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ISL83204AIPZ 귀 99 8542.39.0001 18 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET 1V, 2.5V 2.6a, 2.4a 10ns, 10ns 75 v
TC4428MJA Microchip Technology TC4428MJA -
RFQ
 ECAD 7672 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) TC4428 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-cerdip 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4428MJA-NDR 귀 99 8542.39.0001 56 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 19ns, 19ns
ISL6610AIRZ-T Intersil ISL6610Airz-t 1.9300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인터 인터 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-vqfn q 패드 ISL6610 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 6,000 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - -, 4a 8ns, 8ns 36 v
HPFM-00117 Microchip Technology HPFM-00117 376.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 섀시 섀시 기준 기준 HPFM-00117 비 비 확인되지 확인되지 14.5V ~ 16V 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-HPFM-00117 귀 99 8543.70.9860 1 독립적인 하프 하프 1 IGBT - 30A, 30A 600ns, 350ns
MIC4423BWM Microchip Technology MIC4423BWM -
RFQ
 ECAD 7345 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MIC4423 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 47 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 28ns, 32ns
EL7457CSZ-T7A Renesas Electronics America Inc EL7457CSZ-T7A -
RFQ
 ECAD 2410 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) EL7457 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 독립적인 높은 높은 또는 쪽 쪽 4 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 2A, 2A 13.5ns, 13ns
ISL6613AEIBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6613AEIBZ-T 3.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL6613 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
TCK425G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK425G, L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP TCK425 비 비 확인되지 확인되지 2.7V ~ 28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 0.4V, 1.2V - -
FAN7190M-F085 onsemi FAN7190M-F085 -
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FAN7190 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 22V 8-SOIC - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 1.2V, 2.5V 4.5A, 4.5A 25ns, 20ns 600 v
IX2A11S1T/R IXYS ix2a11s1t/r -
RFQ
 ECAD 4902 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IX2A11 - 확인되지 확인되지 - 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
1SD210F2-FZ400R65KE3 Power Integrations 1SD210F2-FZ400R65KE3 -
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 전력 전력 스케일 ™ -1 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 섀시 섀시 기준 기준 1SD210F2 - 확인되지 확인되지 15.5V ~ 16.8V 기준 기준 - 1 (무제한) 1810-1SD210F2-FZ400R65KE3 쓸모없는 20 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT - 6A, 10A 100ns, 100ns 1200 v
LM5101CSDX/NOPB Texas Instruments LM5101CSDX/NOPB -
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-wdfn n 패드 LM5101 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 10) (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 2.3v, - 1a, 1a 990ns, 715ns 118 v
MIC4102BM-TR Microchip Technology MIC4102BM-TR -
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4102 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 16V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 2A, 3A 330ns, 200ns 118 v
ISL89167FBEAZ Intersil ISL89167FBEAZ 3.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL89167 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 98 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.22V, 2.08V 6A, 6A 20ns, 20ns
RAA228004GNP#AA0 Renesas Electronics America Inc RAA228004GNP#AA0 7.6398
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 20-RAA228004GNP#AA0 1
LTC3900MPS8#TRPBF Analog Devices Inc. LTC3900MPS8#TRPBF 12.4650
RFQ
 ECAD 2154 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LTC3900 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 11V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 2A, 2A 15ns, 15ns
IRS21091PBF Infineon Technologies IRS21091PBF -
RFQ
 ECAD 5144 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRS21091 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 290ma, 600ma 100ns, 35ns 600 v
IRS2330DSTRPBF International Rectifier IRS2330DSTRPBF 2.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IRS2330 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 28 -Soic 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.2V 250ma, 500ma 80ns, 35ns 600 v
UC2707DWTR Texas Instruments UC2707DWTR 5.7990
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) UC2707 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 5V ~ 40V 16- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.5A, 1.5A 40ns, 40ns
1SP0335V2M1-5SNA0750G650300 Power Integrations 1SP0335V2M1-5SNA0750G650300 202.2083
RFQ
 ECAD 4541 0.00000000 전력 전력 스케일 ™ -2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 섀시 섀시 기준 기준 1SP0335 - 확인되지 확인되지 23.5V ~ 26.5V 기준 기준 - 1 (무제한) 1810-1SP0335V2M1-5SNA0750G650300 귀 99 8473.30.1180 6 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT - 35a, 35a 9ns, 30ns 6500 v
MIC4127YML-TR Microchip Technology MIC4127YML-TR 1.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드, 8-mlf® MIC4127 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 20V 8-MLF® (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 20ns, 18ns
A4919GETTR-5-T Allegro MicroSystems A4919Gettr-5-T 3.0600
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 Allegro Microsystems - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 28-vfqfn 노출 패드 A4919 TTL 확인되지 확인되지 5.5V ~ 50V 28-QFN (5x5) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,500 3 상 높은 높은 또는 쪽 쪽 6 N- 채널 MOSFET 0.8V, 1.5V - 35ns, 20ns
MAX4429EPA Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4429EPA -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MAX4429 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 25ns, 25ns
DGD2190MS8-13 Diodes Incorporated DGD2190ms8-13 1.7300
RFQ
 ECAD 4163 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DGD2190 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 4.5A, 4.5A 25ns, 20ns 600 v
IR2102 Infineon Technologies IR2102 -
RFQ
 ECAD 1400 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR2102 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IR2102 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 210ma, 360ma 100ns, 50ns 600 v
ISL6614CRZR5238 Intersil ISL6614CRZR5238 2.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-vqfn q 패드 ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 16-QFN (4x4) - 적용 적용 수 할 귀 99 8542.39.0001 75 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
ISL6613BEIBZ Intersil ISL6613BEIBZ 2.7500
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL6613 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 13.2V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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