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메모리 (70500)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
S28HS02GTFPBHV053	39.8650	RFQ	7743	인피온 인피온	Semper ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA		플래시 - 아니오 (SLC)	1.7V ~ 2V	24-FBGA (8x8)	다운로드							2,000	166 MHz	비 비	2gbit		플래시	256m x 8	SPI -OCTAL I/O	-
S25FL512SDSBHBC13	10.5875	RFQ	4336	인피온 인피온	FL-S	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	S25FL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	80MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	spi-쿼드 i/o	-
24FC08-E/SN36KVAO	-	RFQ	9908	마이크로 마이크로 기술	자동차, AEC-Q100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	24FC08	eeprom	1.7V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-24FC08-E/SN36KVAO	귀 99	8542.32.0051	100	1MHz	비 비	8kbit	450 ns	eeprom	1K X 8	i²c	5ms
S27KL0642DPBHB023	6.8000	RFQ	3065	인피온 인피온	Hyperram ™ KL	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA		psram (의사 sram)	2.7V ~ 3.6V	24-FBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B2	8542.32.0041	2,500	166 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	36 ns	psram	8m x 8	hyperbus	36ns
S29GL512T12DHN010Y	7.0000	RFQ	132	스팬션	GL-T	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (9x9)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B1A	8542.32.0071	1		비 비	512mbit	120 ns	플래시	64m x 8	평행한	60ns
IS46LQ32128AL-062BLA1-TR	-	RFQ	9310	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-VFBGA		sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	200-VFBGA (10x14.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		706-IS46LQ32128AL-062BLA1-TR			2,500	1.6GHz	휘발성 휘발성	4gbit	3.5 ns	음주	128m x 32	lvstl	18ns
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S25FL256SDSBHV210	-	RFQ	1542	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	S25FL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2166-S25FL256SDSBHV210-428			1	80MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	spi-쿼드 i/o	-	확인되지 확인되지
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MT53E768M64D4SQ-046 WT : A TR	73.1400	RFQ	9192	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT53E768M64D4SQ-046WT : ATR		0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	-	-
S25FS064SDSBHM020	3.5700	RFQ	9190	인피온 인피온	FS-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA		플래시 - 아니오 (SLC)	1.7V ~ 2V	24-BGA (8x6)	다운로드					3A991B1A	8542.32.0071	3,380	80MHz	비 비	64mbit	6 ns	플래시	8m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	2ms
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CG6720AM	-	RFQ	4408	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1
STK14C88-3NF45TR	-	RFQ	2357	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	STK14C88	nvsram (r 휘발성 sram)	4.5V ~ 5.5V	32-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	1,000		비 비	256kbit	45 ns	nvsram	32k x 8	평행한	45ns
S25FL064LABMFV013	3.3300	RFQ	38	인피온 인피온	FL-L	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	S25FL064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,100	108 MHz	비 비	64mbit		플래시	8m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	-
71V67703S80pfg	19.8800	RFQ	95	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	71V67703	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	다운로드					3A991B2A	8542.32.0041	1	100MHz	휘발성 휘발성	9mbit	8 ns	SRAM	256k x 36	평행한	-
MX25L3236FM2I-08G	0.6624	RFQ	3305	마크로 마크로	MXSMIO ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		플래시 - 아니오 (SLC)	2.65V ~ 3.6V	8-SOP	-		3 (168 시간)		1092-MX25L3236FM2I-08G			92	133 MHz	비 비	32mbit	6 ns	플래시	1m x 32, 2m x 16, 4m x 8	spi-쿼드 i/o	50µs, 1.2ms
GD25F64FWIGR	0.9688	RFQ	5581	Gigadevice ice (hk) 제한	GD25F	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드		플래시 - 아니오 (SLC)	2.7V ~ 3.6V	8-wson (5x6)	-				1970-GD25F64FWIGRTR			3,000	200MHz	비 비	64mbit		플래시	8m x 8	spi-쿼드 i/o, dtr	-
RC28F128P33B85A	-	RFQ	5268	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	RC28F128	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	52MHz	비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns
Cy7C1009BN-15VI	2.1300	RFQ	2	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)	CY7C1009	sram- 비동기	4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	1mbit	15 ns	SRAM	128k x 8	평행한	15ns
815098-B21-C	162.0000	RFQ	6544	Prolebs	*	소매 소매	활동적인								-	rohs 준수			4932-815098-B21-C	귀 99	8473.30.5100	1
71024S20YG	-	RFQ	3310	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비)	71024S	sram- 비동기	4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	다운로드					3A991B2A	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	1mbit	20 ns	SRAM	128k x 8	평행한	20ns
TE28F008BVT90	8.0000	RFQ	29	인텔	28F008	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		플래시 - 블록 부트	2.7V ~ 3.6V	40-tsop	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	3542.32.0071	1		비 비	8mbit	90 ns	플래시	1m x 8	평행한	90ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²