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![]() | MT53B512M64D4TX-053 WT : C. | - | ![]() | 8720 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - | ||||||||
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![]() | 71V3557S80pfgi | 9.2351 | ![]() | 8286 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | 71v3557 | SRAM- 동기, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 휘발성 휘발성 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128k x 36 | 평행한 | - | ||||||
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![]() | IDT71V424S12YI8 | - | ![]() | 1207 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | IDT71V424 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 36-SOJ | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 71V424S12YI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 12 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 12ns | |||||
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![]() | S29GL512S12DHE010 | 43.4493 | ![]() | 8290 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q100, GL-S | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | 플래시 - 아니오 (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 260 | 비 비 | 512mbit | 120 ns | 플래시 | 64m x 8 | CFI | 60ns | ||||||||||
![]() | 70V34S15pf | - | ![]() | 3634 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | 70v34 | sram-이중-, 비동기 | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 3 | 휘발성 휘발성 | 72kbit | 15 ns | SRAM | 4K X 18 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
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