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IS43QR16512A-083TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-083TBLI-TR 17.2767
RFQ
 ECAD 6410 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43QR16512A-083TBLI-TR 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS66WVH32M8DBLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH32M8DBLL-100B1LI 4.8440
RFQ
 ECAD 7449 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS66WVH32M8DBLL-1000B1LI 480 100MHz 휘발성 휘발성 256mbit 40 ns psram 32m x 8 평행한 40ns
IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR 11.9035
RFQ
 ECAD 3640 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR 2.6055
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 32mbit psram 8m x 4 spi-쿼드 i/o 45ns
IS43TR16512S1DL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S1DL-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 1513 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16512S1DL-125KBLI-TR 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS49RL36320-107EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36320-107EBLI 120.0345
RFQ
 ECAD 3984 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49RL36320-107EBLI 119 933 MHz 휘발성 휘발성 1.152gbit 8 ns 음주 32m x 36 평행한 -
IS43QR85120B-075UBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-075ubli 10.9618
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 ECAD 8876 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43QR85120B-075ubli 136 1.333 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 512m x 8 현물 현물 지불 15ns
IS43TR81024B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBLI-TR 20.9076
RFQ
 ECAD 4867 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR81024B-125KBLI-TR 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS46QR16512A-083TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-083TBLA2-TR 20.8943
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46QR16512A-083TBLA2-TR 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS61WV204816ALL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-12TLI-TR 17.8353
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV204816ALL-12TLI-TR 1,500 휘발성 휘발성 32mbit 12 ns SRAM 2m x 16 평행한 12ns
IS46LQ16128A-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128A-062BLA2-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS43LR16640C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-6BLI 7.7181
RFQ
 ECAD 4633 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR16640C-6BLI 300 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS46TR16256B-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-107MBLA2 10.1514
RFQ
 ECAD 8628 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16256B-107MBLA2 190 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS25WE256E-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE256E-RMLE-TR 4.2125
RFQ
 ECAD 6322 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WE256E-RMLE-TR 1,000 166 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS25WP064D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-JBLE-TR 1.2565
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 ECAD 3421 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP064D-JBLE-TR 2,000 166 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS25WP512M-RHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RHLE 7.1192
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 ECAD 7879 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP512M-RHLE 480 112 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS43DR16128C-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-25DBL-TR 6.2016
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 ECAD 5623 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43DR16128C-25DBL-TR 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 ns 음주 128m x 16 SSTL_18 15ns
IS43DR82560C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-3DBL-TR 6.3808
RFQ
 ECAD 3776 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43DR82560C-3DBL-TR 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 256m x 8 SSTL_18 15ns
IS43LQ16128AL-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128AL-062BLI-TR -
RFQ
 ECAD 6849 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ16128AL-062BLI-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS61WV51216EEALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216eeall-20tli 7.4957
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV51216EEALL-20TLI 135 휘발성 휘발성 8mbit 20 ns SRAM 512k x 16 평행한 20ns
IS43LQ32640A-062TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640A-062TBLI-TR 9.2036
RFQ
 ECAD 2418 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ32640A-062TBLI-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 64m x 32 lvstl 18ns
W29N04KZSIBG TR Winbond Electronics W29N04KZSIBG TR 6.7961
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 ECAD 9791 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W29N04KZSIBGTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 4gbit 25 ns 플래시 512m x 8 onfi 35ns, 700µs
70V06S12PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V06S12PFI8 -
RFQ
 ECAD 4147 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 64-TQFP (14x14) - 800-70V06S12pfi8tr 1 휘발성 휘발성 128kbit 12 ns SRAM 16k x 8 평행한 12ns
70V05S12PFI Renesas Electronics America Inc 70V05S12pfi -
RFQ
 ECAD 1870 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 64-TQFP (14x14) - 800-70V05S12PFI 1 휘발성 휘발성 64kbit 12 ns SRAM 8k x 8 평행한 12ns
70V37S12PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V37S12PFI8 -
RFQ
 ECAD 7008 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 - 800-70V37S12pfi8tr 1
7052S20PFGI Renesas Electronics America Inc 7052S20pfgi -
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 120-lqfp sram-쿼드-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 120-TQFP (14x14) - 800-7052S20PFGI 1 휘발성 휘발성 16kbit 20 ns SRAM 2k x 8 평행한 20ns
709269S6PFG Renesas Electronics America Inc 709269S6pfg -
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 쟁반 마지막으로 마지막으로 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram-듀얼-, 표준 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) - 800-709269S6pfg 1 휘발성 휘발성 256kbit SRAM 16k x 16 평행한 -
7034L12PF8 Renesas Electronics America Inc 7034L12pf8 -
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) - 800-7034L12pf8tr 1 휘발성 휘발성 72kbit 12 ns SRAM 4K X 18 평행한 12ns
7028S20PF Renesas Electronics America Inc 7028S20pf -
RFQ
 ECAD 8766 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 쟁반 마지막으로 마지막으로 - 800-7028S20PF 1
70825S25PFGI8 Renesas Electronics America Inc 70825S25pfgi8 -
RFQ
 ECAD 4818 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 80-LQFP SRAM 4.5V ~ 5.5V 80-TQFP (14x14) - 800-70825S25pfgi8tr 1 33.3 MHz 휘발성 휘발성 128kbit 25 ns SRAM 8k x 16 평행한 25ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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