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메모리 (70500)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
S25FL512SAGMFAR10	9.8700	RFQ	4675	인피온 인피온	FL-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	S25FL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	spi-쿼드 i/o	-
70V28S15pfi8	-	RFQ	8169	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로								-				800-70V28S15pfi8tr			1
FM25C040UEM8	0.4300	RFQ	2516	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	FM25C040	eeprom	4.5V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0051	1	2.1 MHz	비 비	4kbit		eeprom	512 x 8	SPI	10ms
MT41K1G16DGA-125 : A TR	-	RFQ	3590	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K1G16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (9.5x14)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	2,000	800MHz	휘발성 휘발성	16gbit	13.75 ns	음주	1g x 16	평행한	-
MT40A4G4DVN-075H : e	-	RFQ	8926	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A4G4	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (7.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		557-MT40A4G4DVN-075H : e	쓸모없는		210	1.33 GHz	휘발성 휘발성	16gbit	27 ns	음주	4G X 4	평행한	-
C-2933D4SR8RN/16G-TAA	200.0000	RFQ	4723	Prolebs	*	소매 소매	활동적인								-	rohs 준수			4932-C-2933D4SR8RN/16G-TAA	귀 99	8473.30.5100	1
IS66WVE2M16EALL-70BLI	5.6100	RFQ	24	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	IS66WVE2M16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	48-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	480		휘발성 휘발성	32mbit	70 ns	psram	2m x 16	평행한	70ns
N25Q064A13ESF40F	2.1600	RFQ	752	Alliance Memory, Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	N25Q064A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	108 MHz	비 비	64mbit	5 ns	플래시	16m x 4	SPI	5ms
IS62WV2568FBLL-45HLI-TR	1.5491	RFQ	8434	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비)		sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	32-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		706-IS62WV2568FBLL-45HLI-TR			2,000		휘발성 휘발성	2mbit	45 ns	SRAM	256k x 8	평행한	45ns
5962-8764814QYA	32.6700	RFQ	21	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	32-Clcc, c	5962-8764814	eprom -uv	4.5V ~ 5.5V	32-CLCC (13.97x11.43)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0061	1		비 비	512kbit	250 ns	eprom	64k x 8	평행한	-
MT41K512M16VRP-107 AAT : p	18.4350	RFQ	3457	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	상자	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA		sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (8x14)	다운로드				557-MT41K512M16VRP-107AAT : p			1	933 MHz	휘발성 휘발성	8gbit	20 ns	음주	512m x 16	평행한	15ns
MT53E768M32D4DT-046 AAT : E TR	29.2650	RFQ	5600	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-VFBGA	MT53E768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT53E768M32D4DT-046AAT : ETR	귀 99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	768m x 32	-	-
CG8453AA	-	RFQ	6192	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는		1
DS1258W-100IND	48.2200	RFQ	8336	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	40-DIP 0. (0.600 ", 15.24mm)		nvsram (r 휘발성 sram)	3V ~ 3.6V	40-edip	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1		비 비	2mbit	100 ns	nvsram	128k x 16	평행한	100ns
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mt29f8g08adafawp-ait : f	11.6600	RFQ	999	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F8G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1		비 비	8gbit		플래시	1g x 8	평행한	-
CAT93C46RWI-G	-	RFQ	7645	촉매 촉매 Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	CAT93C46	eeprom	1.8V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	적용 적용 수 할				귀 99	8542.32.0051	100	4 MHz	비 비	1kbit		eeprom	128 x 8, 64 x 16	전자기	-
Cy62256NL-70SNXC	1.4600	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	Cy62256	sram- 비동기	4.5V ~ 5.5V	28 -Soic	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.32.0041	207		휘발성 휘발성	256kbit	70 ns	SRAM	32k x 8	평행한	70ns	확인되지 확인되지
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UCS-ML-1X322RU-AC	250.0000	RFQ	9771	Prolebs	*	소매 소매	활동적인								-	rohs 준수			4932-UCS-ML-1X322RU-AC	귀 99	8473.30.5100	1
MT62F768M64D4EK-023 FAAT : b	47.8950	RFQ	1427	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	상자	활동적인	-	표면 표면	441-TFBGA	MT62F768	sdram- 모바일 lpddr5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F768M64D4EK-023FAAT : b			1	4.266 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	평행한	-
AS4C256M8D3-12BINTR	-	RFQ	4137	Alliance Memory, Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	AS4C256	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	78-FBGA (8x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	2gbit	20 ns	음주	256m x 8	평행한	15ns
S34ML04G100TFI900	-	RFQ	1805	SkyHigh 제한 메모리	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다				S34ML04				-	rohs 준수	3 (168 시간)		2120-S34ML04G100TFI900	3A991B1A	8542.32.0071	96									확인되지 확인되지
cy7c1371d-100axi	39.6000	RFQ	4970	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1371	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드	Rohs3 준수			2832-CY7C1371D-100AXI			72	100MHz	휘발성 휘발성	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
A6776455-C	30.0000	RFQ	7753	Prolebs	*	소매 소매	활동적인								-	rohs 준수			4932-A6776455-C	귀 99	8473.30.5100	1
AS4C4M32SA-7TCNTR	3.7224	RFQ	3093	Alliance Memory, Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	AS4C4M32	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0002	1,000	143 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	4m x 32	평행한	2ns
7164S55dB	-	RFQ	6833	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	28-CDIP (0.600 ", 15.24mm)	7164S	sram- 비동기	4.5V ~ 5.5V	28-cdip	다운로드					3A001A2C	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	평행한	55ns
MT62F4G32D8DV-026 WT : b	90.4650	RFQ	8776	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-		sdram- 모바일 lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-026WT : b			1	3.2GHz	휘발성 휘발성	128gbit		음주	4G X 32	평행한	-
AT49BV040A-70TU	-	RFQ	3068	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	AT49BV040	플래시	2.7V ~ 3.6V	32-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	156		비 비	4mbit	70 ns	플래시	512k x 8	평행한	50µs
MEM-DR480L-SL01-SO24-C	41.0000	RFQ	9583	Prolebs	*	소매 소매	활동적인								-	rohs 준수			4932-MEM-DR480L-SL01-SO24-C	귀 99	8473.30.5100	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²