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EM639165BM-5IH Etron Technology, Inc. EM639165BM-5IH 2.0680
RFQ
 ECAD 1034 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA EM639165 sdram 3V ~ 3.6V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-EM639165BM-5IHTR 귀 99 8542.32.0002 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 4.5 ns 음주 8m x 16 평행한 10ns
EM6HE08EW9G-10IH Etron Technology, Inc. em6he08ew9g-10ih 10.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA EM6HE08 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (7.5x10.6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-em6he08ew9g-10ihtr 귀 99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
EM6HB16EWKA-12H Etron Technology, Inc. EM6HB16ewka-12h 2.9779
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA EM6HB16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-EM6HB16EWKA-12HCT 귀 99 8542.32.0028 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 512mbit 20 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
EM6HE08EW3F-12H Etron Technology, Inc. em6he08ew3f-12h 5.2066
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA EM6HE08 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-em6he08ew3f-12htr 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
EM6HE16EWAKG-10H Etron Technology, Inc. EM6HE16EWAKG-10H 10.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA EM6HE16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
EM6AA160TSE-4IG Etron Technology, Inc. EM6AA160TSE-4IG 2.1024
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) EM6AA160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-EM6AA160TSE-4IGTR 귀 99 8542.32.0024 1,000 250MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
EM68B08CWAH-25IH Etron Technology, Inc. EM68B08CWAH-25ih 3.4373
RFQ
 ECAD 3070 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA EM68B08 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-EM68B08CWAH-25ihtr 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
EM6GE08EW9G-10IH Etron Technology, Inc. em6ge08ew9g-10ih 8.2800
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA EM6GE08 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (7.5x10.6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
EM6GC08EWUG-10H Etron Technology, Inc. EM6GC08EWUG-10H 2.2169
RFQ
 ECAD 9369 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA EM6GC08 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-EM6GC08EWUG-10HTR 귀 99 8542.32.0032 2,500 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
EM6HF16EBXB-12SH Etron Technology, Inc. EM6HF16EBXB-12SH 26.2900
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Etron Technology, Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000
EM63A165BM-5H Etron Technology, Inc. EM63A165BM-5H 2.0680
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA EM63A165 sdram 3V ~ 3.6V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-EM63A165BM-5HTR 귀 99 8542.32.0024 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 4.5 ns 음주 16m x 16 평행한 10ns
EM68B16CWQK-25IH Etron Technology, Inc. EM68B16CWQK-25ih 3.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA EM68B16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
EM6GE16EWXD-10IH Etron Technology, Inc. em6ge16ewxd-10ih 5.8500
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA EM6GE16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-em6ge16ewxd-10ihtr 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
EM6OE08NW9A-07H Etron Technology, Inc. EM6oE08NW9A-07H 7.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA em6oe08 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x10.6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-EM6OE08NW9A-07HCT 귀 99 8542.32.0036 2,500 1.333 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 512m x 8 현물 현물 지불 15ns
EM6HD08EWUF-10IH Etron Technology, Inc. EM6HD08ewuf-10ih 3.5028
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 ECAD 6459 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA EM6HD08 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
EM6AC160TSA-4IG Etron Technology, Inc. EM6AC160TSA-4IG -
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 ECAD 6677 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) EM6AC160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 1,000 250MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 64m x 16 sstl_2 15ns
EM6GC16EWKG-10H Etron Technology, Inc. EM6GC16EWKG-10H 2.2538
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 ECAD 6344 0.00000000 Etron Technology, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA EM6GC16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2174-EM6GC16EWKG-10HTR 귀 99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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