전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | em6ge16ewakg-10h | 5.2066 | ![]() | 1292 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | EM6GE16 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (7.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-em6ge16ewakg-10htr | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM6HD08EWAHH-12H | 5.8500 | ![]() | 1008 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | EM6HD08 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (7.5x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM6HD08EWAHHH-12HTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | em6gd08ewahh-10h | 2.9953 | ![]() | 6440 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | EM6GD08 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (7.5x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM6GD08EWAHHHH-10HTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | em6ge08ew9g-10h | 5.2066 | ![]() | 2839 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | EM6GE08 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (7.5x10.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-em6ge08ew9g-10htr | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM639165BM-5H | 1.8198 | ![]() | 2846 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | EM639165 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-FBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM639165BM-5HTR | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 4.5 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 10ns | |
![]() | EM6HD08EWUF-10H | 2.9953 | ![]() | 2800 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | EM6HD08 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM6HD08EWUF-10HTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM6HE16EWXD-10H | 5.2066 | ![]() | 3438 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | EM6HE16 | sdram -ddr3 | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM6HE16EWXD-10HTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM6HC16EWXC-12ih | 4.0102 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | EM6HC16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | EM6HC16EWXC-12H | 3.6828 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | EM6HC16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | EM6HB16ewka-12ih | 3.2261 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | EM6HB16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 20 ns | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | EM6HE08EW9G-10H | 7.1250 | ![]() | 6136 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | EM6HE08 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (7.5x10.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
EM6GA16LCAEA-12H | 2.1700 | ![]() | 319 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 50-UFBGA, WLCSP | EM6GA16 | DRAM-RPC | 1.425V ~ 1.575V | 50-WLCSP (1.96x4.63) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM6GA16LCAEA-12H | 귀 99 | 8542.32.0032 | 66 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 6 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | em6ge16ewxd-10h | 5.2066 | ![]() | 5609 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | EM6GE16 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (9x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-em6ge16ewxd-10htr | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM68B08CWAH-25H | 3.1099 | ![]() | 2679 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | EM68B08 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM68B08CWAH-25HTR | 귀 99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | em6gd08ewahh-10ih | 3.5028 | ![]() | 5807 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | EM6GD08 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (7.5x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM6GD08EWAHH-10ihtr | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM68C16CWQG-25ih | 4.8100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | EM68C16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 400 PS | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | EM6HC08EWUG-10H | 3.6828 | ![]() | 4928 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | EM6HC08 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM6HC08EWUG-10HTR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | Em6ge08ew8d-10h | 5.2066 | ![]() | 4319 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | EM6GE08 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-em6ge08ew8d-10htr | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM6HC16EWKG-10H | 2.2538 | ![]() | 3693 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | EM6HC16 | sdram -ddr3 | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM6HC16EWKG-10HTR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | em6ge16ewakg-10ih | 5.8500 | ![]() | 7168 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | EM6GE16 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (7.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-em6ge16ewakg-10ihtr | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM6AA160BKE-4IH | 2.7826 | ![]() | 4162 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | EM6AA160 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM6AA160BKE-4IHTR | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM6AA160TSE-4G | 1.6819 | ![]() | 3264 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | EM6AA160 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM6AA160TSE-4GTR | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM6HD16EWBH-10ih | 9.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | EM6HD16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | em6oe08nw9a-07ih | 8.2500 | ![]() | 2009 년 년 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | em6oe08 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x10.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 1.333 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 18 ns | 음주 | 512m x 8 | 현물 현물 지불 | 15ns | ||
![]() | EM6HD16EWBH-10H | 5.9374 | ![]() | 9536 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | EM6HD16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | EM6HC16ewkg-10ih | 2.5809 | ![]() | 1305 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | EM6HC16 | sdram -ddr3 | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | EM6GF16EW5A-10ISH | 20.0250 | ![]() | 1348 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | |||||||||||||||||
![]() | EM68A16CBQC-25H | 1.8198 | ![]() | 7387 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | EM68A16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM68A16CBQC-25HTR | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 400 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | EM63A165TS-5G | 1.8501 | ![]() | 8203 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | EM63A165 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2174-EM63A165TS-5GTR | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 4.5 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 10ns | |
![]() | EM6GA16LBXA-12H | 2.5100 | ![]() | 688 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | EM6GA16 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 500 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고