SIC
close

메모리 (238)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MR0A08BYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a08bys35r 11.9700
RFQ
 ECAD 1033 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
EM032LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13CS1R 29.4000
RFQ
 ECAD 4663 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQADG13CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR5A16AUYS45 Everspin Technologies Inc. MR5A16AUYS45 77.7900
RFQ
 ECAD 4191 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr5a16auys45 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 32mbit 45 ns 숫양 2m x 16 평행한 45ns
MR256A08BCSO35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BCSO35R -
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR2A08AMYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a08amys35r 31.9200
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR3A16AUYS45R Everspin Technologies Inc. mr3a16auys45r 39.1200
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16auys45rtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 45 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR0A08BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCYS35 15.9720
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1000 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR2A16AVMA35R Everspin Technologies Inc. mr2a16avma35r 30.6750
RFQ
 ECAD 2639 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR0A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR0A08BCMA35R 12.7946
RFQ
 ECAD 6202 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR2A08AMYS35 Everspin Technologies Inc. mr2a08amys35 31.5750
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1026 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR2A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. mr2a16avma35 36.5200
RFQ
 ECAD 475 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1022 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
EM016LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1R 19.9500
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQAB313CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR3A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16AMA35 24.5941
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR3A16AMA35 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR256D08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR256D08BMA45 9.6400
RFQ
 ECAD 4960 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256D08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1033 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 256kbit 45 ns 숫양 32k x 8 평행한 45ns
MR2A16AYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a16ays35r 24.6150
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 mr2a16ays35rev 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR2A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a16avys35r 31.0800
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 mr2a16avys35rev 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR25H256CDC Everspin Technologies Inc. MR25H256CDC 9.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-tdfn n 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1015 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
EM064LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13IS1R 44.9250
RFQ
 ECAD 9213 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQADG13IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR4A16BCYS35R Everspin Technologies Inc. MR4A16BCYS35R 50.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR25H256MDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256MDFR 11.7600
RFQ
 ECAD 2087 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR25H128ACDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128ACDFR 4.0200
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H128 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H128ACDFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 128kbit 숫양 16k x 8 SPI -
EM032LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1R 33.0750
RFQ
 ECAD 8531 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXOAB320IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR4A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BCMA35 56.1100
RFQ
 ECAD 393 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
EM016LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320IS1R 22.4250
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXOAB320IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM064LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13CS1R 42.0000
RFQ
 ECAD 8541 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQADG13CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H40VDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40VDFR 20.1096
RFQ
 ECAD 4604 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H40VDFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 4mbit 9 ns 숫양 512k x 8 SPI -
MR25H256CDCR Everspin Technologies Inc. MR25H256CDCR 7.0650
RFQ
 ECAD 7486 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-tdfn n 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR4A08BMA35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BMA35 52.1000
RFQ
 ECAD 4258 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다