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MR4A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BCMA35 56.1100
RFQ
 ECAD 393 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
MR256A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BCMA35R 8.9250
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR5A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR5A16ACMA35R 60.3421
RFQ
 ECAD 1168 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16ACMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
MR1A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. mr1a16avma35 19.8450
RFQ
 ECAD 4123 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AVMA35 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR0A08BCYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a08bcys35r 16.2450
RFQ
 ECAD 6835 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR4A08BMA35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BMA35 52.1000
RFQ
 ECAD 4258 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
MR0A08BYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a08bys35r 11.9700
RFQ
 ECAD 1033 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR2A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a16avys35r 31.0800
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 mr2a16avys35rev 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR0A08BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCYS35 15.9720
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1000 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR25H40VDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40VDFR 20.1096
RFQ
 ECAD 4604 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H40VDFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 4mbit 9 ns 숫양 512k x 8 SPI -
MR2A08AMYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a08amys35r 31.9200
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR1A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. mr1a16acys35 23.5300
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR20H40DF Everspin Technologies Inc. MR20H40DF -
RFQ
 ECAD 3792 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR20H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570 50MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
EM008LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320CS1R 18.7500
RFQ
 ECAD 4820 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXOAB320CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H256CDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256CDFR 6.9900
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR256A08BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCYS35 7.7613
RFQ
 ECAD 5982 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1025 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
EM032LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1T 42.4700
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXOAB320IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR256A08BMA35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BMA35R 7.1953
RFQ
 ECAD 7680 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
EM016LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320CS1R 18.6200
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXOAB320CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR2A08ACMA35 Everspin Technologies Inc. mr2a08acma35 31.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1034 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR4A16BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A16BCMA35R 46.8750
RFQ
 ECAD 5795 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR3A16AYS35R Everspin Technologies Inc. mr3a16ays35r 23.8203
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16ays35rtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR3A16AYS35 Everspin Technologies Inc. Mr3a16ays35 24.9685
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16ays35 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR5A16AUYS45 Everspin Technologies Inc. MR5A16AUYS45 77.7900
RFQ
 ECAD 4191 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr5a16auys45 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 32mbit 45 ns 숫양 2m x 16 평행한 45ns
MR4A16BYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A16BYS35 41.3400
RFQ
 ECAD 974 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1B1 8542.32.0071 108 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR1A16AMA35R Everspin Technologies Inc. mr1a16ama35r 15.1221
RFQ
 ECAD 9053 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR25H256CDF Everspin Technologies Inc. MR25H256CDF 8.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1038 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
EM016LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1R 19.9500
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQAB313CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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