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EM032LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13CS1R 29.4000
RFQ
ECAD 4663 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQADG13CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR2A16AYS35 Everspin Technologies Inc. mr2a16ays35 31.5700
RFQ
ECAD 9273 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR10Q010VSC Everspin Technologies Inc. MR10Q010VSC 8.1000
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010vsc 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR4A16BCYS35R Everspin Technologies Inc. MR4A16BCYS35R 50.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR20H40DF Everspin Technologies Inc. MR20H40DF -
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR20H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570 50MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
MR25H256CDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256CDFR 6.9900
RFQ
ECAD 8089 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR0DL08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR0DL08BMA45R 15.0290
RFQ
ECAD 5791 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0DL08 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 1mbit 45 ns 숫양 128k x 8 평행한 45ns
MR2A08ACMA35 Everspin Technologies Inc. mr2a08acma35 31.8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1034 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR1A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. mr1a16acys35 23.5300
RFQ
ECAD 5207 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
EM064LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13CS1R 42.0000
RFQ
ECAD 8541 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQADG13CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR3A16AUYS45R Everspin Technologies Inc. mr3a16auys45r 39.1200
RFQ
ECAD 2537 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16auys45rtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 45 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR25H40CDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40CDFR 17.3550
RFQ
ECAD 4788 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
MR0A16AVMA35R Everspin Technologies Inc. MR0A16AVMA35R 14.4172
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR1A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. mr1a16acma35r 15.9600
RFQ
ECAD 7077 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16ACMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR1A16AMA35R Everspin Technologies Inc. mr1a16ama35r 15.1221
RFQ
ECAD 9053 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR256D08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR256D08BMA45 9.6400
RFQ
ECAD 4960 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256D08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1033 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 256kbit 45 ns 숫양 32k x 8 평행한 45ns
MR0A08BYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a08bys35r 11.9700
RFQ
ECAD 1033 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR4A08BUYS45 Everspin Technologies Inc. mr4a08buys45 48.3600
RFQ
ECAD 6499 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR4A08BUYS45 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 16mbit 45 ns 숫양 2m x 8 평행한 45ns
MR25H10CDFR Everspin Technologies Inc. mr25h10cdfr 7.9950
RFQ
ECAD 7598 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H10 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 1mbit 숫양 128k x 8 SPI -
MR25H10MDF Everspin Technologies Inc. MR25H10MDF 12.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H10 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1042 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 1mbit 숫양 128k x 8 SPI -
MR2A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a16avys35r 31.0800
RFQ
ECAD 7540 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 mr2a16avys35rev 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR1A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. mr1a16avma35 19.8450
RFQ
ECAD 4123 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AVMA35 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR5A16AUMA45R Everspin Technologies Inc. MR5A16AUMA45R 77.9850
RFQ
ECAD 2331 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16AUMA45RTR 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 45 ns 숫양 2m x 16 평행한 45ns
MR2A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. mr2a16avma35 36.5200
RFQ
ECAD 475 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1022 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR25H256MDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256MDFR 11.7600
RFQ
ECAD 2087 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR256A08BSO35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BSO35 -
RFQ
ECAD 3229 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1028 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR0A16AYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a16ays35r 11.7705
RFQ
ECAD 2636 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 mr0a16ays35rev 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR0DL08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR0DL08BMA45 15.1871
RFQ
ECAD 1792 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0DL08 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1060 귀 99 8542.32.0071 349 비 비 1mbit 45 ns 숫양 128k x 8 평행한 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고