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MR256A08BYS35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BYS35R 7.3228
RFQ
 ECAD 8516 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR4A08BYS35R Everspin Technologies Inc. mr4a08bys35r 31.6650
RFQ
 ECAD 1539 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
MR5A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR5A16ACMA35 80.3300
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 6 (레이블 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16ACMA35 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
MR3A16AUYS45 Everspin Technologies Inc. mr3a16auys45 38.6700
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16auys45 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 8mbit 45 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR3A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16ACMA35 40.7800
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR3A16ACMA35 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR1A16AYS35R Everspin Technologies Inc. mr1a16ays35r 17.2350
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr1a16ays35rtr 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR1A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. mr1a16acma35 23.3400
RFQ
 ECAD 1738 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16ACMA35 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 SPI 35ns
MR1A16AMA35 Everspin Technologies Inc. mr1a16ama35 15.3663
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AMA35 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR3A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. Mr3a16acys35 39.7500
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16acys35 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR3A16AMA35R Everspin Technologies Inc. mr3a16ama35r 28.0050
RFQ
 ECAD 2006 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR3A16AMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
EM064LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320IS1R 47.2500
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXOAB320IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM032LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320CS1R 30.9000
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXOAB320CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM016LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313IS1T 18.8860
RFQ
 ECAD 7365 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQAB313IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM016LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13IS1T 19.5696
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQADG13IS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR10Q010VMB Everspin Technologies Inc. MR10Q010VMB 8.6100
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010vmb 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR10Q010SC Everspin Technologies Inc. MR10Q010SC 6.7595
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR10Q010SC 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR4A16BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45 46.6050
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR4A16BUYS45 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 16mbit 45 ns 숫양 1m x 16 평행한 45ns
MR10Q010MBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010MBR 7.0944
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010mbrtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR4A16BUYS45R Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45R 47.0550
RFQ
 ECAD 3140 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR4A16BUYS45RTR 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 16mbit 45 ns 숫양 1m x 16 평행한 45ns
MR4A08BUYS45R Everspin Technologies Inc. mr4a08buys45r 48.8400
RFQ
 ECAD 5792 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr4a08buys45rtr 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 45 ns 숫양 2m x 8 평행한 45ns
EMD3D256M08G1-150CBS1R Everspin Technologies Inc. EMD3D256M08G1-150CBS1R 54.6364
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MRAM (자기 램) 1.425V ~ 1.575V 78-BGA (10x13) - Rohs3 준수 819-EMD3D256M08G1-150CBS1RTR 2,000 667 MHz 비 비 256mbit 14 ns 숫양 32m x 8 평행한 -
EM016LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1T 26.3900
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQAB313CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM032LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13CS1T 29.4000
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQADG13CS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR5A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR5A16AMA35R 64.0950
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16AMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
EM016LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13IS1R 18.8860
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQADG13IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM008LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313IS1T 19.0500
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQAB313IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H40CDF Everspin Technologies Inc. MR25H40CDF 21.0200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1040 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
EM032LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320CS1T 30.9000
RFQ
 ECAD 9584 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXOAB320CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM008LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13CS1T 16.3999
RFQ
 ECAD 7382 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQADG13CS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR256D08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR256D08BMA45R 7.2300
RFQ
 ECAD 8464 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256D08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 256kbit 45 ns 숫양 32k x 8 평행한 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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