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MR4A16BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45 46.6050
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR4A16BUYS45 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 16mbit 45 ns 숫양 1m x 16 평행한 45ns
EM004LXQBDH13CS1T Everspin Technologies Inc. EM004LXQBDH13CS1T 15.2500
RFQ
 ECAD 1233 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM004LXQBDH13CS1T 570 200MHz 비 비 4mbit 7 ns 숫양 512k x 8 spi-쿼드 i/o -
MR4A08BUYS45R Everspin Technologies Inc. mr4a08buys45r 48.8400
RFQ
 ECAD 5792 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr4a08buys45rtr 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 45 ns 숫양 2m x 8 평행한 45ns
MR25H128APDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128APDFR 7.3200
RFQ
 ECAD 8547 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MR25H128 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000
EM064LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320IS1R 47.2500
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXOAB320IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM004LXOBB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM004LXOBBB320IS1T 17.1900
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM004LXOBBB320IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 4mbit 7 ns 숫양 512k x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM064LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13CS1T 42.0000
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQADG13CS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR5A16AUMA45 Everspin Technologies Inc. MR5A16AUMA45 77.7900
RFQ
 ECAD 2907 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 6 (레이블 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16AUMA45 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 32mbit 45 ns 숫양 2m x 16 평행한 45ns
MR1A16AYS35R Everspin Technologies Inc. mr1a16ays35r 17.2350
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr1a16ays35rtr 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
EM008LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320CS1T 18.7500
RFQ
 ECAD 5006 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXOAB320CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM064LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320IS1T 60.6700
RFQ
 ECAD 475 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXOAB320IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H256ACDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256ACDFR 4.5000
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H256ACDFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 9 ns 숫양 32k x 8 SPI -
MR5A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR5A16AMA35 63.9000
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16AMA35 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
MR256A08BYS35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BYS35R 7.3228
RFQ
 ECAD 8516 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR20H40CDFR Everspin Technologies Inc. MR20H40CDFR 20.6850
RFQ
 ECAD 5963 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR20H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 50MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
MR10Q010VMB Everspin Technologies Inc. MR10Q010VMB 8.6100
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010vmb 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR0A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCMA35 13.1995
RFQ
 ECAD 7847 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1035 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
EM032LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313IS1T 31.4250
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQAB313IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR10Q010CSCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010CSCR 7.1939
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010cscrtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR0A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a16avys35r 15.5400
RFQ
 ECAD 1896 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR5A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR5A16ACMA35 80.3300
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 6 (레이블 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16ACMA35 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
MR3A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16ACMA35 40.7800
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR3A16ACMA35 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR0A08BCSO35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCSO35 -
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR10Q010SCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010SCR 7.0944
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010scrtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR25H40CDF Everspin Technologies Inc. MR25H40CDF 21.0200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1040 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
MR25H256APDF Everspin Technologies Inc. MR25H256APDF 7.1663
RFQ
 ECAD 5076 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H256APDF 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 9 ns 숫양 32k x 8 SPI -
MR3A16AMA35R Everspin Technologies Inc. mr3a16ama35r 28.0050
RFQ
 ECAD 2006 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR3A16AMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR25H10CDF Everspin Technologies Inc. MR25H10CDF 9.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H10 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1039 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 1mbit 숫양 128k x 8 SPI -
MR2A16AVYS35 Everspin Technologies Inc. mr2a16avys35 36.9500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
EM064LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13IS1T 44.9250
RFQ
 ECAD 9870 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQADG13IS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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