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EM064LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320IS1R 47.2500
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXOAB320IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR1A16AMA35 Everspin Technologies Inc. mr1a16ama35 15.3663
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AMA35 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR0A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. mr0a16acys35 17.3800
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR5A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR5A16ACMA35 80.3300
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 6 (레이블 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16ACMA35 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
MR20H40CDFR Everspin Technologies Inc. MR20H40CDFR 20.6850
RFQ
 ECAD 5963 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR20H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 50MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
MR25H256ACDF Everspin Technologies Inc. MR25H256ACDF 5.9100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1064 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
EM032LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313IS1T 31.4250
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQAB313IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM016LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313IS1T 18.8860
RFQ
 ECAD 7365 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQAB313IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR10Q010VMB Everspin Technologies Inc. MR10Q010VMB 8.6100
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010vmb 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR4A16BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45 46.6050
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR4A16BUYS45 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 16mbit 45 ns 숫양 1m x 16 평행한 45ns
MR0A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCMA35 13.1995
RFQ
 ECAD 7847 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1035 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR25H256ACDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256ACDFR 4.5000
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H256ACDFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 9 ns 숫양 32k x 8 SPI -
MR2A08AMA35 Everspin Technologies Inc. mr2a08ama35 24.0600
RFQ
 ECAD 1906 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1029 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
EM064LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313IS1T 44.9250
RFQ
 ECAD 3357 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQAB313IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM008LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320CS1T 18.7500
RFQ
 ECAD 5006 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXOAB320CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM032LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320CS1T 30.9000
RFQ
 ECAD 9584 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXOAB320CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM008LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13IS1R 19.0500
RFQ
 ECAD 5008 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQADG13IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR4A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BCMA35R 46.9950
RFQ
 ECAD 2126 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
MR25H256MDF Everspin Technologies Inc. MR25H256MDF 11.6100
RFQ
 ECAD 4219 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1041 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR10Q010SC Everspin Technologies Inc. MR10Q010SC 6.7595
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR10Q010SC 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR0A08BCSO35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCSO35 -
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
EM032LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320CS1R 30.9000
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXOAB320CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR10Q010SCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010SCR 7.0944
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010scrtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR4A08BYS35R Everspin Technologies Inc. mr4a08bys35r 31.6650
RFQ
 ECAD 1539 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
MR2A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. mr2a16acys35 31.7400
RFQ
 ECAD 684 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR25H128APDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128APDFR 7.3200
RFQ
 ECAD 8547 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MR25H128 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000
EM008LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313CS1R 15.8270
RFQ
 ECAD 1066 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQAB313CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR0A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A16AVMA35 15.8700
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1023 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR25H128AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128AMDFR 8.8200
RFQ
 ECAD 2186 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H128 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H128AMDFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 128kbit 숫양 16k x 8 SPI -
MR2A16AMA35R Everspin Technologies Inc. mr2a16ama35r 24.5550
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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