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메모리 (238)
| 영상 | 제품 번호 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 가능한 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 상태 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 업체 장치 패키지 | 데이터 시트 | ROHS 상태 | 수분 감도 수준 (MSL) | 상태에 도달하십시오 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 표준 패키지 | 시계 주파수 | 메모리 유형 | 메모리 크기 | 액세스 시간 | 메모리 형식 | 메모리 조직 | 메모리 인터페이스 | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mr0a08bys35 | 17.5300 |  | 769 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 마운트 | 44-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MR0A08 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-1002 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 135 | 비 휘발성 | 1mbit | 35 ns | 숫양 | 128k x 8 | 평행한 | 35ns | ||
 | MR0A08BMA35 | 13.0680 | | 6185 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 마운트 | 48-LFBGA | MR0A08 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (8x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-1030 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 348 | 비 휘발성 | 1mbit | 35 ns | 숫양 | 128k x 8 | 평행한 | 35ns | ||
| MR256A08BYS35 | 9.9100 | | 934 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 마운트 | 44-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MR256A08 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-1024 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 135 | 비 휘발성 | 256kbit | 35 ns | 숫양 | 32k x 8 | 평행한 | 35ns | ||
 | MR25H10MDC | 12.7500 | | 2 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 새로운 디자인이 아닙니다 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-tdfn 노출 패드 | MR25H10 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 2.7V ~ 3.6V | 8-DFN-EP, 큰 깃발 (5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 40MHz | 비 휘발성 | 1mbit | 숫양 | 128k x 8 | SPI | - | |||
| MR0D08BMA45 | 15.7200 | | 8124 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 마운트 | 48-LFBGA | MR0D08 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (8x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-1031 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 348 | 비 휘발성 | 1mbit | 45 ns | 숫양 | 128k x 8 | 평행한 | 45ns | ||
| MR25H40MDF | 36.6700 | | 4 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-vdfn 노출 패드 | MR25H40 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 40MHz | 비 휘발성 | 4mbit | 숫양 | 512k x 8 | SPI | - | |||
| MR0A08BMA35R | 11.8769 | | 3063 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 마운트 | 48-LFBGA | MR0A08 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (8x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 휘발성 | 1mbit | 35 ns | 숫양 | 128k x 8 | 평행한 | 35ns | |||
| MR20H40CDF | 25.1400 | | 2 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-vdfn 노출 패드 | MR20H40 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-1043 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 50MHz | 비 휘발성 | 4mbit | 숫양 | 512k x 8 | SPI | - | ||
 | MR25H10MDCR | 10.2900 | | 3277 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-tdfn 노출 패드 | MR25H10 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 2.7V ~ 3.6V | 8-DFN-EP, 큰 깃발 (5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40MHz | 비 휘발성 | 1mbit | 숫양 | 128k x 8 | SPI | - | |||
| mr0a16acys35r | 12.5286 | | 2172 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 44-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MR0A16 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 비 휘발성 | 1mbit | 35 ns | 숫양 | 64k x 16 | 평행한 | 35ns | |||
 | mr1a16avma35 | 19.8450 | | 4123 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 48-LFBGA | MR1A16 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (8x8) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-MR1A16AVMA35 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 348 | 비 휘발성 | 2mbit | 35 ns | 숫양 | 128k x 16 | 평행한 | 35ns | ||
| mr0a08bys35r | 11.9700 | | 1033 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 마운트 | 44-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MR0A08 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 비 휘발성 | 1mbit | 35 ns | 숫양 | 128k x 8 | 평행한 | 35ns | |||
 | MR5A16AUMA45R | 77.9850 | | 2331 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (10x10) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-MR5A16AUMA45RTR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 휘발성 | 32mbit | 45 ns | 숫양 | 2m x 16 | 평행한 | 45ns | ||
| mr2a08amys35 | 31.5750 | | 4318 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 44-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MR2A08 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-1026 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 135 | 비 휘발성 | 4mbit | 35 ns | 숫양 | 512k x 8 | 평행한 | 35ns | ||
| MR25H256CDC | 9.1000 | | 2 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 쟁반 | 새로운 디자인이 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-tdfn 노출 패드 | MR25H256 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 2.7V ~ 3.6V | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-1015 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 40MHz | 비 휘발성 | 256kbit | 숫양 | 32k x 8 | SPI | - | ||
| MR25H10MDF | 12.4100 | | 1 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-vdfn 노출 패드 | MR25H10 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 2.7V ~ 3.6V | 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-1042 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 40MHz | 비 휘발성 | 1mbit | 숫양 | 128k x 8 | SPI | - | ||
 | MR10Q010VMBR | 8.8950 | | 4354 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 24-lbga | MR10Q010 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 24-BGA (6x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-mr10q010vmbrtr | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 40MHz | 비 휘발성 | 1mbit | 7 ns | 숫양 | 128k x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI | - | |
 | mr4a08buys45 | 48.3600 | | 6499 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 44-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MR4A08 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-MR4A08BUYS45 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 135 | 비 휘발성 | 16mbit | 45 ns | 숫양 | 2m x 8 | 평행한 | 45ns | ||
 | MR10Q010CSC | 7.6050 | | 7812 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 마운트 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | MR10Q010 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 16 -Soic | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-mr10q010csc | 귀 99 | 8542.32.0071 | 480 | 40MHz | 비 휘발성 | 1mbit | 7 ns | 숫양 | 128k x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI | - | |
 | MR25H40VDF | 22.2750 | | 8155 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-vdfn 노출 패드 | MR25H40 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-MR25H40VDF | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 40MHz | 비 휘발성 | 4mbit | 9 ns | 숫양 | 512k x 8 | SPI | - | |
 | EM032LXOAB320IS1R | 33.0750 | | 8531 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 마운트 | 24-TBGA | MRAM (Magnetorestive RAM) | 1.65V ~ 2V | 24-TBGA (6x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 819-EM032LXOAB320IS1RTR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 200MHz | 비 휘발성 | 32mbit | 숫양 | 4m x 8 | SPI -Octal I/O | - | ||||
| EM016LXQAB313CS1R | 19.9500 | | 4126 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 마운트 | 24-TBGA | MRAM (Magnetorestive RAM) | 1.65V ~ 2V | 24-TBGA (6x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 819-EM016LXQAB313CS1RTR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 200MHz | 비 휘발성 | 16mbit | 숫양 | 2m x 8 | SPI -Octal I/O | - | ||||
| EM008LXOAB320CS1R | 18.7500 | | 4820 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 마운트 | 24-TBGA | MRAM (Magnetorestive RAM) | 1.65V ~ 2V | 24-TBGA (6x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 819-EM008LXOAB320CS1RTR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 200MHz | 비 휘발성 | 8mbit | 숫양 | 1m x 8 | SPI -Octal I/O | - | ||||
| EM032LXQAB313CS1T | 29.4000 | | 3186 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 마운트 | 24-TBGA | MRAM (Magnetorestive RAM) | 1.65V ~ 2V | 24-TBGA (6x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 819-EM032LXQAB313CS1T | 귀 99 | 8542.32.0071 | 480 | 200MHz | 비 휘발성 | 32mbit | 숫양 | 4m x 8 | SPI -Octal I/O | - | ||||
 | MR25H256CDF | 8.9300 | | 3 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 쟁반 | 새로운 디자인이 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-vdfn 노출 패드 | MR25H256 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 2.7V ~ 3.6V | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-1038 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 40MHz | 비 휘발성 | 256kbit | 숫양 | 32k x 8 | SPI | - | ||
 | MR25H128AMDF | 8.4750 | | 7007 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-vdfn 노출 패드 | MR25H128 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 2.7V ~ 3.6V | 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-MR25H128AMDF | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 40MHz | 비 휘발성 | 128kbit | 숫양 | 16k x 8 | SPI | - | ||
 | mr3a16auys45r | 39.1200 | | 2537 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 54-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MR3A16 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP2 | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-mr3a16auys45rtr | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 휘발성 | 8mbit | 45 ns | 숫양 | 512k x 16 | 평행한 | 35ns | ||
| mr1a16acma35r | 15.9600 | | 7077 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 48-LFBGA | MR1A16 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (8x8) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-MR1A16ACMA35RTR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 휘발성 | 2mbit | 35 ns | 숫양 | 128k x 16 | 평행한 | 35ns | ||
| Mr5a16acys35r | 60.3421 | | 9523 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 54-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MR5A16 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP2 | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-mr5a16acys35rtr | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 휘발성 | 32mbit | 35 ns | 숫양 | 2m x 16 | 평행한 | 35ns | ||
| mr1a16ama35r | 15.1221 | | 9053 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 마운트 | 48-LFBGA | MR1A16 | MRAM (Magnetorestive RAM) | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (8x8) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 819-MR1A16AMA35RTR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 휘발성 | 2mbit | 35 ns | 숫양 | 128k x 16 | 평행한 | 35ns |
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