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MR2A08ACMA35R Everspin Technologies Inc. mr2a08acma35r 23.6740
RFQ
 ECAD 6138 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR0A16AMYS35 Everspin Technologies Inc. mr0a16amys35 17.2924
RFQ
 ECAD 7524 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
EM016LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320CS1T 18.6200
RFQ
 ECAD 4085 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXOAB320CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR256A08BMA35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BMA35 7.3129
RFQ
 ECAD 9328 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1032 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR1A16AMYS35 Everspin Technologies Inc. mr1a16amys35 22.4606
RFQ
 ECAD 2309 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AMYS35 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR4A16BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A16BCYS35 46.7700
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1017 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR256DL08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR256DL08BMA45 7.3191
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256DL08 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1062 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 256kbit 45 ns 숫양 32k x 8 평행한 45ns
MR5A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR5A16AMA35 63.9000
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16AMA35 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
MR5A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR5A16AMA35R 64.0950
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16AMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
EMD3D256M08G1-150CBS1R Everspin Technologies Inc. EMD3D256M08G1-150CBS1R 54.6364
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MRAM (자기 램) 1.425V ~ 1.575V 78-BGA (10x13) - Rohs3 준수 819-EMD3D256M08G1-150CBS1RTR 2,000 667 MHz 비 비 256mbit 14 ns 숫양 32m x 8 평행한 -
EM008LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13CS1T 16.3999
RFQ
 ECAD 7382 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQADG13CS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM032LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13CS1T 29.4000
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQADG13CS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR0A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a16avys35r 15.5400
RFQ
 ECAD 1896 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR10Q010CSCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010CSCR 7.1939
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010cscrtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR2A16AVYS35 Everspin Technologies Inc. mr2a16avys35 36.9500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR25H40CDF Everspin Technologies Inc. MR25H40CDF 21.0200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1040 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
EM008LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13IS1T 19.0500
RFQ
 ECAD 3932 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQADG13IS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR3A16AUYS45 Everspin Technologies Inc. mr3a16auys45 38.6700
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16auys45 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 8mbit 45 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
EM004LXQBDH13CS1T Everspin Technologies Inc. EM004LXQBDH13CS1T 15.2500
RFQ
 ECAD 1233 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM004LXQBDH13CS1T 570 200MHz 비 비 4mbit 7 ns 숫양 512k x 8 spi-쿼드 i/o -
EM016LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13IS1R 18.8860
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQADG13IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR0A08BMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BMA35 13.0680
RFQ
 ECAD 6185 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1030 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
EM064LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320CS1T 44.1750
RFQ
 ECAD 4138 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXOAB320CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR5A16AYS35R Everspin Technologies Inc. mr5a16ays35r 64.0950
RFQ
 ECAD 5139 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr5a16ays35rtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
MR0A16AVYS35 Everspin Technologies Inc. mr0a16avys35 14.3608
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR256A08BSO35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BSO35R -
RFQ
 ECAD 4555 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR10Q010CMB Everspin Technologies Inc. MR10Q010CMB 7.6050
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010cmb 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR1A16AVMA35R Everspin Technologies Inc. mr1a16avma35r 20.2350
RFQ
 ECAD 9490 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AVMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR256A08BCYS35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BCYS35R 7.6211
RFQ
 ECAD 6733 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR3A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. Mr3a16acys35r 31.3650
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16acys35rtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR25H40CDC Everspin Technologies Inc. MR25H40CDC 22.9800
RFQ
 ECAD 2112 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 큰 깃발 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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