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MR256DL08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR256DL08BMA45 7.3191
RFQ
ECAD 8414 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256DL08 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1062 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 256kbit 45 ns 숫양 32k x 8 평행한 45ns
EM016LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13IS1R 18.8860
RFQ
ECAD 2719 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQADG13IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR2A16AMA35R Everspin Technologies Inc. mr2a16ama35r 24.5550
RFQ
ECAD 5908 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
EM016LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13IS1T 19.5696
RFQ
ECAD 4890 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQADG13IS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H128AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128AMDFR 8.8200
RFQ
ECAD 2186 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H128 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H128AMDFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 128kbit 숫양 16k x 8 SPI -
MR4A16BMA35 Everspin Technologies Inc. MR4A16BMA35 42.7400
RFQ
ECAD 960 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
EM016LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1T 26.3900
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQAB313CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR10Q010MBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010MBR 7.0944
RFQ
ECAD 8048 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010mbrtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR4A16BYS35R Everspin Technologies Inc. mr4a16bys35r 34.8000
RFQ
ECAD 8072 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR3A16AUYS45 Everspin Technologies Inc. mr3a16auys45 38.6700
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16auys45 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 8mbit 45 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR0A16AMYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a16amys35r 18.6450
RFQ
ECAD 6395 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR3A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. Mr3a16acys35 39.7500
RFQ
ECAD 2040 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16acys35 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
EM008LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13IS1R 19.0500
RFQ
ECAD 5008 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQADG13IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM016LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313IS1T 18.8860
RFQ
ECAD 7365 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQAB313IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR256A08BMA35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BMA35 7.3129
RFQ
ECAD 9328 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1032 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
EM064LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313IS1T 44.9250
RFQ
ECAD 3357 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQAB313IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H10MDFR Everspin Technologies Inc. mr25h10mdfr 9.9150
RFQ
ECAD 9546 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H10 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 1mbit 숫양 128k x 8 SPI -
MR0A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. mr0a16acys35 17.3800
RFQ
ECAD 5583 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR0A16AMYS35 Everspin Technologies Inc. mr0a16amys35 17.2924
RFQ
ECAD 7524 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR10Q010SC Everspin Technologies Inc. MR10Q010SC 6.7595
RFQ
ECAD 1005 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR10Q010SC 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR2A08AMA35 Everspin Technologies Inc. mr2a08ama35 24.0600
RFQ
ECAD 1906 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1029 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR25H256MDF Everspin Technologies Inc. MR25H256MDF 11.6100
RFQ
ECAD 4219 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1041 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR25H128APDF Everspin Technologies Inc. MR25H128APDF 7.0792
RFQ
ECAD 8788 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 MR25H128 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570
EM008LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13CS1T 16.3999
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQADG13CS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H256MDC Everspin Technologies Inc. MR25H256MDC 15.0800
RFQ
ECAD 8182 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-tdfn n 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
EM016LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320CS1T 18.6200
RFQ
ECAD 4085 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXOAB320CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR2A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. Mr2A16ACMA35 31.7700
RFQ
ECAD 7621 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1020 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR1A16AYS35 Everspin Technologies Inc. mr1a16ays35 22.4000
RFQ
ECAD 265 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
EM008LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313CS1R 15.8270
RFQ
ECAD 1066 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQAB313CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR1A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. mr1a16acma35 23.3400
RFQ
ECAD 1738 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16ACMA35 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 SPI 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고