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GS81280Z36GT-333I GSI Technology Inc. GS81280Z36GT-333I 277.5900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS81280Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81280Z36GT-333I 귀 99 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8342T18BGD-300I GSI Technology Inc. GS8342T18BGD-300I 45.6607
RFQ
ECAD 9077 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342T18BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 15 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS81314LQ36GK-133I GSI Technology Inc. GS81314LQ36GK-133I 619.5000
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81314LQ36 sram-쿼드-, 동기 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81314LQ36GK-133I 3A991B2B 8542.32.0041 10 1.333 GHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82582Q36GE-333I GSI Technology Inc. GS82582Q36GE-333I 423.0000
RFQ
ECAD 1179 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582Q36 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582Q36GE-333I 3A991B2B 8542.32.0041 10 333 MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8642Z36GB-250I GSI Technology Inc. GS8642Z36GB-250i 108.1679
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS8642Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8642Z36GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 14 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8673EQ18BGK-675I GSI Technology Inc. GS8673EQ18BGK-675I 328.1075
RFQ
ECAD 3679 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS8673EQ sram-쿼드-, 동기 1.3V ~ 1.4V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8673EQ18BGK-675I 3A991B2B 8542.32.0041 8 675 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS82582T37GE-450I GSI Technology Inc. GS82582T37GE-450I 465.0000
RFQ
ECAD 6597 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582T37 sram-쿼드-, 동기, ddr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582T37GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8256436GD-200IV GSI Technology Inc. GS8256436GD-200IV 448.5000
RFQ
ECAD 6526 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8256436 sram-동기, 표준 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8256436GD-200IV 3A991B2B 8542.32.0041 10 200MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS81282Z36GB-250I GSI Technology Inc. GS81282Z36GB-250I 212.4680
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS81282Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81282Z36GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8342T36BGD-400I GSI Technology Inc. GS8342T36BGD-400I 70.7400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342T36BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고