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GS8640Z36GT-250I GSI Technology Inc. GS8640Z36GT-250I 105.7100
RFQ
ECAD 2427 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS8640Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8640Z36GT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS81302T36GE-350I GSI Technology Inc. GS81302T36GE-350I 220.9200
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302T36 sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302T36GE-350I 3A991B2B 8542.32.0041 10 350MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82583ED18GK-625I GSI Technology Inc. GS82583ED18GK-625I 697.5000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS82583ed18 sram-쿼드-, 동기 1.25V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 10 675 MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS832236AGB-333I GSI Technology Inc. GS832236AGB-333I 67.4000
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS832236 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832236AGB-333I 3A991B2B 8542.32.0041 14 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS81282Z36GB-200IV GSI Technology Inc. GS81282Z36GB-200iv 212.4680
RFQ
ECAD 3352 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS81282Z36 sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81282Z36GB-200IV 3A991B2B 8542.32.0041 10 200MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8321Z36AGD-250I GSI Technology Inc. GS8321Z36AGD-250I 46.9467
RFQ
ECAD 3716 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8321Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8321Z36AGD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS82582TT19GE-450I GSI Technology Inc. GS82582TT19GE-450I 465.0000
RFQ
ECAD 2804 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582TT19 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582TT19GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS816036DGT-333I GSI Technology Inc. GS816036DGT-333I 38.9400
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS816036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS816036DGT-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS8662Q36BGD-357I GSI Technology Inc. GS8662Q36BGD-357I 194.5700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662Q sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662Q36BGD-357I 3A991B2B 8542.32.0041 15 357 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8342D18BGD-400I GSI Technology Inc. GS8342D18BGD-400I 69.8600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342D sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342D18BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS8640Z18GT-300I GSI Technology Inc. GS8640Z18GT-300I 190.6200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS8640Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8640Z18GT-300I 귀 99 8542.32.0041 18 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS8128436GB-250I GSI Technology Inc. GS8128436GB-250I 269.6500
RFQ
ECAD 63 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS8128436 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8128436GB-250I 3A991B2A 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8662R36BGD-400I GSI Technology Inc. GS8662R36BGD-400I 169.5227
RFQ
ECAD 2013 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662R sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662R36BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS882Z36CGD-333I GSI Technology Inc. GS882Z36CGD-333I 41.0300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS882Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS882Z36CGD-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 -
GS82582D20GE-550I GSI Technology Inc. GS82582D20GE-550I 492.0000
RFQ
ECAD 82 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582D20 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582D20GE-550I 3A991B2B 8542.32.0041 10 550MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS880Z36CGT-333I GSI Technology Inc. GS880Z36CGT-333I 36.5900
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS880Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS880Z36CGT-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 -
GS8662D18BGD-400I GSI Technology Inc. GS8662D18BGD-400I 194.5700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662D sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662D18BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS88018CGT-333I GSI Technology Inc. GS88018CGT-333I 36.5900
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS88018 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS88018CGT-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 512k x 18 평행한 -
GS832236AGD-333I GSI Technology Inc. GS832236AGD-333I 74.8700
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS832236 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832236AGD-333I 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS81313LQ36GK-800I GSI Technology Inc. GS81313LQ36GK-800I 511.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81313LQ36 sram-쿼드-, 동기, qdr iiie 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81313LQ36GK-800I 3A991B2B 8542.32.0041 10 800MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8128036GT-333I GSI Technology Inc. GS8128036GT-333I 277.5900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8128036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8128036GT-333I 귀 99 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS81313LD18GK-714I GSI Technology Inc. GS81313LD18GK-714I 453.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81313LD18 sram-쿼드-, 동기, qdr iiie 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81313LD18GK-714I 3A991B2B 8542.32.0041 10 714 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS8662T36BGD-400I GSI Technology Inc. GS8662T36BGD-400I 194.5700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662T36BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS832036AGT-333IV GSI Technology Inc. GS832036AGT-333IV 94.4400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS832036 sram-동기, 표준 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832036AGT-333IV 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS81302D37AGD-450I GSI Technology Inc. GS81302D37AGD-450I 279.5000
RFQ
ECAD 39 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302D37 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302D37AGD-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82582D38GE-550I GSI Technology Inc. GS82582D38GE-550I 492.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582D38 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582D38GE-550I 3A991B2B 8542.32.0041 10 550MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS81280Z18GT-333I GSI Technology Inc. GS81280Z18GT-333I 277.5900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS81280Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81280Z18GT-333I 귀 99 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS8662D36BGD-400I GSI Technology Inc. GS8662D36BGD-400I 194.5700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662D sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662D36BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8128018GT-333I GSI Technology Inc. GS8128018GT-333I 277.5900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8128018 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8128018GT-333I 귀 99 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS82583EQ18GK-500I GSI Technology Inc. GS82583EQ18GK-500I 753.0000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS82583EQ18 sram-쿼드-, 동기 1.25V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82583EQ18GK-500I 3A991B2B 8542.32.0041 10 500MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고