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메모리 (250)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GS81314LD37GK-933I | 622.5000 |  | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 260-BGA | GS81314LD37 | sram-쿼드--, 동기, qdr ive | 1.25V ~ 1.35V | 260-BGA (22x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81314LD37GK-933I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
 | GS816118DGD-333I | 38.9500 | | 36 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS816118 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (13x15) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS816118DGD-333I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 평행한 | - | |
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| GS81313LD36GK-625I | 424.5000 | | 6933 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 260-BGA | GS81313LD36 | sram-쿼드-, 동기 | 1.2V ~ 1.35V | 260-BGA (22x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81313LD36GK-625I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 625 MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
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| GS82582DT38GE-500I | 448.5000 | | 7343 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582DT38 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582DT38GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 8m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8182D37BGD-400I | 38.2644 | | 9537 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8182D37 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8182D37BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |
| GS8342DT20BGD-500I | 67.2980 | | 8421 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8342D | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8342DT20BGD-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 500MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8182R36BGD-300I | 27.9022 | | 5039 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8182R36 | SRAM-동기, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8182R36BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |
| GS88036CGT-333I | 36.5900 | | 36 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS88036 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS88036CGT-333I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |
| GS8673EQ36BGK-675I | 328.1075 | | 5061 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 260-BGA | GS8673EQ | sram-쿼드-, 동기 | 1.3V ~ 1.4V | 260-BGA (22x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8673EQ36BGK-675I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 8 | 675 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | |
| GS864036GT-250I | 105.7100 | | 6688 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS864036 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS864036GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8662Q18BGD-333I | 146.0353 | | 6718 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8662Q | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8662Q18BGD-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |
| GS81282Z18GD-250I | 212.4680 | | 8306 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81282Z18 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (15x13) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81282Z18GD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 8m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8128018GT-250I | 212.4687 | | 3166 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS8128018 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8128018GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 8m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8256418GB-400I | 538.5000 | | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 119-bga | GS8256418 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 119-FPBGA (22x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8256418GB-400I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 10 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8342Q18BGD-357I | 70.7400 | | 18 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8342Q | sram-쿼드-, 동기, Qdr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8342Q18BGD-357I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 357 MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8182T36BGD-300I | 27.9022 | | 7673 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8182T36 | SRAM-동기, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8182T36BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |
| GS8342Q36BGD-357I | 70.7400 | | 18 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8342Q | sram-쿼드-, 동기, Qdr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8342Q36BGD-357I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 357 MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - | |
| GS81302QT19GE-300I | 220.9200 | | 7161 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81302QT19 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81302QT19GE-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 8m x 18 | 평행한 | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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