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GS8662T36BGD-350I GSI Technology Inc. GS8662T36BGD-350I 146.0353
RFQ
ECAD 7186 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662T36BGD-350I 3A991B2B 8542.32.0041 15 350MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS832136AGB-333I GSI Technology Inc. GS832136AGB-333I 48.4223
RFQ
ECAD 8853 0.00000000 GSI Technology Inc. * 쟁반 활동적인 GS832136 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832136AGB-333I 3A991B2B 8542.32.0041 84
GS81302D18GE-350I GSI Technology Inc. GS81302D18GE-350I 220.9200
RFQ
ECAD 4120 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302D18 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302D18GE-350I 3A991B2B 8542.32.0041 10 350MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS864036GT-167IV GSI Technology Inc. GS864036GT-167IV 142.3006
RFQ
ECAD 9664 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS864036 sram-동기, 표준 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS864036GT-167IV 3A991B2B 8542.32.0041 18 167 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8182D36BGD-300I GSI Technology Inc. GS8182D36BGD-300I 27.9022
RFQ
ECAD 6878 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182D36 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182D36BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 18 300MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS8642Z72GC-250I GSI Technology Inc. GS8642Z72GC-250I 118.8214
RFQ
ECAD 1022 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 209-lbga GS8642Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 209-BGA (14x22) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8642Z72GC-250I 3A991B2B 8542.32.0041 14 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 1m x 72 평행한 -
GS8320Z36AGT-333I GSI Technology Inc. GS8320Z36AGT-333I 72.1400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8320Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8320Z36AGT-333I 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS81313LQ18GK-800I GSI Technology Inc. GS81313LQ18GK-800I 511.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81313LQ18 sram-쿼드-, 동기, qdr iiie 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81313LQ18GK-800I 3A991B2B 8542.32.0041 10 800MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS832136AGD-333I GSI Technology Inc. GS832136AGD-333I 67.4000
RFQ
ECAD 2424 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS832136 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832136AGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS81284Z36GB-250I GSI Technology Inc. GS81284Z36GB-250I 269.6500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS81284Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81284Z36GB-250I 귀 99 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS832036AGT-250I GSI Technology Inc. GS832036AGT-250I 44.5883
RFQ
ECAD 7982 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS832036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832036AGT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8342TT37BGD-450I GSI Technology Inc. GS8342TT37BGD-450I 76.4140
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342TT sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342TT37BGD-450I 3A991B2B 8542.32.0041 15 450MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8182Q36BGD-333I GSI Technology Inc. GS8182Q36BGD-333I 35.0700
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182Q36 sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182Q36BGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS81313LT36GK-625I GSI Technology Inc. GS81313LT36GK-625I 424.5000
RFQ
ECAD 3706 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81313LT36 sram-쿼드-, 동기 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81313LT36GK-625I 3A991B2B 8542.32.0041 10 625 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82582D19GE-450I GSI Technology Inc. GS82582D19GE-450I 465.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582D19 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582D19GE-450I 귀 99 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS82582TT38GE-500I GSI Technology Inc. GS82582TT38GE-500I 448.5000
RFQ
ECAD 9968 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582TT38 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582TT38GE-500I 3A991B2B 8542.32.0041 10 500MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8182D19BGD-400I GSI Technology Inc. GS8182D19BGD-400I 38.2644
RFQ
ECAD 8910 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182D19 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182D19BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 18 400MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS82564Z18GD-400I GSI Technology Inc. GS82564Z18GD-400I 538.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82564Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82564Z18GD-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS82582D18GE-375I GSI Technology Inc. GS82582D18GE-375I 423.0000
RFQ
ECAD 9375 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582D18 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582D18GE-375I 3A991B2B 8542.32.0041 10 375 MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS8128036GT-250I GSI Technology Inc. GS8128036GT-250I 212.4687
RFQ
ECAD 2354 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8128036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8128036GT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 15 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS81302D38AGD-633I GSI Technology Inc. GS81302D38AGD-633I 301.4400
RFQ
ECAD 107 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302D38 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302D38AGD-633I 3A991B2B 8542.32.0041 10 633 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8182D18BGD-300I GSI Technology Inc. GS8182D18BGD-300I 27.9022
RFQ
ECAD 7711 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182D18 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182D18BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 18 300MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS82583ET36GK-675I GSI Technology Inc. GS82583ET36GK-675I 753.0000
RFQ
ECAD 2167 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS82583ET36 sram- 동기 1.25V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82583ET36GK-675I 귀 99 8542.32.0041 10 675 MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS81313LD36GK-714I GSI Technology Inc. GS81313LD36GK-714I 453.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81313LD36 sram-쿼드-, 동기, qdr iiie 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81313LD36GK-714I 3A991B2B 8542.32.0041 10 714 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS832118AGD-333I GSI Technology Inc. GS832118AGD-333I 74.8700
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS832118 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832118AGD-333I 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS8322Z36AGD-333I GSI Technology Inc. GS8322Z36AGD-333I 74.8700
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8322Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832Z36AGD-333I 귀 99 8542.32.0041 14 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS82582Q37GE-400I GSI Technology Inc. GS82582Q37GE-400I 465.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582Q37 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582Q37GE-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS81302DT38AGD-633I GSI Technology Inc. GS81302DT38AGD-633I 301.4400
RFQ
ECAD 105 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302DT38 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 10 633 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82564Z18GB-400I GSI Technology Inc. GS82564Z18GB-400I 538.5000
RFQ
ECAD 3649 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS82564Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82564Z18GB-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS832036AGT-333I GSI Technology Inc. GS832036AGT-333I 72.1400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS832036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832036AGT-333I 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고