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메모리 (250)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GS81313LT36GK-625I | 424.5000 |  | 3706 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 260-BGA | GS81313LT36 | sram-쿼드-, 동기 | 1.2V ~ 1.35V | 260-BGA (22x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81313LT36GK-625I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 625 MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
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 | GS8642Z72GC-250I | 118.8214 | | 1022 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 209-lbga | GS8642Z | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 209-BGA (14x22) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8642Z72GC-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 14 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 1m x 72 | 평행한 | - | |
| GS8662R18BGD-350I | 146.0353 | | 9117 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8662R | sram-쿼드-, 동기, ddr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8662R18BGD-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 350MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8320Z36AGT-333IV | 94.4400 | | 21 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS8320Z | sram-동기, zbt | 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V | 100-TQFP (20x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8320Z36AGT-333IV | 귀 99 | 8542.32.0041 | 18 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - | |
| GS82582Q19GE-400I | 465.0000 | | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582Q19 | sram-쿼드-, 동기, qdr II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582Q19GE-400I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 10 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
 | GS4576C18GM-18I | 87.1400 | | 18 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-LFBGA | GS4576C18 | lldram2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS4576C18GM-18I | 귀 99 | 8542.32.0032 | 126 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 음주 | 32m x 18 | HSTL | - | ||
| GS4576C36GM-18I | 87.1400 | | 18 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-LFBGA | GS4576C36 | lldram2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS4576C36GM-18I | 귀 99 | 8542.32.0032 | 126 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 음주 | 16m x 36 | HSTL | - | ||
 | GS881Z36CGD-333I | 41.0300 | | 36 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS881Z | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (13x15) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS881Z36CGD-333I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |
| GS82582D19GE-450I | 465.0000 | | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582D19 | sram-쿼드-, 동기, qdr II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582D19GE-450I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 10 | 450MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
| GS81302D38AGD-633I | 301.4400 | | 107 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81302D38 | sram-쿼드-, 동기, qdr II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81302D38AGD-633I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 633 MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
| GS832136AGB-333I | 48.4223 | | 8853 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | * | 쟁반 | 활동적인 | GS832136 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS832136AGB-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 84 | ||||||||||||||
| GS864018GT-300I | 190.6200 | | 72 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS864018 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS864018GT-300I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 18 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |
| GS82582Q20GE-500I | 465.0000 | | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582Q20 | sram-쿼드-, 동기, qdr II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582Q20GE-500I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 10 | 500MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8320Z36AGT-333I | 72.1400 | | 18 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS8320Z | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8320Z36AGT-333I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 18 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8182Q36BGD-333I | 35.0700 | | 36 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8182Q36 | sram-쿼드-, 동기, Qdr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8182Q36BGD-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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