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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GS8640Z18GT-300I | 190.6200 |  | 15 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS8640Z | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8640Z18GT-300I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 18 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |
 | GS81313LQ36GK-800I | 511.5000 | | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 260-BGA | GS81313LQ36 | sram-쿼드-, 동기, qdr iiie | 1.2V ~ 1.35V | 260-BGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81313LQ36GK-800I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
 | GS881Z36CGD-300I | 27.8919 | | 3328 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS881Z | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS881Z36CGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |
| GS8256418GD-250I | 448.5000 | | 9070 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8256418 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8256418GD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
 | GS8662T36BGD-400I | 194.5700 | | 15 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8662T | sram-쿼드-, 동기, ddr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8662T36BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | |
| GS816136DGD-333I | 38.9500 | | 36 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS816136 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS816136DGD-333I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |
| GS81302D37AGD-450I | 279.5000 | | 39 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81302D37 | sram-쿼드-, 동기, qdr II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81302D37AGD-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8128236GD-333I | 277.5900 | | 10 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8128236 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8128236GD-333I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 10 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8662T18BGD-400I | 194.5700 | | 15 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8662T | sram-쿼드-, 동기, ddr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8662T18BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8162Z36DGD-250I | 22.3772 | | 3516 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8162Z36 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8162Z36DGD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |
| GS8662Q36BGD-333I | 146.0353 | | 1753 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8662Q | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8662Q36BGD-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | |
| GS840Z18CGT-250I | 10.4100 | | 144 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS840Z | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS840Z18CGT-250I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 72 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 4mbit | SRAM | 256k x 18 | 평행한 | - | |
| GS81282Z18GD-333I | 277.5900 | | 10 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81282Z18 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81282Z18GD-333I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 10 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 8m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8662R36BGD-400I | 169.5227 | | 2013 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8662R | sram-쿼드-, 동기, ddr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8662R36BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | |
 | GS82582TT37GE-450I | 465.0000 | | 7455 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582TT37 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582TT37GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 8m x 36 | 평행한 | - | |
| GS81302T36GE-350I | 220.9200 | | 3137 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81302T36 | sram-쿼드-, 동기, ddr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81302T36GE-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 350MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
 | GS82564Z36GB-250I | 448.5000 | | 7988 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 119-bga | GS82564Z36 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82564Z36GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 8m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8128436GB-250I | 269.6500 | | 63 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 119-bga | GS8128436 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8128436GB-250I | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8160Z36DGT-250IV | 42.2306 | | 1750 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS8160Z36 | sram-동기, zbt | 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V | 100-TQFP (20x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8160Z36DGT-250IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |
| GS8342D18BGD-300I | 45.6607 | | 8285 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8342D | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8342D18BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8256418GB-250I | 448.5000 | | 3706 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 119-bga | GS8256418 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8256418GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
| GS82583EQ18GK-500I | 753.0000 | | 10 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 260-BGA | GS82583EQ18 | sram-쿼드-, 동기 | 1.25V ~ 1.35V | 260-BGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82583EQ18GK-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
| GS81282Z36GD-250I | 212.4680 | | 5789 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81282Z36 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81282Z36GD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
| GS82582D20GE-550I | 492.0000 | | 82 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582D20 | sram-쿼드-, 동기, qdr II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582D20GE-550I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 550MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
| GS880Z36CGT-333I | 36.5900 | | 36 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS880Z | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS880Z36CGT-333I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |
| GS8673ET36BGK-675I | 328.1075 | | 6762 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 260-BGA | GS8673ET | sram-쿼드-, 동기 | 1.3V ~ 1.4V | 260-BGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS86736BGK-675I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 8 | 675 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8640Z18GT-167IV | 142.3006 | | 1518 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS8640Z | sram-동기, zbt | 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V | 100-TQFP (20x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8640Z18GT-167IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |
| GS832236AGB-333I | 67.4000 | | 5342 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 119-bga | GS832236 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS832236AGB-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 14 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8662Q36BGD-357I | 194.5700 | | 15 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8662Q | sram-쿼드-, 동기, Qdr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8662Q36BGD-357I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 357 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8342T36BGD-300I | 45.6607 | | 4940 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8342T | sram-쿼드-, 동기, ddr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8342T36BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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