- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
메모리 (250)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GS81282Z18GD-333I | 277.5900 |  | 10 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81282Z18 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81282Z18GD-333I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 10 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 8m x 18 | 평행한 | - | |
 | GS82582DT20GE-500I | 448.5000 | | 6369 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582DT20 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582DT20GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
 | GS8342D18BGD-300I | 45.6607 | | 8285 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8342D | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8342D18BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 평행한 | - | |
| GS816236DGD-250I | 22.3772 | | 6028 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS816236 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS816236DGD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |
| GS82582TT20GE-500I | 448.5000 | | 3831 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582TT20 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582TTTTTT2GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
| GS82582TT37GE-450I | 465.0000 | | 7455 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582TT37 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582TT37GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 8m x 36 | 평행한 | - | |
| GS81302D36GE-350I | 220.9200 | | 5988 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81302D36 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81302D36GE-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 350MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8162Z36DGD-250I | 22.3772 | | 3516 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8162Z36 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8162Z36DGD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |
 | GS81314LQ37GK-933I | 622.5000 | | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 260-BGA | GS81314LQ37 | sram-쿼드--, 동기, qdr ive | 1.25V ~ 1.35V | 260-BGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81314LQ37GK-933I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
 | GS81280Z18GT-250I | 212.4687 | | 7413 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS81280Z18 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81280Z18GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 8m x 18 | 평행한 | - | |
 | GS82564Z36GB-250I | 448.5000 | | 7988 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 119-bga | GS82564Z36 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82564Z36GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 8m x 36 | 평행한 | - | |
| GS81280Z36GT-250I | 212.4687 | | 6714 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS81280Z36 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81280Z36GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
| GS81302D20AGD-633I | 301.4400 | | 107 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81302D20 | sram-쿼드-, 동기, qdr II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81302D20AGD-633I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 633 MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 8m x 18 | 평행한 | - | |
| GS82582D36GE-375I | 423.0000 | | 4379 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582D36 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582D36GE-375I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 375 MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 8m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8182T18BGD-300I | 27.9022 | | 4609 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8182T18 | SRAM-동기, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8182T18BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 평행한 | - | |
| GS82564Z36GB-400I | 538.5000 | | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 119-bga | GS82564Z36 | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82564Z36GB-400I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 10 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 8m x 36 | 평행한 | - | |
| GS864236GB-300I | 193.7800 | | 84 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 119-bga | GS864236 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS864236GB-300I | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 14 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | |
| GS81302Q36GE-300I | 243.5230 | | 7691 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81302Q36 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81302Q36GE-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 4m x 36 | 평행한 | - | |
| GS8256418GD-250I | 448.5000 | | 9070 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8256418 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8256418GD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
| GS82582QT37GE-400I | 465.0000 | | 9854 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS82582QT37 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS82582QT37GE-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 8m x 36 | 평행한 | - | |
| GS81302TT20GE-500I | 243.5230 | | 9893 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS81302TT20 | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS81302TT20GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500MHz | 휘발성 휘발성 | 144mbit | SRAM | 8m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8640Z18GT-167IV | 142.3006 | | 1518 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS8640Z | sram-동기, zbt | 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V | 100-TQFP (20x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8640Z18GT-167IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8662TT20BGD-500I | 129.1320 | | 3213 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8662TT | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8662TT20BGD-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 500MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |
| GS881Z36CGD-300I | 27.8919 | | 3328 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS881Z | sram-동기, zbt | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS881Z36CGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |
| GS8342T36BGD-300I | 45.6607 | | 4940 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8342T | sram-쿼드-, 동기, ddr II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8342T36BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - | |
| GS816136DGD-333I | 38.9500 | | 36 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | GS816136 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 165-FPBGA (13x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS816136DGD-333I | 귀 99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |
| GS8673ED18BGK-675I | 328.1075 | | 5543 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 260-BGA | gs8673ed | sram-쿼드-, 동기 | 1.3V ~ 1.4V | 260-BGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8673ED18BGK-675I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 8 | 675 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8662QT19BGD-333I | 122.9187 | | 1247 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 165-lbga | GS8662Q | sram-쿼드-, 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8662QT19BGD-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |
| GS8256418GB-250I | 448.5000 | | 3706 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | 표면 표면 | 119-bga | GS8256418 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS8256418GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | SRAM | 16m x 18 | 평행한 | - | |
| GS864018GT-250I | 105.7100 | | 9391 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | GS864018 | sram-동기, 표준 | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2364-GS864018GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)