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메모리 (847)
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 | GD25LQ32DNIGR | 1.2300 | | 7 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-udfn n 패드 | GD25LQ32 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 2V | 8- 호스 (4x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 2.4ms | |||
| gd25q256eyjgr | 2.7672 | | 6615 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | 플래시 - 아니오 (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | 다운로드 | 1970-gd25q256eyjgrtr | 3,000 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | ||||||||
| GD25LR256EFIRR | 2.8974 | | 4907 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25LR | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD25LR256EFIRRTR | 1,000 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 9 ns | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 70µs, 1.2ms | |||||||
| gd5f4gq4rcyigr | - | | 8974 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | GD5F4GQ4 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 2V | 8-wson (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120MHz | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | spi-쿼드 i/o | ||||
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