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GD25WD20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd20eeig 0.2865
RFQ
ECAD 4817 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-gd25wd20eeigrtrtrtrtrtrtrtrtrtrtrtrtrtrtr 3,000 104 MHz 비 비 2mbit 6 ns 플래시 256k x 8 spi-듀얼 i/o 100µs, 6ms
GD25LB512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEFIRR 4.5486
RFQ
ECAD 3154 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP 다운로드 1970-GD25LB512mefirrtr 1,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD25LB512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEF2RR 7.0523
RFQ
ECAD 3698 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP - 1970-GD25LB512MEF2RRTR 1,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD25LR128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR128ESIG 1.6523
RFQ
ECAD 7709 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LR 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP - 1970-GD25LR128ESIGRTR 2,000 200MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25LQ32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ENEGR 0.9545
RFQ
ECAD 9190 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8- 호스 (3x4) 다운로드 1970-GD25LQ32ENEGRTR 3,000 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 100µs, 4ms
GD55T01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEB2RY 16.8378
RFQ
ECAD 8172 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55T 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55T01GEB2RY 4,800 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o, dtr -
GD25UF64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF64EQIGR 1.0390
RFQ
ECAD 6007 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25UF 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xdfn d 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.14V ~ 1.26V 8-uson (4x4) - 1970-GD25UF64EQIGRTR 3,000 120MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, dtr -
GD55WR512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55WR512MEYIGY 4.8228
RFQ
ECAD 7672 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55WR 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-GD55WR512MEYIGY 4,800 104 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25Q32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ENEGR 0.8705
RFQ
ECAD 6144 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (3x4) 다운로드 1970-GD25Q32ENEGRTR 3,000 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 140µs, 4ms
GD5F1GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gm7uewigy 2.0685
RFQ
ECAD 9754 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) 다운로드 1970-gd5f1gm7uewigy 5,700 133 MHz 비 비 1gbit 7 ns 플래시 256m x 4 spi-쿼드 i/o, dtr 600µs
GD25LQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EWIG 2.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD25LQ128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 128mbit 7 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 60µs, 2.4ms
GD5F2GQ5UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYYYYY 3.9235
RFQ
ECAD 6089 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-GD5F2GQ5UEYYYIGY 4,800 104 MHz 비 비 2gbit 9 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 600µs
GD25F128FB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FB2RY 2.2364
RFQ
ECAD 9481 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25F128FB2RY 4,800 200MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD5F2GQ5UEYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq5ueyihy 3.9235
RFQ
ECAD 4314 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-gd5f2gq5ueyihy 4,800 104 MHz 비 비 2gbit 9 ns 플래시 512m x 4 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 600µs
GD25B256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EFIRR 2.4461
RFQ
ECAD 8258 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP 다운로드 1970-GD25B256EFIRRTR 1,000 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD5F4GQ6UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq6ueyyyyigy 6.6500
RFQ
ECAD 4052 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-gd5f4gq6ueyyyigy 4,800 104 MHz 비 비 4gbit 9 ns 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 600µs
GD25LT256EY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lt256ey2gy 4.7723
RFQ
ECAD 2063 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LT 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) - 1970-GD25LT256EY2GY 4,800 200MHz 비 비 256mbit 6 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 140µs, 2ms
GD55LE511MEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55le511mewigy 4.1663
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 활동적인 - 1970-GD55LE511MEWIGY 5,700
GD25LQ128DW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DW2GR 2.2408
RFQ
ECAD 8751 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) - 1970-GD25LQ128DW2GRTR 3,000 104 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 2.4ms
GD25LB512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIG 4.6509
RFQ
ECAD 1068 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-GD25LB512MEYIGRTR 3,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD55LX01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55lx01gefirr 18.7900
RFQ
ECAD 5406 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,000 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI -OCTAL I/O, DTR -
GD25WQ128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq128ewigy 1.3445
RFQ
ECAD 6874 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WQ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-wson (5x6) 다운로드 1970-GD25WQ128ewigy 5,700 104 MHz 비 비 128mbit 8 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 120µs, 4ms
GD25LD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40EKIG 0.3619
RFQ
ECAD 4375 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-uson (1.5x1.5) 다운로드 1970-GD25LD40EKIGRTR 3,000 50MHz 비 비 4mbit 12 ns 플래시 512k x 8 spi-듀얼 i/o 100µs, 6ms
GD25Q80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CTIGR 0.6100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25Q80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25Q40ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q40etjgr 0.3640
RFQ
ECAD 9044 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 1970-GD25Q40ETJGRTR 3,000 133 MHz 비 비 4mbit 7 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 140µs, 4ms
GD25LB512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIGY 4.5752
RFQ
ECAD 9443 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LB 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-GD25LB512Meyigy 4,800 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD25LQ32ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ETIGY 0.6080
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP 다운로드 1970-GD25LQ32ETIGY 4,320 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD25LB32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB32ESIG 0.6363
RFQ
ECAD 2319 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP 다운로드 1970-GD25LB32ESIGRTR 2,000 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD25LQ32EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq32ewigy 0.6760
RFQ
ECAD 2202 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) 다운로드 1970-GD25LQ32Wigy 5,700 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD25LR256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256EFIRR 2.8974
RFQ
ECAD 4907 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LR 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP - 1970-GD25LR256EFIRRTR 1,000 104 MHz 비 비 256mbit 9 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 70µs, 1.2ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고