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GD25VQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIG -
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25VQ16 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
GD5F4GQ4RBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGR -
RFQ
 ECAD 8884 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD5F4GQ4 플래시 - NAND 1.7V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o
GD5F1GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYYYYY -
RFQ
 ECAD 6722 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD5F1GQ4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIGR -
RFQ
 ECAD 8137 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25ve16 플래시 - 아니오 2.1V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25LQ32EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EQEGR 0.9828
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-xdfn d 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-uson (4x4) 다운로드 1970-GD25LQ32EQEGRTR 3,000 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 100µs, 4ms
GD25WD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIGR -
RFQ
 ECAD 9512 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25WD05 플래시 - 아니오 1.65V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 100MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 spi-쿼드 i/o -
GD9FS2G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fs2g8f2algi 4.7455
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD9F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-FBGA (9x11) 다운로드 1970-GD9FS2G8F2ALGI 2,100 비 비 2gbit 20 ns 플래시 256m x 8 onfi 25ns
GD5F4GM8UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gm8ueyyyigy 5.5550
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-gd5f4gm8ueyyyigy 4,800 133 MHz 비 비 4gbit 7 ns 플래시 1g x 4 spi-쿼드 i/o, dtr 600µs
GD5F1GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gq5ueyihr 2.3508
RFQ
 ECAD 9700 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-gd5f1gq5ueyihrtr 3,000 133 MHz 비 비 1gbit 7 ns 플래시 256m x 4 spi-쿼드 i/o, dtr 600µs
GD25D05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CTIGR 0.3100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25D05 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 100MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 spi-듀얼 i/o 50µs, 4ms
GD25LQ64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CQIGR -
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xdfn d 패드 GD25LQ64 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 8-uson (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 2.4ms
GD9FS4G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fs4g8f3algi 7.0554
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 활동적인 다운로드 1970-gd9fs4g8f3algi 2,100
GD25B256EFIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EFIGY 2.4461
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP 다운로드 1970-GD25B256EFIGY 1,760 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25Q16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTIGR 0.8200
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LQ255EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq255wigy 2.1965
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) 다운로드 1970-GD25LQ255 Weigy 5,700 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
GD25WQ128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq128eyig 1.4385
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-GD25WQ128EYIGRTR 3,000 104 MHz 비 비 128mbit 8 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 120µs, 4ms
GD25Q80ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EGIG 0.4242
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (3x4) 다운로드 1970-GD25Q80EGTRTR 3,000 133 MHz 비 비 8mbit 7 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2ms
GD25Q32CTJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTJG -
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 20,000 120MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25Q32CTJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q32ctjgr -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LD20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld20ekigr 0.3167
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-uson (1.5x1.5) 다운로드 1970-GD25LD20EKIGRTR 3,000 50MHz 비 비 2mbit 12 ns 플래시 256k x 8 spi-듀얼 i/o 100µs, 6ms
GD25LE32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32DLIGR -
RFQ
 ECAD 4768 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 21-XFBGA, WLSCP GD25LE32 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 21-WLCSP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 2.4ms
GD55LT512WEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT512WEFIRR 5.9249
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55LT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP - 1970-GD55LT512WEFIRRTR 1,000 166 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1.2ms
GD25Q80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q80ceigr 0.6800
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25Q80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25Q16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EGIG 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 GD25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2ms
GD5F1GQ5REYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gq5reyjgr 3.0154
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-gd5f1gq5reyjgrtr 3,000 104 MHz 비 비 1gbit 9.5 ns 플래시 256m x 4 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 600µs
GD25LQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CSIG 0.4195
RFQ
 ECAD 7089 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25LQ16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2.1V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CTIG 0.3686
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25LQ80 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2.1V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LQ80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CTIGR -
RFQ
 ECAD 6786 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25LQ80 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2.1V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LQ255EFJRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255EFJRR 2.8683
RFQ
 ECAD 7649 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP 다운로드 1970-GD25LQ255EFJRRTR 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
GD25LQ10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ10CTIGR -
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25LQ10 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2.1V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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