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GD25LD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld05ceigr 0.2725
RFQ
 ECAD 3135 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25LD05 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 50MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 spi-듀얼 i/o 55µs, 6ms
GD25WD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIGR -
RFQ
 ECAD 9512 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25WD05 플래시 - 아니오 1.65V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 100MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25Q16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTIGR 0.8200
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LE32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32DLIGR -
RFQ
 ECAD 4768 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 21-XFBGA, WLSCP GD25LE32 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 21-WLCSP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 2.4ms
GD5F4GM8REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gm8reyigr 5.9085
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-GD5F4GM8REYIGRTR 3,000 104 MHz 비 비 4gbit 9 ns 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o, dtr 600µs
GD55LX01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX01GEB2RY 20.5352
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55LX 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LX01GEB2RY 4,800 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI -OCTAL I/O, DTR -
GD25Q64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CQIGR -
RFQ
 ECAD 3614 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xdfn d 패드 GD25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-uson (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40EKIG 0.3619
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-uson (1.5x1.5) 다운로드 1970-GD25LD40EKIGRTR 3,000 50MHz 비 비 4mbit 12 ns 플래시 512k x 8 spi-듀얼 i/o 100µs, 6ms
GD25B32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ETIGR 0.9900
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3,000 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2.4ms
GD25LQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CTIG 0.4057
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25LQ16 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2.1V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LQ128DVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DVIGR -
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25LQ128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 8-VSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 2.4ms
GD25LQ64ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq64esag 1.4385
RFQ
 ECAD 9558 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP - 1970-GD25LQ64ESAGRTR 2,000 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 100µs, 4ms
GD25Q16CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJG -
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 9,500 120MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LQ256DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256Dyigr -
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD25LQ256 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 2.4ms
GD25LQ80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CTIGR -
RFQ
 ECAD 6786 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25LQ80 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2.1V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25VQ80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CSIG -
RFQ
 ECAD 7941 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25VQ80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
GD25VE16CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CEIG -
RFQ
 ECAD 6340 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25ve16 플래시 - 아니오 2.1V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25LD20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20CEIG 0.3205
RFQ
 ECAD 4961 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25LD20 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 50MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-듀얼 i/o 97µs, 6ms
GD55B01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEFIRR 13.0800
RFQ
 ECAD 6702 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,000 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD25Q32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ENEGR 0.8705
RFQ
 ECAD 6144 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (3x4) 다운로드 1970-GD25Q32ENEGRTR 3,000 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 140µs, 4ms
GD25Q32CTJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTJG -
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 20,000 120MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LB512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIG 4.6509
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-GD25LB512MEYIGRTR 3,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD55LT512WEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT512WEFIRR 5.9249
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55LT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP - 1970-GD55LT512WEFIRRTR 1,000 166 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1.2ms
GD25Q40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CSIG -
RFQ
 ECAD 4223 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25Q40 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD9AU8G8E3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9au8g8e3amgi 14.6400
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 gd9a 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 1970-gd9au8g8e3amgi 960 비 비 8gbit 18 ns 플래시 1g x 8 평행한 20ns
GD25LX512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512MEFIRR 6.7411
RFQ
 ECAD 5150 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP - 1970-GD25LX512mefirrtr 1,000 200MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI -OCTAL I/O, DTR -
GD25LQ16EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EEAGR 0.9688
RFQ
 ECAD 2887 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8- 호스 (3x2) - 1970-GD25LQ16EEAGRT 3,000 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 100µs, 4ms
GD25LQ32ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ETIGY 0.6080
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP 다운로드 1970-GD25LQ32ETIGY 4,320 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD25VQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CEIG -
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25VQ20 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
GD25LE64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ETIGR 0.8045
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP 다운로드 1970-gd25le64etigrtr 3,000 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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