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GD25LD20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld20eeig 0.2783
RFQ
ECAD 8063 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-GD25LD20EEIGRTRT 3,000 50MHz 비 비 2mbit 12 ns 플래시 256k x 8 spi-듀얼 i/o 100µs, 6ms
GD25R512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R512MEYIG 4.5955
RFQ
ECAD 8077 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25R 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-GD25R512MEYIGRTR 3,000 200MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, dtr -
GD25LD40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40EEIG 0.3318
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-GD25LD40EEIGRTRTRT 3,000 50MHz 비 비 4mbit 12 ns 플래시 512k x 8 spi-듀얼 i/o 100µs, 6ms
GD5F1GM7REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gm7rewigy 2.2630
RFQ
ECAD 3297 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 2V 8-wson (5x6) 다운로드 1970-gd5f1gm7rewigy 5,700 104 MHz 비 비 1gbit 9 ns 플래시 256m x 4 spi-쿼드 i/o, dtr 600µs
GD5F1GQ5UEYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gq5ueyihy 2.3296
RFQ
ECAD 5815 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-gd5f1gq5ueyihy 4,800 133 MHz 비 비 1gbit 7 ns 플래시 256m x 4 spi-쿼드 i/o, dtr 600µs
GD25LB512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEB2RY 7.3283
RFQ
ECAD 5552 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LB 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LB512MEB2RY 4,800 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD5F2GQ5UEZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq5uezigy 4.1230
RFQ
ECAD 4631 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 1970-gd5f2gq5uezigy 4,800 104 MHz 비 비 2gbit 9 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 600µs
GD9FS4G8F2ALGJ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fs4g8f2algj 8.2869
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 활동적인 다운로드 1970-gd9fs4g8f2algj 2,100
GD5F4GM8UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEYIG 5.9488
RFQ
ECAD 1163 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-GD5F4GM8UEYIGRTR 3,000 133 MHz 비 비 4gbit 7 ns 플래시 1g x 4 spi-쿼드 i/o, dtr 600µs
GD55LX01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX01GEBIRY 13.0553
RFQ
ECAD 5265 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55LX 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LX01GEBIRY 4,800 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI -OCTAL I/O, DTR -
GD5F4GQ6RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq6rf9igy -
RFQ
ECAD 7119 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-WLGA 노출 ga GD5F4GQ6 플래시 - NAND 1.7V ~ 2V 8-LGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1970-gd5f4gq6rf9igy 3A991B1A 8542.32.0071 300 80MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25VE20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIGR -
RFQ
ECAD 6221 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25VE20 플래시 - 아니오 2.1V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25WQ80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ80EEIG 0.4950
RFQ
ECAD 1827 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-gd25wq80eeigtrtrt 3,000 104 MHz 비 비 8mbit 12 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 120µs, 4ms
GD25Q16CTJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTJG -
RFQ
ECAD 7744 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 20,000 120MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25Q40CE2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CE2GR 0.5678
RFQ
ECAD 9651 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (3x2) - 1970-GD25Q40CE2GRTR 3,000 80MHz 비 비 4mbit 7 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 60µs, 4ms
GD25WQ32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32EGIG 0.7582
RFQ
ECAD 3291 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8- 호스 (3x4) 다운로드 1970-GD25WQ32EGRTR 3,000 104 MHz 비 비 32mbit 8 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 120µs, 4ms
GD25Q64CPIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CPIG -
RFQ
ECAD 3785 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-DIP (0.260 ", 6.60mm) GD25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-DIP 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD5F1GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYIG -
RFQ
ECAD 8047 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD5F1GQ4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
GD5F4GQ4UBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq4ubyigy -
RFQ
ECAD 3566 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD5F4GQ4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o
GD9FU1G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu1g8f2algi 2.4985
RFQ
ECAD 8902 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD9F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-FBGA (9x11) 다운로드 1970-gd9fu1g8f2algi 2,100 비 비 1gbit 20 ns 플래시 128m x 8 평행한 25ns
GD25Q16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTIG 0.3366
RFQ
ECAD 5701 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 20,000 120MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25D10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CTIG -
RFQ
ECAD 9276 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25D10 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 20,000 100MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 spi-듀얼 i/o 50µs, 4ms
GD25LQ10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ10CEIG -
RFQ
ECAD 2790 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25LQ10 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2.1V 8- 호스 (2x3) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD5F1GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gq4rf9igy -
RFQ
ECAD 5707 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vlga ga 패드 GD5F1GQ4 플래시 - NAND 1.7V ~ 2V 8-LGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
GD25LQ128EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EBIRY 1.3845
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 1970-GD25LQ128EBIRY 4,800 120MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 60µs, 2.4ms
GD25LD20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20CKIGR 0.3318
RFQ
ECAD 5796 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-uson (1.5x1.5) 다운로드 1970-GD25LD20CKIGRTR 3,000 50MHz 비 비 2mbit 12 ns 플래시 256k x 8 spi-듀얼 i/o 97µs, 6ms
GD25LQ128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EYIG 1.3900
RFQ
ECAD 3788 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-GD25LQ128EYIGRTR 3,000 120MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 60µs, 2.4ms
GD55T02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T02GEBIRY 21.5992
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55T 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55T02GEBIRY 4,800 200MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o, dtr -
GD5F2GQ5UFYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq5ufyigr 3.9884
RFQ
ECAD 4325 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 1970-gd5f2gq5ufyigrtr 3,000
GD55LT01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEBIRY 10.8794
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55LT 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LT01GEBIRY 4,800 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고