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GD25F256FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FWIGR 2.3373
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ECAD 4694 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25F 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) - 1970-GD25F256FWIGRTR 3,000 200MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25Q80CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CS2GR 0.5970
RFQ
ECAD 4404 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - 1970-GD25Q80CS2GRTR 2,000 80MHz 비 비 8mbit 7 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 60µs, 4ms
GD25F256FFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FFIRR 2.3755
RFQ
ECAD 2196 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25F 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP - 1970-GD25F256FFIRRTR 1,000 200MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD55X02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55x02gebiry 25.9350
RFQ
ECAD 2372 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55X 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55X02GEBIRY 4,800 200MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 SPI -OCTAL I/O, DTR -
GD25D40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40CEIG 0.3167
RFQ
ECAD 8682 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25D 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-GD25D40ceigrtr 3,000 104 MHz 비 비 4mbit 6 ns 플래시 512k x 8 spi-듀얼 i/o 50µs, 4ms
GD25LQ256DWAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DWAGY 4.2161
RFQ
ECAD 5956 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) - 1970-GD25LQ256Dwagy 5,700 104 MHz 비 비 256mbit 6 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 4ms
GD25WQ32ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq32eligr 0.7862
RFQ
ECAD 2187 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-XFBGA, WLCSP 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-wlcsp - 1970-gd25wq32eligrtr 3,000 104 MHz 비 비 32mbit 8 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 120µs, 4ms
GD25WR256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WR256EYIGY 2.6761
RFQ
ECAD 6615 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WR 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-GD25WR256YIGY 4,800 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25LE80CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80 CLIGR 0.4949
RFQ
ECAD 2758 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-XFBGA, WLCSP 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8-wlcsp 다운로드 1970-GD25LE80 CLIGRTR 3,000 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD9FU8G8E3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu8g8e3algi 14.6965
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 활동적인 다운로드 1970-gd9fu8g8e3algi 2,100
GD25R128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128ESIG 1.5448
RFQ
ECAD 3775 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25R 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - 1970-GD25R128ESIGRTR 2,000 200MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD5F2GQ5RFZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq5rfzigy 4.3225
RFQ
ECAD 4426 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 활동적인 - 1970-GD5F2GQ5RFZIGY 4,800
GD5F4GQ6UEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq6uey2gy 10.4671
RFQ
ECAD 1509 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-gd5f4gq6uey2gy 4,800 104 MHz 비 비 4gbit 9 ns 플래시 1g x 4 spi-쿼드 i/o, dtr 600µs
GD55LT01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55lt01gey2gy 16.9841
RFQ
ECAD 7137 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55LT 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) - 1970-GD55LT01GEY2GY 4,800 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD25B256EFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EFIG 2.3755
RFQ
ECAD 7941 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP 다운로드 1970-GD25B256EFIGRTR 1,000 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25D40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40EKIG 0.3318
RFQ
ECAD 4259 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25D 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-uson (1.5x1.5) 다운로드 1970-GD25D40EKIGRTR 3,000 104 MHz 비 비 4mbit 6 ns 플래시 512k x 8 spi-듀얼 i/o 50µs, 4ms
GD5F2GQ5REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq5reyigr 4.1912
RFQ
ECAD 3314 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-gd5f2gq5reyigrtr 3,000 80MHz 비 비 2gbit 11 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 600µs
GD25Q64EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64eyjgr 1.0249
RFQ
ECAD 8062 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-gd25q6444yjgrtr 3,000 133 MHz 비 비 64mbit 7 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 140µs, 4ms
GD25B32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ESIG 0.6115
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 1970-GD25B322222SIGRTR 2,000 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2.4ms
GD25LQ20ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq20esigr 0.3167
RFQ
ECAD 4317 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP - 1970-GD25LQ20ESIGRTR 2,000 133 MHz 비 비 2mbit 6 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 60µs, 2.4ms
GD25F256FBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FBIRY 2.3163
RFQ
ECAD 1615 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25F256FBIRY 4,800 200MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD55LB01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEB2RY 13.4000
RFQ
ECAD 9389 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55LB 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LB01GEB2RY 4,800 166 MHz 비 비 1gbit 6 ns 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 140µs, 2ms
GD25LQ16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ETIGR 0.8200
RFQ
ECAD 3644 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3,000 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD5F2GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7REYIGY 3.6575
RFQ
ECAD 6597 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-GD5F2GM7REYIGY 4,800 104 MHz 비 비 2gbit 9 ns 플래시 512m x 4 spi-쿼드 i/o, dtr 600µs
GD25F128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128ESIG 1.1590
RFQ
ECAD 6397 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 1970-GD25F128ESIGRTR 2,000
GD25LB128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128ewig 1.4109
RFQ
ECAD 1554 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) 다운로드 1970-GD25LB128EWIGRTR 3,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD55LX02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX02GEBIRY 26.2542
RFQ
ECAD 8747 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55LX 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LX02GEBIRY 4,800 166 MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 SPI -OCTAL I/O, DTR -
GD25WQ64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64EGIG 0.8999
RFQ
ECAD 8486 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8- 호스 (3x4) 다운로드 1970-GD25WQ64EGRTR 3,000 104 MHz 비 비 64mbit 12 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 120µs, 4ms
GD25WQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32ESIG 1.1100
RFQ
ECAD 8604 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2,000 104 MHz 비 비 32mbit 8 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 120µs, 4ms
GD25Q20ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20ESIG 0.4500
RFQ
ECAD 7823 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2,000 133 MHz 비 비 2mbit 7 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고