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GD25LQ64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EQIGR 0.8986
RFQ
ECAD 9691 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xdfn d 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-uson (4x4) 다운로드 1970-GD25LQ64EQIGRTR 3,000 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD5F4GQ6REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq6rey2gy 10.6666
RFQ
ECAD 5405 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD5F 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 2V 8-wson (6x8) - 1970-gd5f4gq6rey2gy 4,800 80MHz 비 비 4gbit 11 ns 플래시 1g x 4 spi-쿼드 i/o, dtr 600µs
GD25Q80ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ES2GR 0.5090
RFQ
ECAD 5610 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - 1970-GD25Q80ES2GRTR 2,000 133 MHz 비 비 8mbit 7 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 140µs, 4ms
GD55B02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEB2RY 26.6125
RFQ
ECAD 7728 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55B02GEB2RY 4,800 133 MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD25LQ128DBAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq128dbagy 2.5210
RFQ
ECAD 8554 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LQ128DBAGY 4,800 104 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 4ms
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64csjgr 1.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25Q16CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CWIG -
RFQ
ECAD 5049 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD55X01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55x01gefirr 13.2372
RFQ
ECAD 1651 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP - 1970-GD55X01GEFIRRTR 1,000 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI -OCTAL I/O, DTR -
GD25D10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CTIGR 0.3300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25D10 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 100MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 spi-듀얼 i/o 50µs, 4ms
GD25LQ32EN2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq32en2gr 1.1092
RFQ
ECAD 9037 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8- 호스 (3x4) - 1970-gd25lq32en2grtr 3,000 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD25LQ64CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CSIG 0.8174
RFQ
ECAD 4538 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25LQ64 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 2.4ms
GD25LQ128DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DWIG 2.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD25LQ128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 2.4ms
GD25LE64CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64CLIGR -
RFQ
ECAD 6812 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 21-XFBGA, WLSCP GD25LE64 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 21-WLCSP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 2.4ms
GD25LE64ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le64eligr 0.9266
RFQ
ECAD 4265 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-XFBGA, WLCSP 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 16-WLCSP 다운로드 1970-gd25le64eligrtr 3,000 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD25Q80CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CWIG -
RFQ
ECAD 2679 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD25Q80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD9FS8G8E3ALGJ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fs8g8e3algj 17.9949
RFQ
ECAD 2667 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 활동적인 다운로드 1970-gd9fs8g8e3algj 2,100
GD25LD80ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80ETIGY 0.3167
RFQ
ECAD 7655 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LD 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP 다운로드 1970-GD25LD80ETIGY 4,320 50MHz 비 비 8mbit 12 ns 플래시 1m x 8 spi-듀얼 i/o 100µs, 6ms
GD25LB16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16EEIG 0.5678
RFQ
ECAD 6008 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-GD25LB16eeigrtrtrtrtrtrtrtrtrtrtrtrtrtrtr 3,000 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD25LQ64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ644WIGG 1.4800
RFQ
ECAD 5696 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3,000 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 60µs, 2.4ms
GD25F256FFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FFIRR 2.3755
RFQ
ECAD 2196 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25F 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP - 1970-GD25F256FFIRRTR 1,000 200MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25LR512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR512MEYIG 5.0565
RFQ
ECAD 9628 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LR 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) - 1970-GD25LR512MEYIGRTR 3,000 200MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25Q20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EEIG 0.3318
RFQ
ECAD 2049 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-GD25Q20EEIGRTRTRT 3,000 133 MHz 비 비 2mbit 7 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2ms
GD25LB256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EYIGY 2.3030
RFQ
ECAD 8775 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LB 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 1970-GD25LB256eyigy 4,800 166 MHz 비 비 256mbit 6 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 70µs, 1.2ms
GD25Q32CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJG -
RFQ
ECAD 4813 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25B32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ESIG 0.6115
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 1970-GD25B322222SIGRTR 2,000 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2.4ms
GD25LQ128DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DYIGR 2.2300
RFQ
ECAD 521 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD25LQ128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 2.4ms
GD25B32EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32EEAGR 0.9968
RFQ
ECAD 3390 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (3x2) - 1970-GD25B32EEAGRT 3,000 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25Q32CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJGR 0.8389
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25Q64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CWIG 1.4800
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LE128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le128eqigr 1.3702
RFQ
ECAD 1579 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xdfn d 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-uson (4x4) 다운로드 1970-GD25LE128EQIGRTR 3,000 133 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고