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![]() | GD25Q80CS2GR | 0.5970 | ![]() | 4404 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 플래시 - 아니오 (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25Q80CS2GRTR | 2,000 | 80MHz | 비 비 | 8mbit | 7 ns | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o | 60µs, 4ms | ||||
![]() | GD25F256FFIRR | 2.3755 | ![]() | 2196 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25F | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 플래시 - 아니오 (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | - | 1970-GD25F256FFIRRTR | 1,000 | 200MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o | - | |||||
![]() | gd55x02gebiry | 25.9350 | ![]() | 2372 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD55X | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | 플래시 - 아니오 (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55X02GEBIRY | 4,800 | 200MHz | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | SPI -OCTAL I/O, DTR | - | |||||
![]() | GD25D40CEIG | 0.3167 | ![]() | 8682 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25D | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-xfdfn 노출 패드 | 플래시 - 아니오 (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8- 호스 (3x2) | 다운로드 | 1970-GD25D40ceigrtr | 3,000 | 104 MHz | 비 비 | 4mbit | 6 ns | 플래시 | 512k x 8 | spi-듀얼 i/o | 50µs, 4ms | ||||
![]() | GD25LQ256DWAGY | 4.2161 | ![]() | 5956 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25LQ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | - | 1970-GD25LQ256Dwagy | 5,700 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 6 ns | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 4ms | ||||
![]() | gd25wq32eligr | 0.7862 | ![]() | 2187 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25WQ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-XFBGA, WLCSP | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-wlcsp | - | 1970-gd25wq32eligrtr | 3,000 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 8 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 120µs, 4ms | ||||
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![]() | GD25B32ESIG | 0.6115 | ![]() | 2604 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25B | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 플래시 - 아니오 (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | 다운로드 | 1970-GD25B322222SIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 7 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 70µs, 2.4ms | ||||
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![]() | GD25F128ESIG | 1.1590 | ![]() | 6397 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 1970-GD25F128ESIGRTR | 2,000 | ||||||||||||||||||
![]() | GD25LB128ewig | 1.4109 | ![]() | 1554 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25LB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | 다운로드 | 1970-GD25LB128EWIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | - | |||||
![]() | GD55LX02GEBIRY | 26.2542 | ![]() | 8747 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD55LX | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LX02GEBIRY | 4,800 | 166 MHz | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | SPI -OCTAL I/O, DTR | - | |||||
![]() | GD25WQ64EGIG | 0.8999 | ![]() | 8486 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25WQ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-udfn n 패드 | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8- 호스 (3x4) | 다운로드 | 1970-GD25WQ64EGRTR | 3,000 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 12 ns | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 120µs, 4ms | ||||
![]() | GD25WQ32ESIG | 1.1100 | ![]() | 8604 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 8 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 120µs, 4ms | ||
![]() | GD25Q20ESIG | 0.4500 | ![]() | 7823 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 2mbit | 7 ns | 플래시 | 256k x 8 | spi-쿼드 i/o | 70µs, 2ms |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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