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MB85RS2MTPH-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTPH-G-JNE1 -
RFQ
 ECAD 1593 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 865-1264-5 귀 99 8542.32.0071 500 25MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS256BPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256BPNF-G-JNE1 -
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 95 33MHz 비 비 256kbit 프램 32k x 8 SPI -
MB85RS1MTPH-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS1MTPH-G-JNE1 -
RFQ
 ECAD 5117 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MB85RS1 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 50 40MHz 비 비 1mbit 프램 128k x 8 SPI -
MB85RS64VPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64VPNF-G-JNERE1 2.5600
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS64 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 20MHz 비 비 64kbit 프램 8k x 8 SPI -
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 1.2048
RFQ
 ECAD 7987 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC16 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 95 1MHz 비 비 16kbit 550 ns 프램 2k x 8 i²c -
MB85R1002ANC-GE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R1002ANC-GE1 8.3332
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.488 ", 12.40mm 너비) MB85R1002 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 865-1169 귀 99 8542.32.0071 128 비 비 1mbit 150 ns 프램 64k x 16 평행한 150ns
MB85RC256VPF-G-JNERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RC256VPF-G-JNERE2 -
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RC256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 1MHz 비 비 256kbit 550 ns 프램 32k x 8 i²c -
MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1 4.9893
RFQ
 ECAD 1647 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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