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MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 3.1288
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWE2TR 귀 99 8542.32.0071 85 33MHz 비 비 256kbit 13 ns 프램 32k x 8 SPI -
MB85RS2MTAPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTAPNF-g-awe2 5.2505
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS2MTAPNF-AWE2TR 귀 99 8542.32.0071 85 40MHz 비 비 2mbit 9 ns 프램 256k x 8 SPI 400µs
MB85RC256VPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC256VPF-BCERE1 3.2589
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RC256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RC256VPF-BCERE1TR 귀 99 8542.32.0071 500 1MHz 비 비 256kbit 550 ns 프램 32k x 8 i²c -
MB85RS512TPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS512TPNF-g-awe2 4.1436
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS512 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS512TPNF-G-AWE2 귀 99 8542.32.0071 85 30MHz 비 비 512kbit 9 ns 프램 64k x 8 SPI 400µs
MB85RS4MTPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MTPF-G-BCERE1 6.8681
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RS4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS4MTPF-G-BCERE1TR 귀 99 8542.32.0071 500 40MHz 비 비 4mbit 9 ns 프램 512k x 8 SPI 400µs
MB85RC64TAPNF-G-JNE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64TAPNF-G-JNE2 1.6595
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC64 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RC64TAPNF-G-JNE2TR 귀 99 8542.32.0071 95 3.4 MHz 비 비 64kbit 130 ns 프램 8k x 8 i²c -
MB85AS8MTPW-G-KBBERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85AS8MTPW-G-KBBERE1 -
RFQ
 ECAD 4595 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 11-XFBGA, WLBGA MB85AS8 레람 (램 저항) 1.6V ~ 3.6V 11-WLP (2.07x2.88) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-mb85as8mtpw-kbbere1tr 귀 99 8542.32.0071 10,000 10MHz 비 비 8mbit 35 ns 숫양 1m x 8 SPI 10ms
MB85RS4MLYPF-G-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MLYPF-G-BCE1 7.2374
RFQ
 ECAD 8837 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RS4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS4MLYPF-G-BCE1 귀 99 8542.32.0071 80 50MHz 비 비 4mbit 프램 512k x 8 SPI -
MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPNF-g-AWERE2 4.9893
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 5.4170
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 7.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 귀 99 8542.32.0071 85 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1 5.4170
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS512TPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS512TPNF-G-JNE1 4.2289
RFQ
 ECAD 8548 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS512TPNF-G-JNE1TR 95 40MHz 비 비 512kbit 9 ns 프램 64k x 8 SPI -
MB85RS1MTPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS1MTPNF-g-awe2 4.4301
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS1MTPNF-g-awe2tr 85 40MHz 비 비 1mbit 9 ns 프램 128k x 8 SPI -
MB85RS128TYPNF-GS-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS128TYPNF-GS-BCE1 2.7060
RFQ
 ECAD 9340 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS128TYPNF-GS-BCE1TR 85 33MHz 비 비 128kbit 13 ns 프램 16k x 8 SPI -
MB85RS64TUPNF-G-JNE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64TUPNF-G-JNE2 2.3678
RFQ
 ECAD 4401 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS64TUPNF-G-JNE2 95 10MHz 비 비 64kbit 18 ns 프램 8k x 8 SPI -
MB85RC64VPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64VPNF-G-JNE1 1.8604
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP - 865-MB85RC64VPNF-G-JNE1 95 1MHz 비 비 64kbit 550 ns 프램 8k x 8 i²c -
MB85RS128TYPNF-G-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS128TYPNF-G-BCE1 2.4613
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS128typnf-g-bce1tr 85 33MHz 비 비 128kbit 13 ns 프램 16k x 8 SPI -
MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 7.2374
RFQ
 ECAD 1922 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RS4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 500 50MHz 비 비 4mbit 프램 512k x 8 SPI -
MB85R8M1TABGL-G-JAE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R8M1TABGL-G-JAE1 14.3327
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA MB85R8 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 48-FBGA (8x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85R8M1TABGL-G-JAE1 귀 99 8542.32.0071 480 비 비 8mbit 120 ns 프램 512k x 16 평행한 120ns
MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTAPNF-g-AWERE2 4.7133
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS2MTAPNF-g-AWERE2 귀 99 8542.32.0071 1,500 40MHz 비 비 2mbit 9 ns 프램 256k x 8 SPI 400µs
MB85RS64VYPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64VYPNF-g-awe2 1.6913
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 MB85RS64 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8) (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS64VYPNF-g-awe2tr 귀 99 8542.32.0071 85 33MHz 비 비 64kbit 13 ns 프램 8k x 8 SPI -
MB85RS256APNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256APNF-g-JNERE1 -
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS256APNF-g-JNERE1TR 귀 99 8542.32.0071 1,500 25MHz 비 비 256kbit 프램 32k x 8 SPI -
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1 -
RFQ
 ECAD 1566 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MB85R256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V - - 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 256kbit 150 ns 프램 32k x 8 평행한 150ns
MB85RS128APNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS128APNF-g-JNE1 -
RFQ
 ECAD 5939 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS128 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 865-1176 귀 99 8542.32.0071 500 25MHz 비 비 128kbit 프램 16k x 8 SPI -
MB85RS256APNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256APNF-G-JNE1 -
RFQ
 ECAD 3703 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 25MHz 비 비 256kbit 프램 32k x 8 SPI -
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC256VPNF-G-JNERE1 4.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 1MHz 비 비 256kbit 550 ns 프램 32k x 8 i²c -
MB85RS2MTPF-G-JNERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTPF-G-JNERE2 -
RFQ
 ECAD 4701 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 25MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 3.9700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 33MHz 비 비 256kbit 프램 32k x 8 SPI -
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 13.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MB85RQ4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 16-SOP 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 108 MHz 비 비 4mbit 프램 512k x 8 spi-쿼드 i/o -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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