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MB85RC128PNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC128PNF-g-JNE1 -
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC128 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 400 kHz 비 비 128kbit 900 ns 프램 16k x 8 i²c -
MB85RC16VPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RC16VPNF-g-awe2 1.1187
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC16 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RC16VPNF-g-awe2 귀 99 8542.32.0071 85 1MHz 비 비 16kbit 550 ns 프램 2k x 8 i²c -
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 13.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MB85RQ4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 16-SOP 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 108 MHz 비 비 4mbit 프램 512k x 8 spi-쿼드 i/o -
MB85RS256BPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256BPNF-G-JNERE1 4.2900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 33MHz 비 비 256kbit 프램 32k x 8 SPI -
MB85RC128APNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC128APNF-g-JNERE1 2.4786
RFQ
 ECAD 3290 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC128 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 1MHz 비 비 128kbit 900 ns 프램 16k x 8 i²c -
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 6.6100
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B2A 8542.32.0071 1,500 40MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS64VYPNF-GS-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64VYPNF-GS-AWE2 1.7758
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 MB85RS64 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8) (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS64VYPNF-GS-AWE2TR 귀 99 8542.32.0071 85 33MHz 비 비 64kbit 13 ns 프램 8k x 8 SPI -
MB85R256FPNF-G-JNERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85R256FPNF-G-JNERE2 -
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.342 ", 8.69mm 너비) MB85R256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 256kbit 150 ns 프램 32k x 8 평행한 150ns
MB85RS64PNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64PNF-G-JNERE1 2.5600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS64 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 20MHz 비 비 64kbit 프램 8k x 8 SPI -
MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 7.0974
RFQ
 ECAD 3893 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MB85RS4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 8-DFN (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1TR 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 4mbit 9 ns 프램 512k x 8 SPI -
MB85RS2MLYPN-G-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MLYPN-g-AWEWE1 4.9893
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS2MTAPH-G-JNE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTAPH-G-JNE2 5.6058
RFQ
 ECAD 8724 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-DIP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0071 50 40MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS256TYPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256Typnf-g-awere2 -
RFQ
 ECAD 7957 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS256Typnf-g-awere2tr 귀 99 8542.32.0071 1,500 33MHz 비 비 256kbit 프램 32k x 8 SPI -
MB85RS256TYPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256Typnf-g-awe2 -
RFQ
 ECAD 8625 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS256Typnf-g-awe2 귀 99 8542.32.0071 85 33MHz 비 비 256kbit 프램 32k x 8 SPI -
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC04VPNF-G-JNERE1 0.7745
RFQ
 ECAD 6250 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC04 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 1MHz 비 비 4kbit 550 ns 프램 512 x 8 i²c -
MB85RS64VYPNF-GS-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64VYPNF-GS-AWERE2 1.6536
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 MB85RS64 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8) (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS64VYPNF-GS-AWERE2TR 귀 99 8542.32.0071 1,500 33MHz 비 비 64kbit 13 ns 프램 8k x 8 SPI -
MB85RC256VPF-G-JNE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RC256VPF-G-JNE2 -
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RC256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 865-MB85RC256VPF-G-JNE2 귀 99 8542.32.0071 500 1MHz 비 비 256kbit 550 ns 프램 32k x 8 i²c -
MB85RC64TAPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64TAPNF-g-awe2 1.4848
RFQ
 ECAD 8488 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC64 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RC64TAPNF-g-awe2tr 귀 99 8542.32.0071 85 3.4 MHz 비 비 64kbit 130 ns 프램 8k x 8 i²c -
MB85RC64TAPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64TAPNF-g-AWERE2 1.4218
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC64 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RC64TAPNF-g-AWERE2TR 귀 99 8542.32.0071 1,500 3.4 MHz 비 비 64kbit 130 ns 프램 8k x 8 i²c -
MB85RS512TPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS512TPNF-G-AWERE2 3.7954
RFQ
 ECAD 9379 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS512 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS512TPNF-G-AWERE2TR 귀 99 8542.32.0071 1,500 30MHz 비 비 512kbit 9 ns 프램 64k x 8 SPI 400µs
MB85R8M1TABGL Kaga FEI America, Inc. MB85R8M1TABGL -
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 활동적인 - 865-MB85R8M1TABGL 귀 99 8542.32.0071 1
MB85AS8MTPWG-KBCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85AS8MTPWG-KBCERE1 -
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 11-XFBGA, WLBGA MB85AS8 레람 (램 저항) 1.6V ~ 3.6V 11-WLP (2.07x2.88) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-mb85as8mtpwg-kbcere1tr 귀 99 8542.32.0071 10,000 10MHz 비 비 8mbit 35 ns 숫양 1m x 8 SPI 10ms
MB85R8M2TABGL-G-JAE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R8M2TABGL-G-JAE1 14.3327
RFQ
 ECAD 4501 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA MB85R8 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 48-FBGA (8x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85R8M2TABGL-G-JAE1 귀 99 8542.32.0071 480 비 비 8mbit 150 ns 프램 512k x 16 평행한 150ns
MB85RS64VPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64VPNF-G-JNE1 1.9450
RFQ
 ECAD 5275 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP - 865-MB85RS64VPNF-G-JNE1TR 95 20MHz 비 비 64kbit 20 ns 프램 8k x 8 SPI -
MB85RQ4MLPF-G-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RQ4MLPF-BCE1 10.4257
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 16-SOP - 865-MB85RQ4MLPF-G-BCE1TR 160 108 MHz 비 비 4mbit 7 ns 프램 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MB85RC256VPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC256VPNF-G-JNE1 3.5848
RFQ
 ECAD 7705 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8-SOP - 865-MB85RC256VPNF-G-JNE1 95 1MHz 비 비 256kbit 550 ns 프램 32k x 8 i²c -
MB85RC04VPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC04VPNF-G-JNE1 0.7745
RFQ
 ECAD 7248 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP - 865-MB85RC04VPNF-G-JNE1 95 1MHz 비 비 4kbit 550 ns 프램 512 x 8 i²c -
MB85AS8MTPF-G-KBERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85AS8MTPF-G-KBERE1 -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85AS8 레람 (램 저항) 1.6V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,000 10MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI 10ms
MB85RS2MLYPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MLYPNF-g-AWERE2 4.9893
RFQ
 ECAD 5922 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS2MTAPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTAPF-G-BCERE1 6.8425
RFQ
 ECAD 1189 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS2MTAPF-BCERE1TR 귀 99 8542.32.0071 1,500 40MHz 비 비 2mbit 9 ns 프램 256k x 8 SPI 400µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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