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MB85RS16PNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS16PNF-G-JNERE1 1.1709
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS16 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 20MHz 비 비 16kbit 프램 2k x 8 SPI -
MB85RS2MLYPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MLYPNF-g-awe2 5.4363
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS2MLYPNF-g-awe2 귀 99 8542.32.0071 85 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RC16VPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RC16VPNF-G-AWERE2 1.0873
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC16 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RC16VPNF-g-awere2tr 귀 99 8542.32.0071 1,500 1MHz 비 비 16kbit 550 ns 프램 2k x 8 i²c -
MB85RS64VYPNF-GS-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64VYPNF-GS-BCERE1 1.6536
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS64 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 33MHz 비 비 64kbit 프램 8k x 8 SPI -
MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64TAPNF-G-BDE1 1.3102
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC64 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 85 3.4 MHz 비 비 64kbit 130 ns 프램 8k x 8 i²c -
MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2 5.4170
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 3.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS128 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 33MHz 비 비 128kbit 프램 16k x 8 SPI -
MB85RS128BPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS128BPNF-G-JNERE1 3.0982
RFQ
 ECAD 4309 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS128 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 33MHz 비 비 128kbit 프램 16k x 8 SPI -
MB85RC512TPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC512TPNF-G-JNE1 4.2289
RFQ
 ECAD 8015 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RC512TPNF-G-JNE1 95 3.4 MHz 비 비 512kbit 130 ns 프램 64k x 8 i²c -
MB85RC64APNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64APNF-g-JNERE1 2.2200
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC64 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 1MHz 비 비 64kbit 550 ns 프램 8k x 8 i²c -
MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 2.8659
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2TR 귀 99 8542.32.0071 1,500 33MHz 비 비 256kbit 13 ns 프램 32k x 8 SPI -
MB85R4M2TFN-G-JAE2 Kaga FEI America, Inc. MB85R4M2TFN-G-JAE2 13.0321
RFQ
 ECAD 1312 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MB85R4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 44-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1B1 8542.32.0071 126 비 비 4mbit 150 ns 프램 256k x 16 평행한 150ns
MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 6.4148
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MB85RS4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 4mbit 프램 512k x 8 SPI -
MB85R1001ANC-GE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R1001ANC-GE1 10.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.488 ", 12.40mm 너비) MB85R1001 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 128 비 비 1mbit 150 ns 프램 128k x 8 평행한 150ns
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R256FPFCN-G-BNDE1 6.4066
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) MB85R256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 865-1170 귀 99 8542.32.0071 128 비 비 256kbit 150 ns 프램 32k x 8 평행한 150ns
MB85RS1MTPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS1MTPNF-G-JNE1 4.6134
RFQ
 ECAD 3125 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS1MTPNF-G-JNE1 95 40MHz 비 비 1mbit 9 ns 프램 128k x 8 SPI -
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC512TPNF-G-JNERE1 5.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC512 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 3.4 MHz 비 비 512kbit 130 ns 프램 64k x 8 i²c -
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 1.6900
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC64 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 3.4 MHz 비 비 64kbit 130 ns 프램 8k x 8 i²c -
MB85RC16VPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC16VPNF-G-JNERE1 -
RFQ
 ECAD 6539 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC16 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 1MHz 비 비 16kbit 550 ns 프램 2k x 8 i²c -
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64VPNF-G-JNERE1 1.7324
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC64 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 1MHz 비 비 64kbit 프램 8k x 8 i²c -
MB85R8M2TPBS-M-JAE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R8M2TPBS-M-JAE1 27.2800
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA MB85R8 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 48-FBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-1295 귀 99 8542.32.0071 480 비 비 8mbit 150 ns 프램 512k x 16 평행한 150ns
MB85RC64PNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64PNF-G-JNERE1 1.5749
RFQ
 ECAD 1595 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC64 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 400 kHz 비 비 64kbit 900 ns 프램 8k x 8 i²c -
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS512TPNF-G-JNERE1 5.6800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS512 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 30MHz 비 비 512kbit 프램 64k x 8 SPI -
MB85R8M1TAFN-G-JAE2 Kaga FEI America, Inc. MB85R8M1TAFN-G-JAE2 15.2432
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MB85R8 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 44-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85R8M1TAFN-G-JAE2 귀 99 8542.32.0071 126 비 비 8mbit 120 ns 프램 1m x 8 평행한 120ns
MB85RS1MTPW-G-APEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS1MTPW-G-APEWE1 6.0900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-XFBGA, WLCSP MB85RS1 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-WLP (2.28x3.09) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 40MHz 비 비 1mbit 프램 128k x 8 SPI -
MB85AS4MTPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85AS4MTPF-G-BCERE1 -
RFQ
 ECAD 7055 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85AS4 레람 (램 저항) 1.65V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 5 MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI 17ms
MB85R4002ANC-GE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R4002ANC-GE1 17.5883
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.488 ", 12.40mm 너비) MB85R4002 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 128 비 비 4mbit 150 ns 프램 256k x 16 평행한 150ns
MB85RS64TPNF-G-JNE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64TPNF-G-JNE2 1.6913
RFQ
 ECAD 8392 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS64TPNF-G-JNE2 95 10MHz 비 비 64kbit 18 ns 프램 8k x 8 SPI -
MB85RS4MTPF-G-JNERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MTPF-G-JNERE2 -
RFQ
 ECAD 4131 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RS4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 2,000 40MHz 비 비 4mbit 프램 512k x 8 SPI -
MB85RC128PNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC128PNF-g-JNE1 -
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC128 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 400 kHz 비 비 128kbit 900 ns 프램 16k x 8 i²c -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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