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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB
74LV153PW, 112	-	RFQ	5519	NXP USA Inc.	74lv	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	멀티플렉서		74LV153						1V ~ 3.6V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	96				6MA, 6MA								단일 단일																		2 x 4 : 1	1
SN74ACT7206L35NP	14.3300	RFQ	1	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74ACT7206				확인되지 확인되지				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0071	1
MC74HC4040AFL1	0.3700	RFQ	2	모토로라	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HC4040			위로			2 V ~ 6 v	16- Ooeaj	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	이진 이진	1	12											비동기	-	50MHz	부정적인 부정적인
74LVCH16244ADGG, 51	-	RFQ	2774	Nexperia USA Inc.	74lvch	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74LVCH16244	-	3 국가				1.2V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	975	버퍼, 반전 비	4	4	24MA, 24MA
54F240dm	3.7200	RFQ	233	국가 국가	54f	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-CDIP (0.300 ", 7.62mm)			54F240	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20-cerdip	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전	2	4	12MA, 48MA
CD4532BPWG4	-	RFQ	9037	텍사스 텍사스	4000B	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	우선 우선 인코더		CD4532						3V ~ 18V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,160				6.8ma, 6.8ma								이중 이중																		1 x 8 : 3	1
SN74AHCT245DW	1.3200	RFQ	3	텍사스 텍사스	74AHCT	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74AHCT245	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	트랜시버, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
SN74AVC8T245DGVR-P	-	RFQ	2914	텍사스 텍사스	74AVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74AVC8T245	-	3 국가				1.2V ~ 3.6V	24-TVSOP	다운로드	Rohs3 준수			296-SN74AVC8T245DGVR-P			1	번역 번역	1	8	12MA, 12MA
SN74AUP2G126YFPR	0.3585	RFQ	8588	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-XFBGA, DSBGA			74AUP2G126	-	3 국가				0.8V ~ 3.6V	8-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	2	1	4MA, 4MA
SN74ABT16825DL	2.7982	RFQ	9503	텍사스 텍사스	74ABT	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ABT16825	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	56-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20	버퍼, 반전 비	2	9	32MA, 64MA
NC7SZ10P6X	1.0000	RFQ	5624	페어차일드 페어차일드	7SZ	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		-	7SZ10					1	1.65V ~ 5.5V	SC-88 (SC-70-6)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트			32MA, 32MA		2 µA	3											7.5ns @ 5V, 50pf										-	-
74AUP1T97GS, 132	0.0982	RFQ	6680	Nexperia USA Inc.	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn		구성 구성 게이트 가능한 함수	74AUP1T97		단일 단일			1		6- XSON, SOT1202 (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000								-		-																						전압 전압	단방향	1	1.8 V ~ 2.7 v	2.3 v ~ 3.6 v
74AC11008D	2.5300	RFQ	30	텍사스 텍사스	74AC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74AC11008					4	3V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40	그리고 그리고			24MA, 24MA		4 µA	2											6.2ns @ 5V, 50pf										0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
SN10KHT5543DWRE4	-	RFQ	6349	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 75 ° C (TA)	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		-	10KHT5543		비 비			1		24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000								-		TTL	ECL																					혼합 혼합	단방향	8
74HC1GU04GW, 125	0.4200	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		-	74HC1GU04					1	2V ~ 6V	5-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터			2.6MA, 2.6MA		20 µA	1											18NS @ 6V, 50pf										0.3V ~ 1.2V	1.7V ~ 4.8V
SNJ54LS670FK	25.3000	RFQ	25	텍사스 텍사스	54ls	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-Clcc	파일 파일		54LS670						4.5V ~ 5.5V	20-LCCC (8.89x8.89)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1				1MA, 4MA								단일 단일																		1 x 1 : 1	4
74AUP1G07GN, 132	0.1100	RFQ	387	NXP USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn			74AUP1G07	-	열린 열린				0.8V ~ 3.6V	6-XSON (0.9x1)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	2,798	버퍼, 반전 비	1	1	-, 4MA
74LVC595ABQ, 115	0.7000	RFQ	304	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-vfqfn 노출 패드			74LVC595		트라이 트라이				1.65V ~ 3.6V	16-DHVQFN (2.5x3.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의, 평행
Cy74FCT399ATSOC	2.0900	RFQ	680	텍사스 텍사스	74fct	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	멀티플렉서		74FCT399						4.75V ~ 5.25V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40				32MA, 64MA								단일 단일																		4 x 1 : 1	1
SN74HCT541N-P	-	RFQ	6576	텍사스 텍사스	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)				-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20-PDIP	-	Rohs3 준수			296-SN74HCT541N-P			1	버퍼, 반전 비	1	8	6MA, 6MA
74LCX112MTC	-	RFQ	8300	온세미	74lcx	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	JK 유형		74LCX112		보완 보완				2V ~ 3.6V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,350		2	1	24MA, 24MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				150MHz								부정적인 부정적인	7.5ns @ 3.3v, 50pf	10 µA								7 pf
SN74LS14ml1	0.1400	RFQ	60	온세미	*	대부분	활동적인						74LS14								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
74LVC163D, 118	-	RFQ	1064	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74LVC163			위로			1.2 v ~ 3.6 v	16- 형의 행위	다운로드						0000.00.0000	1	이진 이진	1	4											동기	동기	150MHz	긍정적 긍정적 가장자리
MC74AC138D	0.1400	RFQ	5	온세미	74AC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	디코더/demultiplexer		74AC138						2V ~ 6V	16-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	48				24MA, 24MA								단일 단일																		1 x 3 : 8	1
NC7SZ32L6X-L2175	0.1081	RFQ	9989	온세미	7SZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn		-	7SZ32					1	1.65V ~ 5.5V	6 마이크로 팩	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		488-NC7SZ32L6X-L22175TR	귀 99	8542.39.0001	5,000	또는 또는			32MA, 32MA		2 µA	2											4.5ns @ 5V, 50pf										-	-
MM74HC86SJ	0.1900	RFQ	38	페어차일드 페어차일드	74HC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74HC86					4	2V ~ 6V	14-SOP	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	47	xor (또는 독점)			5.2MA, 5.2MA		2 µA	2											20ns @ 6v, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74LVCE1G06FZ4-7	0.1012	RFQ	2659	다이오드가 다이오드가	74lvce	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-xfdfn		열린 열린	74LVCE1G06					1	1.4V ~ 5.5V	X2-DFN1410-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	74LVCE1G06FZ4-7DIDKR	귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터			-, 32MA		10 µA	1											2.7ns @ 5V, 50pf										0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74AHC04PWR-M	-	RFQ	3904	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74AHC04								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,000
72T18115L6-7BB	226.9196	RFQ	6021	Renesas Electronics America Inc	72T	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	240-BGA			72T18115				확인되지 확인되지		2.375 V ~ 2.625 v	240-PBGA (19x19)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1					비동기식, 동기			66MHz, 150MHz					4.5m (256k x 18) (512k x 9)							12ns, 3.8ns	70ma	단방향	깊이, 너비	예	예	예
MC100EPT25DTR2G	14.9200	RFQ	9611	온세미	100ept	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		-	100ept25		비 비			1		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500								-		ECL	lvttl																					혼합 혼합	단방향	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²