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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB
74HC238PW, 112	0.2300	RFQ	2	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	디코더/demultiplexer		74HC238						2V ~ 6V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,400				5.2MA, 5.2MA								단일 단일																		1 x 3 : 8	1
MC14024BFR1	0.0900	RFQ	8	온세미	*	대부분	활동적인						MC14024								다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1,000
74axp1g06gxh	0.5000	RFQ	1480	Nexperia USA Inc.	74axp	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	4-xfdfn 노출 패드		열린 열린	74axp1g06					1	0.7V ~ 2.75V	5-X2SON (0.80x0.80)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	10,000	인버터			-, 8ma		600 NA	1											3.8ns @ 2.5v, 5pf										0.7V	1.6V
74LVT373SJ	-	RFQ	5241	온세미	74LVT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LVT373		트라이 트라이				2.7V ~ 3.6V	20-SOP	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	38	d- 타입 투명 타입			32MA, 64MA																										8 : 8	1	1.5ns
MC74HCT245AFELG	-	RFQ	6206	온세미	74hct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HCT245	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	SOEIAJ-20	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	1	8	6MA, 6MA
74LVC2G125DCTRE6	0.8900	RFQ	2	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-LSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비)			74LVC2G125	-	3 국가				1.65V ~ 5.5V	sm8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	2	1	32MA, 32MA
DM74ALS157M	0.2000	RFQ	4	페어차일드 페어차일드	74ALS	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74ALS157						4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	960				400µA, 8mA								단일 단일																		4 x 2 : 1	1
MC74HCT273ADWR2G	0.8300	RFQ	606	온세미	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74HCT273		비 비				4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000		1	8	4MA, 4MA	다시 다시				30MHz								긍정적 긍정적 가장자리	25NS @ 5V, 50pf	4 µA
MC74AC139D	-	RFQ	1351	온세미	74AC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	디코더/demultiplexer		74AC139						2V ~ 6V	16-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	48				24MA, 24MA								단일 단일																		1 x 2 : 4	2
7WB3305MUTAG	-	RFQ	9737	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-ufdfn	버스 버스		7WB3305						4V ~ 5.5V	8-UDFN (1.8x1.2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000				-								단일 단일																		1 x 1 : 1	2
CD74FCT244ATE	1.1500	RFQ	845	텍사스 텍사스	74fct	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74FCT244	-	3 국가				4.75V ~ 5.25V	20-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20	버퍼, 반전 비	2	4	15MA, 64MA
74AHCT1G126QW5-7	0.4100	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q100, 74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753			74AHCT1G126	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	SOT-25	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	1	1	8ma, 8ma
74FCT574ATSOG	-	RFQ	4847	Renesas Electronics America Inc	74fct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74FCT574		트라이 트라이, 스테이트 반전				4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	37		1	8	15MA, 48MA	기준												긍정적 긍정적 가장자리	6.5ns @ 5V, 50pf	1 MA								6 pf
74ALVCH16373DTR	-	RFQ	5829	온세미	74ALVCH	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74ALVCH16373		트라이 트라이				2.3V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA																										8 : 8	2	1ns
SN74AHC595NSRG4	-	RFQ	3100	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74AHC595		트라이 트라이				2V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의, 평행
SN74AUC2G126DCTR	0.3735	RFQ	8661	텍사스 텍사스	74AUC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-LSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비)			74AUC2G126	-	3 국가				0.8V ~ 2.7V	sm8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	2	1	9MA, 9MA
TC7SZ126FE, LM	0.4500	RFQ	645	Toshiba 반도체 a 저장	TC7SZ	컷 컷 (CT)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	SOT-553			TC7SZ126	-	푸시 푸시				1.65V ~ 5.5V	ESV	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	4,000	버퍼, 반전 비	1	1	32MA, 32MA
MC74ACT05DR2G	0.6200	RFQ	7	온세미	74ACT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		열린 열린	74Act05					6	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터			-, 24ma		4 µA	1											8.5ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
SN74ALVC245NSR	0.8400	RFQ	1	텍사스 텍사스	74ALVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ALVC245	-	3 국가				1.65V ~ 3.6V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	1	8	24MA, 24MA
FCT162952ATPACTE4	-	RFQ	3244	텍사스 텍사스	74fct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			FCT162952	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	56-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
72225LB15TF	-	RFQ	9122	Renesas Electronics America Inc	7200	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP			72225				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	64-TQFP (10x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	80					동기			66.7MHz					18K (1K X 18)							10ns	60ma	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
74LVT16245BDL, 112	0.6100	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	튜브	활동적인						74LVT1								다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,581
5962-8755201VRA	-	RFQ	5933	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-8755201VRA			1
DM54LS169W/883	4.0400	RFQ	250	국가 국가	54ls	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-cflatpack			54LS169			위로, 아래로			4.5 V ~ 5.5 v	16-cfp	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	이진 이진	1	4											동기	동기	20MHz	긍정적 긍정적 가장자리
SN74F126NS	0.2200	RFQ	2	텍사스 텍사스	74f	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74F126	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	14-	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	4	1	15MA, 64MA
74LVC07APW/DG118	0.0600	RFQ	18	Nexperia USA Inc.	*	대부분	쓸모없는						74LVC07								다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500
MC74ACT132DG	0.6500	RFQ	62	온세미	74ACT	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74ATT132					4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	55	NAND 게이트			24MA, 24MA		4 µA	2											11.5ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
NL17SZ02XV5T2	-	RFQ	5736	온세미	17SZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-553		-	17SZ02					1	1.65V ~ 5.5V	SOT-553	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	4,000	게이트도			32MA, 32MA		1 µA	2											4.3ns @ 5V, 50pf										-	-
MC415P	10.3300	RFQ	1	모토로라	-	대부분	활동적인						MC415								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
NXB0101GSH	0.5200	RFQ	740	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn		-	NXB0101		트라이 트라이			1		6- XSON, SOT1202 (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000								100Mbps		-	-																						전압 전압	양방향	1	1.2 v ~ 3.6 v	1.65 V ~ 5.5 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²