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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB
MC74HC03AFR2	0.0600	RFQ	9712	온세미	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		열린 열린	74HC03					4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			-, 5.2ma		1 µA	2											20ns @ 6v, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
MC74F182N	0.2500	RFQ	4	온세미	*	대부분	활동적인						74F182								다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
MC2024P	10.3500	RFQ	4	모토로라	MC2000	대부분	활동적인	0 ° C ~ 75 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	JK 유형		MC2024		보완 보완				4.5V ~ 6V	14-DIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1		1	2	-	설정 (설정 사전) 및 재설정				70MHz								부정적인 부정적인	-
74LVC16601APVG	0.4700	RFQ	23	idt, 장치 통합 기술 in inc	74LVC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	56-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LVC16601					18 비트	2.3V ~ 3.6V	56-ssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	26	보편적 보편적 버스 인			24MA, 24MA
Max3006eup+t	-	RFQ	5231	아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		전원 전원 장치 공급	3006		트라이 트라이, 스테이트 반전			1		20-tssop	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	175-MAX3006EUP+TTR	귀 99	8542.39.0001	2,500								35Mbps		-	-																						전압 전압	단방향	8	1.2 v ~ 5.5 v	1.65 V ~ 5.5 v
SN74AHCT08RGYRG4	-	RFQ	5522	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드		-	74AHCT08					4	4.5V ~ 5.5V	14-VQFN (3.5x3.5)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고			8ma, 8ma		2 µA	2											7.9ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
74HCT4520D, 118	0.2500	RFQ	4	NXP USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HCT4520			위로			4.5 V ~ 5.5 v	16- 형의 행위	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1,179	이진 이진	2	4											비동기	동기	58MHz	긍정적이고 긍정적이고
74LVC1G10GW, 125	-	RFQ	2067	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인						74LVC1G10								다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G10GW, 125-954			1
74AVC1T45DRLR	-	RFQ	3660	텍사스 텍사스	74AVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	SOT-563, SOT-666		-			트라이 트라이			1		SOT-5X3	-	Rohs3 준수			296-74AVC1T45DRLR			1								500Mbps		-	-																						전압 전압	양방향	-	1.2 v ~ 3.6 v	1.2 v ~ 3.6 v
CD54HCT02F3A	-	RFQ	2238	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-CD54HCT02F3A			1
SN64BCT125ADRE4	-	RFQ	1269	텍사스 텍사스	64bct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			64BCT125	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	버퍼, 반전 비	4	1	15MA, 64MA
SN74LS240DW	-	RFQ	5758	온세미	74ls	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LS240	-	3 국가				4.75V ~ 5.25V	20-	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.39.0001	25	버퍼, 반전	2	4	15ma, 24ma
V62/06662-01XE	1.8063	RFQ	8265	텍사스 텍사스	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														-	Rohs3 준수			296-v62/06662-01xetr			2,000
Cy7c421-30ac	-	RFQ	9014	Cypress Semiconductor Corp	cy7c	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-TQFP			7C421				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	32-TQFP (7x7)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1					비동기			25MHz					512 x 9							30ns	40ma	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
SN74LVC2G74DCURG4	-	RFQ	4972	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	D- 타입		74LVC2G74		보완 보완				1.65V ~ 5.5V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000		1	1	32MA, 32MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				200MHz								긍정적 긍정적 가장자리	4.4ns @ 5V, 50pf	10 µA								5 pf
SN74LVC2G00DCUTG4	-	RFQ	5713	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)		-	74LVC2G00					2	1.65V ~ 5.5V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	NAND 게이트			32MA, 32MA		10 µA	2											3.3ns @ 5v, 50pf										0.58V ~ 1.65V	1.07V ~ 3.85V
QS74FCT573ATQ	0.7800	RFQ	3	품질 품질	*	대부분	활동적인						74FCT573								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
SN74HC259NE4	0.3150	RFQ	6604	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)					기준				2V ~ 6V	16-PDIP	-	Rohs3 준수			296-SN74HC259NE4	귀 99	8542.39.0001	25	d- 타입, 타입			5.2MA, 5.2MA																										1 : 8	1	14ns @ 6v, 50pf
74LS375pc	0.3500	RFQ	2539	국가 국가	-	대부분	활동적인						74LS375								다운로드	rohs 비준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1
74HC73D-Q100J	0.6900	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	JK 유형		74HC73		보완 보완				2V ~ 6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500		2	1	5.2MA, 5.2MA	다시 다시				83MHz								부정적인 부정적인	27ns @ 6v, 50pf	4 µA								3.5 pf
5962-9764201QFA	-	RFQ	7984	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9764201QFA			1
SN65LVCP404RGZT	16.3575	RFQ	3305	텍사스 텍사스	65LVCP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	48-vfqfn 노출 패드	크로스 크로스 스위치		65LVCP404						3.14V ~ 3.47V	48-VQFN (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250				-								단일 단일																		1 x 4 : 4	1
SN74AUP2G04DCKR	0.5800	RFQ	69	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		-	74AUP2G04					2	0.8V ~ 3.6V	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터			4MA, 4MA		500 NA	2											6.2ns @ 3.3v, 30pf										0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
CD74HCT139M96G4	-	RFQ	5578	텍사스 텍사스	74hct	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	디코더/demultiplexer		74HCT139						4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500				4MA, 4MA								단일 단일																		1 x 2 : 4	2
PCAL6416AER118	0.7000	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PCAL6416								다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	10,000
SN74AHC00D	1.0900	RFQ	10	텍사스 텍사스	74AHC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74AHC00					4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	NAND 게이트			8ma, 8ma		2 µA	2											7.5ns @ 5V, 50pf										0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
SN74LS368AD	1.6300	RFQ	354	텍사스 텍사스	74ls	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74LS368	-	3 국가				4.75V ~ 5.25V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40	버퍼, 반전	2	2, 4 (16 16)	2.6ma, 24ma
74AHCT3G04DP, 125	-	RFQ	7411	NXP USA Inc.	74AHCT	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		-	74AHCT3G04					3	4.5V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터			8ma, 8ma		1 µA	3											7.7ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
Sn74AHC14QPWRG4HE	-	RFQ	5206	텍사스 텍사스	74AHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트						6	2V ~ 5.5V	14-tssop	-	Rohs3 준수			296-SN74AHC14QPWRG4HE			1	인버터			8ma, 8ma		1 µA	6											10.6ns @ 5V, 50pf											2.2V ~ 3.85V
QS7201-25V	3.8000	RFQ	722	품질 품질	*	대부분	활동적인						QS7201				확인되지 확인되지				다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0071	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²