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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 출력 출력 sic 프로그램 가능 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 데이터 데이터 시계 시계 입력 입력 출력 출력 전압 전압 메모리 메모리 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 액세스 액세스 현재 -공급 (max) 버스 버스 확장 확장 프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한 역 역 재전송합니다 fwft 지원 입력 입력 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 회로 독립 독립 지연 지연 - 시간 번역기 번역기 채널 채널 회로 회로 채널 -VCCA -VCCB
74AUP1G04GW-Q100125 NXP USA Inc. 74AUP1G04GW-Q100125 -
RFQ
ECAD 9733 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74AUP1G04 1 0.8V ~ 3.6V 5-TSSOP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 4MA, 4MA 500 NA 1 5.4ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
72V36100L6BBG Renesas Electronics America Inc 72V36100L6BBG -
RFQ
ECAD 1031 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 72v 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 144-bga 72v36100 확인되지 확인되지 3.15 V ~ 3.45 v 144-PBGA (13x13) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 800-72V36100L6BBG 쓸모없는 160 동기 166MHz 2.25m (64k x 36) 4ns 40ma 단방향 깊이, 너비
93L38DC National Semiconductor 93L38DC 6.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 93L38 푸시 푸시 4.5V ~ 5.5V 16-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 파일 파일 1 8 -
SN74S11D Texas Instruments SN74S11D 0.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74S11 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
74AXP1G97GM125 NXP USA Inc. 74axp1g97gm125 0.0900
RFQ
ECAD 284 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74axp1g97 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 5,000
V62/03657-01YE Texas Instruments v62/03657-01ye 1.1996
RFQ
ECAD 8274 0.00000000 텍사스 텍사스 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 296-v62/03657-01yetr 2,000
JD54F193BFA National Semiconductor JD54F193BFA 27.6000
RFQ
ECAD 52 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 54F193 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
SN74HCS164QBQARQ1 Texas Instruments SN74HCS164QBQARQ1 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, 74HCS 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-wfqfn q 패드 74HCS164 푸시 푸시 2V ~ 6V 14-WQFN (3x2.5) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 296-SN74HCS164QBQARQ1TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 시프트 시프트 1 8 일련의 일련의
SN74S373DWQ Texas Instruments SN74S373DWQ 0.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 - 귀 99 8542.39.0001 1
NVT2002TLH NXP USA Inc. NVT2002TLH 0.9100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 - NVT2002 열린 열린, 배수구 풀 1 hxson8u - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,000 33MHz - - 전압 전압 양방향 2 1 V ~ 3.6 v 1.8 V ~ 5.5 v
74LVC1G14GM,115 NXP USA Inc. 74LVC1G14GM, 115 -
RFQ
ECAD 8885 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 슈미트 슈미트 74LVC1G14 1 1.65V ~ 5.5V 6- XSON, SOT886 (1.45x1) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 32MA, 32MA 4 µA 1 6.5ns @ 5V, 50pf 0.46V ~ 1.58V 1.14V ~ 2.79V
MM54HC240J National Semiconductor MM54HC240J -
RFQ
ECAD 9435 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 20-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 54HC240 - 3 국가 2V ~ 6V 20-cdip 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 2 4 7.8ma, 7.8ma
MC74HC4002FL1 onsemi MC74HC4002FL1 -
RFQ
ECAD 6329 0.00000000 온세미 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC4002 2 2V ~ 6V 14 -Soic - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1,000 게이트도 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 20ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
74HC74BQ-Q100,115 NXP USA Inc. 74HC74BQ-Q100,115 -
RFQ
ECAD 9271 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 D- 타입 74HC74 보완 보완 2V ~ 6V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 0000.00.0000 1 2 1 5.2MA, 5.2MA 설정 (설정 사전) 및 재설정 82 MHz 긍정적 긍정적 가장자리 37ns @ 6v, 50pf 40 µA 3.5 pf
NC7SZ125M5X-L22090 onsemi NC7SZ125M5X-L22090 0.4400
RFQ
ECAD 2451 0.00000000 온세미 7SZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NC7SZ125 - 3 국가 1.65V ~ 5.5V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 버퍼, 반전 비 1 1 32MA, 32MA
CD4002BF3A Texas Instruments CD4002BF3A -
RFQ
ECAD 3245 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 2 3V ~ 18V 14-CDIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-CD4002BF3A 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 6.8ma, 6.8ma 5 µA 4 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74HCT125D,652 NXP USA Inc. 74HCT125D, 652 -
RFQ
ECAD 4159 0.00000000 NXP USA Inc. 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74HCT125 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,140 버퍼, 반전 비 4 1 6MA, 6MA
SN74HC367ANSR Texas Instruments SN74HC367ANSR -
RFQ
ECAD 8611 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 3 국가 2V ~ 6V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 296-SN74HC367ANSR 1 버퍼, 반전 비 2 2, 4 7.8ma, 7.8ma
SN74AS174D Texas Instruments SN74AS174D 3.3833
RFQ
ECAD 5775 0.00000000 텍사스 텍사스 74AS 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) D- 타입 74AS174 트라이 트라이, 스테이트 반전 4.5V ~ 5.5V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 40 1 6 2MA, 20MA 마스터 마스터 100MHz 긍정적 긍정적 가장자리 10NS @ 5V, 50pf 45 MA
5962-8956806UA Renesas Electronics America Inc 5962-8956806UA 107.5312
RFQ
ECAD 9105 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 7200 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 28-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-8956806 확인되지 확인되지 4.5 V ~ 5.5 v 28-cdip 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-5962-8956806UA 13 비동기 25MHz 36k (4k x 9) 30ns 150ma 단방향 깊이, 너비 아니요 아니요
4042BDC National Semiconductor 4042BDC 2.4400
RFQ
ECAD 23 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 4042 보완 보완 - 16-CDIP 다운로드 rohs 비준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 d- 타입 투명 타입 - 4 : 4 1 47NS @ 15V, 50pf
74LVC162244ADL,112 NXP USA Inc. 74LVC162244ADL, 112 -
RFQ
ECAD 3839 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 튜브 활동적인 74LVC162244 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,581
74HC573D/S400,118 Nexperia USA Inc. 74HC573D/S400,118 0.1800
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 트라이 트라이, 스테이트 반전 2V ~ 6V 20- 의자 - 2156-74HC573D/S400,118 1,655 d- 타입 투명 타입 7.8ma, 7.8ma 8 : 8 1 14ns @ 6v, 50pf
MC14069UBF onsemi MC14069UBF -
RFQ
ECAD 3844 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 MC14069 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74H00PC National Semiconductor 74h00pc 1.7700
RFQ
ECAD 49 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74H00 4 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 - 40 MA 2 - - -
NVT2006BS,118 NXP USA Inc. NVT2006BS, 118 1.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-vfqfn 노출 패드 자동 자동 감지 NVT2006 열린 열린, 배수구 풀 1 16-HVQFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 - - - 전압 전압 양방향 6 1 V ~ 3.6 v 1.8 V ~ 5.5 v
MC10105P Rochester Electronics, LLC MC10105P 30.1600
RFQ
ECAD 467 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC * 대부분 활동적인 MC10105 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-MC10105P-2156 1
5962-8974001RA Texas Instruments 5962-8974001RA -
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-8974001RA 1
JM54ACT151BEA-R National Semiconductor JM54ACT151BEA-R 292.0200
RFQ
ECAD 454 0.00000000 국가 국가 54ACT 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 데이터 데이터/선택기 4.5V ~ 5.5V 16-CDIP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 24MA, 24MA 단일 단일 1 x 8 : 1 1
72403L25P Renesas Electronics America Inc 72403L25P -
RFQ
ECAD 4567 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 7200 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 72403 확인되지 확인되지 4.5 V ~ 5.5 v 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 25 비동기 25MHz 256 (64 x 4) 34ns 35MA 단방향 깊이, 너비 아니요 아니요 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고