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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
SN74LVC2G14IDCKRQ1 Texas Instruments SN74LVC2G14IDCKRQ1 0.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 슈미트 슈미트 74LVC2G14 2 1.65V ~ 5.5V SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 10 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf 0.3V ~ 1.4V 1.4V ~ 3.7V
SN74AUC1G06DCKR Texas Instruments SN74AUC1G06DCKR 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 열린 열린 74AUC1G06 1 0.8V ~ 2.7V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 -, 9MA 10 µA 1 1.8ns @ 2.5v, 30pf 0V ~ 0.7V 1.7V
MC910F Motorola MC910F 5.7000
RFQ
 ECAD 6318 0.00000000 모토로라 - 대부분 활동적인 MC910 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
5962-8984401CA Texas Instruments 5962-8984401CA 13.7700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 텍사스 텍사스 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 5962-8984401 4 4.5V ~ 5.5V 14-CDIP - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-5962-8984401CA-296 귀 99 8542.39.0001 1 xor (또는 독점) 4MA, 4MA 2 µA 2 32ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
SN74LV11ATPWRQ1 Texas Instruments SN74LV11ATPWRQ1 -
RFQ
 ECAD 7353 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100, 74LV 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LV11 3 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 그리고 그리고 12MA, 12MA 20 µA 3 7.9ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
74LVC32AD,118 Nexperia USA Inc. 74LVC32AD, 118 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVC32 4 1.2V ~ 3.6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 24MA, 24MA 40 µA 2 3.8ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74ABT00DB,112 Nexperia USA Inc. 74ABT00DB, 112 -
RFQ
 ECAD 1342 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74ABT 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74ABT00 4 4.5V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 78 NAND 게이트 15ma, 20ma 50 µA 2 3.6ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74LS19ANSR Texas Instruments SN74LS19ANSR 0.8970
RFQ
 ECAD 5312 0.00000000 텍사스 텍사스 74ls 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74LS19 6 4.75V ~ 5.25V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 400µA, 8mA 1 30NS @ 5V, 15pf 0.75V 2.15V
74LVC3G14GF,115 Nexperia USA Inc. 74LVC3G14GF, 115 0.6400
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn 슈미트 슈미트 74LVC3G14 3 1.65V ~ 5.5V 8-XSON (1.35X1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 32MA, 32MA 4 µA 3 4.3ns @ 5V, 50pf 0.25V ~ 1.2V 1.5V ~ 3.6V
74LVC3G06DP,125 NXP USA Inc. 74LVC3G06DP, 125 0.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 74LVC3G06 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000
74LVC1G04GV-Q100125 NXP USA Inc. 74LVC1G04GV-Q100125 -
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74LVC1G04 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
DM74S04M Fairchild Semiconductor DM74S04M 0.1500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74S 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74S04 6 4.75V ~ 5.25V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 1ma, 20ma 54 MA 1 8NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
JM38510/30502BDA Texas Instruments JM38510/30502BDA -
RFQ
 ECAD 2214 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-JM38510/30502BDA 1
DM54LS02W/883 National Semiconductor DM54LS02W/883 8.4000
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 국가 국가 54ls 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack - 54LS02 4 4.5V ~ 5.5V 14-cfp 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 400µA, 4MA 5.4 MA 2 18NS @ 5V, 50pf 0.7V 2V
74VHCT04AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHCT04AFT 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74VHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74VHCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 7.7ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74LVC2G86DCURG4 Texas Instruments SN74LVC2G86DCURG4 -
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74LVC2G86 2 1.65V ~ 5.5V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 32MA, 32MA 10 µA 2 3.6ns @ 5V, 50pf 0.58V ~ 1.65V 1.07V ~ 3.85V
CD4002BM96 Texas Instruments CD4002BM96 0.6300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - CD4002 2 3V ~ 18V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 3.4ma, 3.4ma 1 µA 4 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74F10PCQR National Semiconductor 74f10pcqr 0.1000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 국가 국가 74f 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74F10 3 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 1ma, 20ma 7.7 MA 3 5NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
CD74HCT04EX Harris Corporation CD74HCT04EX 0.1800
RFQ
 ECAD 8961 0.00000000 해리스 해리스 74hct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 4MA, 4MA 2 µA 1 19NS @ 4.5V, 50pf 0.8V 2V
TC7WH00FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH00FK, LJ (CT 0.0871
RFQ
 ECAD 7043 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7WH 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 7WH00 2 2V ~ 5.5V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) TC7WH00FKLJ (CT 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 4 7.5ns @ 5V, 50pf - -
74AUP1G06GX,125 NXP USA Inc. 74AUP1G06GX, 125 -
RFQ
 ECAD 4022 0.00000000 NXP USA Inc. 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 열린 열린 74AUP1G06 1 0.8V ~ 3.6V 5-X2SON (0.80x0.80) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 -, 4MA 500 NA 1 10.5ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
CD40107BM96 Texas Instruments CD40107BM96 0.4800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 CD40107 2 3V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 -, 68ma 4 µA 2 100ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
JM38510/17101BCA Texas Instruments JM38510/17101BCA -
RFQ
 ECAD 7339 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-JM38510/17101BCA 1
74HC03D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC03D 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 74HC03 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 -, 5.2ma 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
MC74HC4002FL1 onsemi MC74HC4002FL1 -
RFQ
 ECAD 6329 0.00000000 온세미 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC4002 2 2V ~ 6V 14 -Soic - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1,000 게이트도 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 20ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
SN74S11D Texas Instruments SN74S11D 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74S11 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
SN74AUP1G08DRY2 Texas Instruments SN74AUP1G08DRY2 0.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 74AUP1G08 1 0.8V ~ 3.6V 6 x (1.45x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 그리고 그리고 4MA, 4MA 500 NA 2 6.2ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
TC7SET04FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET04FU, LJ (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7 세트 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7 세트 04 1 4.5V ~ 5.5V 5-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 10.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LVC1G08GX,125 Nexperia USA Inc. 74LVC1G08GX, 125 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 - 74LVC1G08 1 1.65V ~ 5.5V 5-X2SON (0.80x0.80) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 4 µA 2 4NS @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
MC74AC86N onsemi MC74AC86N -
RFQ
 ECAD 9163 0.00000000 온세미 74AC 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74AC86 4 2V ~ 6V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 xor (또는 독점) 24MA, 24MA 4 µA 2 8.5ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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