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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
UHD532/883 Rochester Electronics, LLC UHD532/883 96.5600
RFQ
 ECAD 440 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC * 대부분 활동적인 UHD532 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74HC00PW-Q100,118 Nexperia USA Inc. 74HC00PW-Q100,118 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC00 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 40 µA 2 7NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
5400/BDA Rochester Electronics, LLC 5400/BDA 60.3600
RFQ
 ECAD 642 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC * 대부분 활동적인 5400 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74LVC1G27GW,125 Nexperia USA Inc. 74LVC1G27GW, 125 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - 74LVC1G27 1 1.65V ~ 5.5V 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 32MA, 32MA 4 µA 3 4.5ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 0.95V ~ 3.4V
5425DM National Semiconductor 5425dm 0.5100
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 ECAD 8369 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 스트로브 5425 2 4.5V ~ 5.5V 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 16MA 19 MA 4 22ns @ 5V, 15pf 0.8V 2V
MC74ACT05M onsemi MC74ACT05M 0.0600
RFQ
 ECAD 6529 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74Act05 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
SNJ54AHCT14J Texas Instruments SNJ54AHCT14J 10.5000
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 54AHCT14 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
NC7WZ04FHX onsemi NC7WZ04FHX -
RFQ
 ECAD 1448 0.00000000 온세미 7wz 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 7WZ04 2 1.65V ~ 5.5V 6-Micropak2 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 32MA, 32MA 1 µA 2 3.6ns @ 5V, 50pf - -
HEF4001BT/S400118 NXP USA Inc. HEF4001BT/S400118 0.0800
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 ECAD 3298 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 HEF4001 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74AHC1G04GM,115 NXP USA Inc. 74AHC1G04GM, 115 -
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 ECAD 3737 0.00000000 NXP USA Inc. 74AHC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74AHC1G04 1 2V ~ 5.5V 6- XSON, SOT886 (1.45x1) 다운로드 0000.00.0000 1 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
MC74HCU04ADR2G onsemi MC74HCU04ADR2G 0.4600
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 온세미 74HCU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCU04 6 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 5.2MA, 5.2MA 1 µA 1 12NS @ 6V, 50pf 0.3V ~ 1.1V 1.7V ~ 4.8V
SN74HC14DE4 Texas Instruments SN74HC14DE4 1.0900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC14 6 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 인버터 5.2MA, 5.2MA 2 µA 1 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
TC74HC00APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC00APF 0.4800
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74HC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HC00 4 2V ~ 6V 14-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74AHC14NS Texas Instruments SN74AHC14NS 0.0900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74AHC14 - 귀 99 8542.39.0001 1
74ABT00PW,118 NXP USA Inc. 74ABT00PW, 118 0.3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. 74ABT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74ABT00 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 15ma, 20ma 50 µA 2 3.6ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MCW100E101 Microchip Technology MCW100E101 -
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 튜브 활동적인 MCW100 - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
JM38510/37003BCA Texas Instruments JM38510/37003BCA 19.4300
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 JM38510 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
74AHCT32PW-Q100J Nexperia USA Inc. 74AHCT32PW-Q100J 0.1561
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74AHCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74HC132PW,112 NXP Semiconductors 74HC132PW, 112 0.1200
RFQ
 ECAD 2956 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HC132 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HC132PW, 112-954 2,400
NLVAC11DR2 onsemi nlvac11dr2 -
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 74AC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - NLVAC11 3 2V ~ 6V 14 -Soic - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 24MA, 24MA 4 µA 3 8NS @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
TC7SZ86FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ86FU, LJ (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7SZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SZ86 1 1.8V ~ 5.5V 5-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 32MA, 32MA 2 µA 2 5.4ns @ 5V, 50pf - -
74HC32PW/AU118 NXP USA Inc. 74HC32PW/AU118 0.0800
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC32 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
DM74ALS32MX Fairchild Semiconductor DM74ALS32MX 0.1500
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74ALS 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74ALS32 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 400µA, 8mA 2 14ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
TC7W02F(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7W02F (TE12L) -
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 7W Digi-Reel® 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.122 ", 3.10mm 너비) - 7W02 2 2V ~ 6V 8-SOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 게이트도 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74AUC2G02DCURG4 Texas Instruments SN74AUC2G02DCURG4 -
RFQ
 ECAD 3227 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74AUC2G02 2 0.8V ~ 2.7V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 9MA, 9MA 10 µA 2 1.9ns @ 2.5v, 30pf 0V ~ 0.7V 1.7V
74LV27D,118 NXP USA Inc. 74LV27D, 118 -
RFQ
 ECAD 4791 0.00000000 NXP USA Inc. 74lv 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LV27 3 1V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 12MA, 12MA 40 µA 3 10ns @ 3.3v, 50pf 0.3V ~ 0.8V 0.9V ~ 2V
SN7416DE4 Texas Instruments SN7416DE4 -
RFQ
 ECAD 1761 0.00000000 텍사스 텍사스 7400 튜브 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 오픈 오픈 SN7416 6 4.75V ~ 5.25V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 인버터 -, 40ma 1 23ns @ 5v, 15pf 0.8V 2V
5962-8769901MCA Texas Instruments 5962-8769901MCA 10.8500
RFQ
 ECAD 323 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 5962-8769901 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
74LS27PC National Semiconductor 74LS27pc 0.1200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 국가 국가 74ls 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74LS27 3 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 - 6.8 MA 3 - - -
SN74F08NSR Texas Instruments SN74F08NSR 0.6200
RFQ
 ECAD 8757 0.00000000 텍사스 텍사스 74f 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74F08 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 그리고 그리고 1ma, 20ma 2 5.6ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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