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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
74hc02d	0.5700	RFQ	8	Toshiba 반도체 a 저장	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HC02	4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	5.2MA, 5.2MA	1 µA	2	16ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
DM74ALS05AN	-	RFQ	1618	온세미	74ALS	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	오픈 오픈	74ALS05	6	4.5V ~ 5.5V	14-mdip	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	500	인버터	-, 8ma		1	54ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
SN74LVC1G08DBVR	0.3600	RFQ	84	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	74LVC1G08	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	32MA, 32MA	10 µA	2	4NS @ 5V, 50pf	-	-
MC74VHC1G132DF2G	-	RFQ	4413	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	슈미트 슈미트	74VHC1G132	1	2V ~ 5.5V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트	8ma, 8ma	1 µA	2	9.7ns @ 5V, 50pf	0.65V ~ 1.45V	2.25V ~ 3.7V
SN74HC10D	1.0900	RFQ	2	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HC10	3	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	2 µA	3	16ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
MC74F32MEL	-	RFQ	7095	온세미	*	대부분	활동적인					74F32				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			2,000
74Act14SC	-	RFQ	3943	온세미	74ACT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트	74ATT14	6	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	55	인버터	24MA, 24MA	2 µA	1	10NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
DM74AS30M	-	RFQ	3447	온세미	74AS	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AS30	1	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,100	NAND 게이트	2MA, 20MA		8	5NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74Act04MTC	-	RFQ	2038	온세미	74ACT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74Act04	6	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	94	인버터	24MA, 24MA	4 µA	1	8.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74VHC14MX	0.6400	RFQ	6	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트	74VHC14	6	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	8ma, 8ma	2 µA	1	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
74VHCT86ATTR	-	RFQ	9220	stmicroelectronics	74VHCT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74VHCT86	4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	xor (또는 독점)	8ma, 8ma	2 µA	2	8.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74LVC11PW/AU118	0.0800	RFQ	4656	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	쓸모없는					74LVC11				다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	2,500
CD74AC02ME4	-	RFQ	5677	텍사스 텍사스	74AC	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AC02	4	1.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	게이트도	24MA, 24MA	4 µA	2	11.5ns @ 5V, 50pf	0.3V ~ 1.65V	1.2V ~ 3.85V
SN74AHC08DR	0.3600	RFQ	9	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AHC08	4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고	8ma, 8ma	2 µA	2	7.9ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
MC74HC00AF	-	RFQ	9935	온세미	74HC	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74HC00	4	2V ~ 6V	SOEIAJ-14	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	1 µA	2	13ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74AS86ADR	-	RFQ	8093	텍사스 텍사스	74AS	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AS86	4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	xor (또는 독점)	2MA, 20MA		2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
Sn74AHC00DR	0.3800	RFQ	8146	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AHC00	4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	8ma, 8ma	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
SN74LVC04AD	1.0100	RFQ	770	텍사스 텍사스	74LVC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LVC04	6	1.65V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	인버터	24MA, 24MA	1 µA	1	4.3ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74AHCT3G14DP-Q100H	0.6800	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	슈미트 슈미트	74AHCT3G14	3	4.5V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	3	8.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 0.6V	2V
74AUP3G04GD, 125	0.1700	RFQ	74	NXP USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-xfdfn	-	74AUP3G04	3	0.8V ~ 3.6V	8- Xson (2x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	4MA, 4MA	500 NA	3	5.4ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
74VHCT02PW-Q100J	0.5000	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74VHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74VHCT02	4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	8ma, 8ma	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
SN74LVC1G132YEPR	-	RFQ	7750	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-XFBGA, DSBGA	슈미트 슈미트	74LVC1G132	1	1.65V ~ 5.5V	5-DSBGA (1.4x0.9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트	32MA, 32MA	10 µA	2	5NS @ 5V, 50pf	0.39V ~ 1.87V	1.16V ~ 3.33V
sn74AHCT04PWR	0.3800	RFQ	5095	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74AHCT04	6	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터	8ma, 8ma	2 µA	1	7.7ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
MC74LVX132DR2G	0.6500	RFQ	2	온세미	74lvx	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LVX132	4	2V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	4MA, 4MA	2 µA	2	15.4ns @ 3.3v, 50pf	0.3V ~ 1V	1.6V ~ 2.6V
74axp2g14gmh	0.1407	RFQ	3638	Nexperia USA Inc.	74axp	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-xfdfn	슈미트 슈미트	74axp2g14	2	0.7V ~ 2.75V	6- XSON, SOT886 (1.45x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	2	3.2ns @ 2.5v, 5pf	-	-
74hct32db, 118	-	RFQ	7269	Nexperia USA Inc.	74hct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74HCT32	4	4.5V ~ 5.5V	14-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	또는 또는	4MA, 5.2MA	2 µA	2	24ns @ 4.5v, 50pf	0.8V	2V
NC7SP38L6X	0.5000	RFQ	211	온세미	7SP	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn	열린 열린	7SP38	1	0.9V ~ 3.6V	6 마이크로 팩	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	5,000	NAND 게이트	-, 2.6ma	900 NA	2	10ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2.1V
74LVC06APW-Q100118	-	RFQ	5880	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					74LVC06				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	1
SN74AUP2G04DRYR	0.3120	RFQ	4324	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn	-	74AUP2G04	2	0.8V ~ 3.6V	6 x (1.45x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터	4MA, 4MA	500 NA	2	6.2ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
NC7ST00P5	-	RFQ	7019	온세미	일곱 일곱	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	7st00	1	4.5V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	250	NAND 게이트	2MA, 2MA	1 µA	2	26ns @ 5.5v, 50pf	0.8V	2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²