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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
M38510/30501BCA Texas Instruments M38510/30501BCA -
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 296-M38510/30501BCA 귀 99 8542.39.0001 1
MM74HCT32M onsemi MM74HCT32M 0.7500
RFQ
 ECAD 825 0.00000000 온세미 74hct 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 또는 또는 4.8ma, 4.8ma 2 µA 2 20NS @ 5V, 15pf 0.8V 2V
74HC08BQ-Q100,115 NXP USA Inc. 74HC08BQ-Q100,115 -
RFQ
 ECAD 5310 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74HC08 4 2V ~ 6V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74LV132PW-Q100J Nexperia USA Inc. 74LV132PW-Q100J 0.1557
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74LV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74LV132 4 1V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 12MA, 12MA 20 µA 2 9NS @ 5V, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.4V ~ 3.9V
74AHC00BQ,115 Nexperia USA Inc. 74AHC00BQ, 115 0.1520
RFQ
 ECAD 8455 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74AHC00 4 2V ~ 5.5V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
SN74LV02ARGYR Texas Instruments SN74LV02ARGYR 0.6100
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74LV02 4 2V ~ 5.5V 14-VQFN (3.5x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 12MA, 12MA 20 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
M74HC14B1R STMicroelectronics M74HC14B1R -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 stmicroelectronics 74HC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 슈미트 슈미트 74HC14 6 2V ~ 6V 14-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 5.2MA, 5.2MA 1 µA 1 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.5V 1.5V ~ 4.2V
74AHC1G14SE-7 Diodes Incorporated 74AHC1G14SE-7 0.2800
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 슈미트 슈미트 74AHC1G14 1 2V ~ 5.5V SOT-353 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
M74HC04YRM13TR STMicroelectronics M74HC04YRM13TR 0.8800
RFQ
 ECAD 8599 0.00000000 stmicroelectronics 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HC04 6 2V ~ 6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 5.2MA, 5.2MA 1 µA 1 16ns @ 6v, 50pf 0V ~ 0.26V 1.9V ~ 5.8V
NC7SZ332L6X onsemi NC7SZ332L6X -
RFQ
 ECAD 5008 0.00000000 온세미 7SZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 7SZ332 1 1.65V ~ 5.5V 6 마이크로 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 또는 또는 32MA, 32MA 2 µA 3 7NS @ 5V, 50pf - -
74VHCT03AMTR STMicroelectronics 74VHCT03AMTR -
RFQ
 ECAD 4169 0.00000000 stmicroelectronics 74VHCT 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 74VHCT03 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 -, 8ma 2 µA 2 9.8ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74VHCT00ASJX Fairchild Semiconductor 74VHCT00ASJX 0.1900
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74VHCT 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74VHCT00 4 4.5V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
CD74HCT04E Texas Instruments CD74HCT04E 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 4MA, 4MA 2 µA 1 19NS @ 4.5V, 50pf 0.8V 2V
MC10H113L onsemi MC10H113L -
RFQ
 ECAD 7046 0.00000000 온세미 10h 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 75 ° C 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - MC10H113 4 -4.94V ~ -5.46V 16-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 xor (또는 독점) 50MA, 50MA 2 1.8ns @ -5.2v, - -1.48V -1.13V
74LVC1G08GW/C1125 NXP USA Inc. 74LVC1G08GW/C1125 -
RFQ
 ECAD 6511 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74LVC1G08 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
5427/BCA Rochester Electronics, LLC 5427/BCA -
RFQ
 ECAD 4102 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC * 대부분 활동적인 5427 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
SN74AHC86N Texas Instruments SN74AHC86N 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74AHC86 4 2V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 2 µA 2 8.8ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
74AXP1G02GSH Nexperia USA Inc. 74axp1g02gsh 0.1301
RFQ
 ECAD 9151 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74axp 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74axp1g02 1 0.7V ~ 2.75V 6- XSON, SOT1202 (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 게이트도 8ma, 8ma 600 NA 2 2.8ns @ 2.5v, 5pf 0.7V 1.6V
MM74HCT14SJX onsemi MM74HCT14SJX -
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 온세미 74hct 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74HCT14 6 4.5V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 4.8ma, 4.8ma 1 µA 1 20NS @ 5V, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
CD74HC21E Texas Instruments CD74HC21E 0.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HC21 2 2V ~ 6V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 4 19NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NC7ST04P5X onsemi NC7ST04P5X 0.0840
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 일곱 일곱 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7st04 1 4.5V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 2MA, 2MA 1 µA 1 26ns @ 5.5v, 50pf 0.8V 2V
74LVC27D,112 NXP USA Inc. 74LVC27D, 112 -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVC27 3 1.2V ~ 3.6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 57 게이트도 24MA, 24MA 40 µA 3 2.4ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVC32APW/S400118 NXP USA Inc. 74LVC32APW/S400118 0.0800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVC32 4 1.2V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 24MA, 24MA 40 µA 2 5ns @ 3.3v, 50pf 0.12V ~ 0.8V 1.08V ~ 2V
74ALVC00BQ,115 Nexperia USA Inc. 74ALVC00BQ, 115 0.1761
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74ALVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74ALVC00 4 1.65V ~ 3.6V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 24MA, 24MA 20 µA 2 2.1ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
MC74VHC00DTG onsemi MC74VHC00DTG 0.7000
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 온세미 74VHC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74VHC00 4 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
SN74LV32ADBRE4 Texas Instruments SN74LV32ADBRE4 -
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LV32 4 2V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 또는 또는 12MA, 12MA 20 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
74HC03PW,112 Nexperia USA Inc. 74HC03PW, 112 -
RFQ
 ECAD 3034 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 열린 열린 74HC03 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 NAND 게이트 -, 5.2ma 2 µA 2 16ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74LV00ADBRG4 Texas Instruments SN74LV00ADBRG4 0.0800
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LV00 4 2V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 12MA, 12MA 20 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
SN74LVC32APWRE4 Texas Instruments SN74LVC32APWRE4 -
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVC32 4 1.65V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 또는 또는 24MA, 24MA 1 µA 2 3.6ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
SN74LS14N Texas Instruments SN74LS14N 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 74ls 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 슈미트 슈미트 74LS14 6 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 400µA, 8mA 1 22ns @ 5V, 15pf 0.5V 1.9V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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