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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
74LVC2G04GN,132 Nexperia USA Inc. 74LVC2G04GN, 132 0.2080
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74LVC2G04 2 1.65V ~ 5.5V 6-XSON (0.9x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 32MA, 32MA 4 µA 2 3.2ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVT04PW,112 Nexperia USA Inc. 74LVT04PW, 112 1.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVT 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVT04 6 2.7V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 인버터 20MA, 32MA 1 2.6ns @ 3.3v, 50pf 0.8V 2V
SNJ54LS05W Texas Instruments SNJ54LS05W 23.3700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 54LS05 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
SN54AC00VTD1 Texas Instruments SN54AC00VTD1 365.9040
RFQ
 ECAD 6508 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 주사위 - 54AC00 4 2V ~ 6V 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 NAND 게이트 - 2 - - -
74HCT1G32GW/C4125 NXP USA Inc. 74HCT1G32GW/C4125 -
RFQ
 ECAD 9192 0.00000000 NXP USA Inc. 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74HCT1G32 1 4.5V ~ 5.5V 5-TSSOP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 또는 또는 2MA, 2MA 20 µA 2 10NS @ 4.5V, 50pf 0.8V 2V
HEF40106BTT/S400118 NXP USA Inc. HEF40106BTT/S400118 0.1700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 Hef40106 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500
MC74VHC04D onsemi MC74VHC04D 0.0700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74VHC04 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
74AXP1G06GN125 NXP USA Inc. 74axp1g06gn125 -
RFQ
 ECAD 1205 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74axp1g06 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 5,000
NC7SVL08FHX Fairchild Semiconductor NC7SVL08FHX 0.1500
RFQ
 ECAD 168 0.00000000 페어차일드 페어차일드 7SVL 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 7SVL08 1 0.9V ~ 3.6V 6-Micropak2 ™ 다운로드 귀 99 8542.39.0001 2,067 그리고 그리고 24MA, 24MA 900 NA 2 3.5ns @ 3v, 30pf 0.7V ~ 0.8V 0.9V ~ 1.5V
MC74F10N onsemi MC74F10N 0.1200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74F10 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74AC11086D Texas Instruments 74AC11086D 2.4400
RFQ
 ECAD 293 0.00000000 텍사스 텍사스 74AC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AC11086 4 3V ~ 5.5V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 40 xor (또는 독점) 24MA, 24MA 4 µA 2 6.8ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
74AHC08D,112 Nexperia USA Inc. 74AHC08D, 112 -
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AHC 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AHC08 4 2V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 57 그리고 그리고 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
JM38510/00401BDA Texas Instruments JM38510/00401BDA 11.9600
RFQ
 ECAD 632 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 JM38510 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
54S05DM National Semiconductor 54S05dm -
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 국가 국가 54S 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 오픈 오픈 54S05 6 4.5V ~ 5.5V 14-cerdip 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 - 54 MA 1 - - -
SN74LVC02ADR Texas Instruments SN74LVC02ADR 0.4600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVC02 4 1.65V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 24MA, 24MA 1 µA 2 4.2ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
CD74HCT00MR2490 Harris Corporation CD74HCT00MR2490 0.0600
RFQ
 ECAD 2969 0.00000000 해리스 해리스 74hct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT00 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic - 0000.00.0000 1,000 NAND 게이트 4MA, 4MA 2 µA 2 20ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74HC1G00GV,125 NXP USA Inc. 74HC1G00GV, 125 -
RFQ
 ECAD 7784 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74HC1G00 1 2V ~ 6V 5-TSP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 2.6MA, 2.6MA 20 µA 2 23ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
HEF4070BT/S400118 NXP USA Inc. HEF4070BT/S400118 -
RFQ
 ECAD 1780 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 HEF4070 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500
74HC14N,652 NXP USA Inc. 74HC14N, 652 -
RFQ
 ECAD 2776 0.00000000 NXP USA Inc. 74HC 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 슈미트 슈미트 74HC14 6 2V ~ 6V 14-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 5.2MA, 5.2MA 2 µA 1 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
SN74HCS09DR Texas Instruments SN74HCS09DR 0.0990
RFQ
 ECAD 4098 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트, 트리거 드레인 74HCS09 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 296-SN74HCS09DRTR 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 -, 7.8ma 2 µA 2 11ns @ 6v, 50pf 1V ~ 3V 1.5V ~ 4.2V
CD54AC04F3A Texas Instruments CD54AC04F3A -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-CD54AC04F3A 1
SN74ALS11ADR Texas Instruments sn74als11adr 0.4335
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 텍사스 텍사스 74ALS 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74ALS11 3 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 400µA, 8mA 3 13ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
CD74ACT05M Texas Instruments CD74ACT05M 0.9700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 74ACT 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 74Act05 6 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 인버터 -, 24ma 4 µA 1 10.8ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74HCT1G14GV,125 Nexperia USA Inc. 74HCT1G14GV, 125 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 슈미트 슈미트 74HCT1G14 1 4.5V ~ 5.5V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 2MA, 2MA 20 µA 1 51ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
SN74LVC1G06DCKRE4 Texas Instruments SN74LVC1G06DCKRE4 -
RFQ
 ECAD 7253 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 열린 열린 74LVC1G06 1 1.65V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 -, 32MA 10 µA 1 3.5ns @ 5V, 50pf 0.58V ~ 1.65V 1.07V ~ 3.85V
74AUP2G0604GW,125 Nexperia USA Inc. 74AUP2G0604GW, 125 -
RFQ
 ECAD 6693 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 열린 열린 74AUP2G0604 2 0.8V ~ 3.6V SOT-363 다운로드 0000.00.0000 1 인버터 4MA, 4MA 500 µA 2 10.5ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
XC74UL86AAMR Torex Semiconductor Ltd XC74UL86AAMR -
RFQ
 ECAD 3150 0.00000000 Torex t ltd 74UL 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-23-6 - 74UL86 1 2V ~ 5.5V SOT-26 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 1 µA 2 8.8ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
SN74LS02DG4 Texas Instruments SN74LS02DG4 -
RFQ
 ECAD 7991 0.00000000 텍사스 텍사스 74ls 튜브 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LS02 4 4.75V ~ 5.25V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 게이트도 400µA, 16MA 2 15ns @ 5v, 15pf 0.8V 2V
DM7414N National Semiconductor DM7414N 0.3400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 슈미트 슈미트 입력 DM7414 6 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 800µA, 16MA 60 MA 1 22ns @ 5V, 15pf 1.1V 2V
74HCT02BQ-Q100,115 NXP Semiconductors 74HCT02BQ-Q100,115 -
RFQ
 ECAD 9715 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HCT02 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT02BQ-Q100,115-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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