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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
74LVC08ABQ, 115	0.4700	RFQ	59	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드	-	74LVC08	4	1.2V ~ 3.6V	14-dhvqfn (2.5x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	24MA, 24MA	40 µA	2	4.1ns @ 3.3v, 50pf	0.12V ~ 0.8V	1.08V ~ 2V
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74AUP2G08GM, 125	-	RFQ	4427	Nexperia USA Inc.	74AUP	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-xfqfn 노출 패드	-	74AUP2G08	2	0.8V ~ 3.6V	8-xqfn (1.6x1.6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	4,000	그리고 그리고	4MA, 4MA	500 NA	2	6.2ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
SN74LS20NG4	-	RFQ	8701	텍사스 텍사스	74ls	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74LS20	2	4.75V ~ 5.25V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트	400µA, 8mA		4	15ns @ 5v, 15pf	0.8V	2V
sn74lv11adr	0.6400	RFQ	2	텍사스 텍사스	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LV11	3	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고	12MA, 12MA	20 µA	3	7.9ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V
CD74HC00MS2074	0.0800	RFQ	8570	해리스 해리스	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HC00	4	2V ~ 6V	14 -Soic	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	15NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
40060441	-	RFQ	8386	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	sic에서 중단되었습니다					40060441				-		공급 공급 정의되지 업체는				0000.00.0000	1
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SN74LVC2G08DCTRE4	0.6400	RFQ	767	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-LSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비)	-	74LVC2G08	2	1.65V ~ 5.5V	sm8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	32MA, 32MA	10 µA	2	3.8ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
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SN74HCS09DR	0.0990	RFQ	4098	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	슈미트 슈미트, 트리거 드레인	74HCS09	4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-SN74HCS09DRTR	귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고	-, 7.8ma	2 µA	2	11ns @ 6v, 50pf	1V ~ 3V	1.5V ~ 4.2V
74VHCT00AMX	-	RFQ	5298	온세미	74VHCT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74VHCT00	4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	8ma, 8ma	2 µA	2	7.9ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
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74HC14N, 652	-	RFQ	2776	NXP USA Inc.	74HC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	슈미트 슈미트	74HC14	6	2V ~ 6V	14-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	인버터	5.2MA, 5.2MA	2 µA	1	21ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
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8404601ca	-	RFQ	8257	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-8404601CA			1
DM7414N	0.3400	RFQ	20	국가 국가	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	슈미트 슈미트 입력	DM7414	6	4.75V ~ 5.25V	14-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	인버터	800µA, 16MA	60 MA	1	22ns @ 5V, 15pf	1.1V	2V
MC74VHC1G02DFT2	-	RFQ	4802	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	-	74VHC1G02	1	2V ~ 5.5V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도	8ma, 8ma	1 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
74HCT1G14GV, 125	0.4300	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	슈미트 슈미트	74HCT1G14	1	4.5V ~ 5.5V	SC-74A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	2MA, 2MA	20 µA	1	51ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 0.6V	1.9V ~ 2.1V
74LVC2G14GM, 132	0.0700	RFQ	5724	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	슈미트 슈미트	74LVC2G14	2	1.65V ~ 5.5V	6-XSON (1.45X1)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	인버터	32MA, 32MA	4 µA	2	4.3ns @ 5V, 50pf	0.25V ~ 1.2V	1.5V ~ 3.6V
TC7SH02F, LJ (CT	0.0824	RFQ	3803	Toshiba 반도체 a 저장	TC7SH	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	7SH02	1	2V ~ 5.5V	SMV	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도	8ma, 8ma	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V
74HC00PW/C4118	-	RFQ	5018	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HC00	4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	40 µA	2	7NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN74LVC02ADR	0.4600	RFQ	13	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LVC02	4	1.65V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	24MA, 24MA	1 µA	2	4.2ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74AHC00D, 118	0.4900	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AHC00	4	2V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	8ma, 8ma	2 µA	2	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
74HC1G00GV, 125	-	RFQ	7784	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	74HC1G00	1	2V ~ 6V	5-TSP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트	2.6MA, 2.6MA	20 µA	2	23ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
JM38510/00401BDA	11.9600	RFQ	632	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					JM38510				다운로드					귀 99	8542.39.0001	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²