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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
74LS136PC National Semiconductor 74LS136PC 0.3000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 국가 국가 74ls 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 오픈 오픈 74LS136 4 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 xor (또는 독점) - 10 MA 2 - - -
74LVC06AT14-13 Diodes Incorporated 74LVC06AT14-13 0.1108
RFQ
 ECAD 6125 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 74LVC06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -74LVC06AT14-13DIDKR 귀 99 8542.39.0001 2,500
SN74HC132DT Texas Instruments SN74HC132DT 1.0900
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC132 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
74AHCT1G00GV-Q100H Nexperia USA Inc. 74AHCT1G00GV-Q100H 0.1126
RFQ
 ECAD 2883 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74AHCT1G00 1 4.5V ~ 5.5V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74VHC1G135DFT2 onsemi MC74VHC1G135DFT2 -
RFQ
 ECAD 7566 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 슈미트 슈미트, 트리거 드레인 74VHC1G135 1 2V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 -, 8ma 1 µA 2 9.7ns @ 5V, 50pf 0.65V ~ 1.45V 2.25V ~ 3.7V
74LVC1G32GW/DG,125 NXP USA Inc. 74LVC1G32GW/DG, 125 -
RFQ
 ECAD 8053 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74LVC1G32 1 1.65V ~ 5.5V 5-TSSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 32MA, 32MA 200 µA 2 1.7ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
NC7SZ86P5X onsemi NC7SZ86P5X 0.3700
RFQ
 ECAD 3142 0.00000000 온세미 7SZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SZ86 1 1.65V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 32MA, 32MA 2 µA 2 5.4ns @ 5V, 50pf - -
NC7SV00FHX onsemi NC7SV00FHX -
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 온세미 7SV 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 7SV00 1 0.9V ~ 3.6V 6-Micropak2 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 NAND 게이트 24MA, 24MA 900 NA 2 2.3ns @ 3v, 30pf 0.7V ~ 0.8V 1.6V ~ 2V
5962-9231901M2A Texas Instruments 5962-9231901M2A 16.4600
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 5962-9231901 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
MC74HC04ADTR2 onsemi MC74HC04ADTR2 -
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 온세미 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC04 6 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 5.2MA, 5.2MA 1 µA 1 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74LV10AD Texas Instruments sn74lv10ad 0.8900
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LV10 3 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 NAND 게이트 12MA, 12MA 20 µA 3 7.9ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
NC7ST02L6X Fairchild Semiconductor NC7ST02L6X 0.1500
RFQ
 ECAD 444 0.00000000 페어차일드 페어차일드 일곱 일곱 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 7st02 1 4.5V ~ 5.5V 6 마이크로 팩 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 2MA, 2MA 1 µA 2 26ns @ 5.5v, 50pf 0.8V 2V
SN74AS00N Texas Instruments SN74AS00N 1.3700
RFQ
 ECAD 393 0.00000000 텍사스 텍사스 74AS 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74AS00 4 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 2MA, 20MA 2 4.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LV02D,112 Nexperia USA Inc. 74LV02d, 112 -
RFQ
 ECAD 1018 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74lv 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LV02 4 1V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 57 게이트도 12MA, 12MA 40 µA 2 6NS @ 5V, 50pf 0.3V ~ 0.8V 0.9V ~ 2V
74HCT03DB,118 Nexperia USA Inc. 74HCT03dB, 118 -
RFQ
 ECAD 2975 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 열린 열린 74HCT03 4 4.5V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 -, 4MA 2 µA 2 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
NC7SP14L6X onsemi NC7SP14L6X -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 온세미 7SP 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn 슈미트 슈미트 7SP14 1 0.9V ~ 3.6V 6 마이크로 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 2.6MA, 2.6MA 900 NA 1 9.2ns @ 3.3v, 30pf 0.1V ~ 0.6V 0.6V ~ 2.6V
SN74HC05NG4 Texas Instruments SN74HC05NG4 -
RFQ
 ECAD 6779 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 열린 열린 74HC05 6 2V ~ 6V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 -, 5.2ma 2 µA 1 20ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
MC10H211MEL onsemi MC10H211MEL -
RFQ
 ECAD 3192 0.00000000 온세미 10h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 3 개의 출력 MC10H211 2 -4.94V ~ -5.46V 16- Ooeaj 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 게이트도 50MA, 50MA 3 2ns @ -5.2v, - -1.48V -1.13V
74HCT14D/AUJ NXP USA Inc. 74HCT14D/AUJ -
RFQ
 ECAD 1617 0.00000000 NXP USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74HCT14 6 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935301264118 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 4MA, 4MA 2 µA 1 34ns @ 4.5v, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
SN74LVC1G38DCKRG4 Texas Instruments SN74LVC1G38DCKRG4 -
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 열린 열린 74LVC1G38 1 1.65V ~ 5.5V SC-70-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 -, 32MA 10 µA 2 3.9ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
CD74HC30MG4 Texas Instruments CD74HC30MG4 -
RFQ
 ECAD 3026 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HC30 1 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 8 22ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NL17SZ08DFT2G onsemi NL17SZ08DFT2G 0.3600
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 온세미 17SZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 17SZ08 1 1.65V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 1 µA 2 4.5ns @ 5V, 50pf - -
4001BDMQB National Semiconductor 4001BDMQB 2.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 4001B 4 - 14-CDIP 다운로드 rohs 비준수 2A (4 주) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 - 30 µA 2 - - -
MC74HC08AFELG onsemi MC74HC08AFELG -
RFQ
 ECAD 1138 0.00000000 온세미 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC08 4 2V ~ 6V SOEIAJ-14 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN7400D Texas Instruments SN7400D 1.6000
RFQ
 ECAD 689 0.00000000 텍사스 텍사스 7400 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - SN7400 4 4.75V ~ 5.25V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 NAND 게이트 400µA, 16MA 2 22ns @ 5V, 15pf 0.8V 2V
SN74AHCT00NSR Texas Instruments SN74AHCT00NSR 0.7600
RFQ
 ECAD 6253 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74AHCT00 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74AHCT1G02DBVT Texas Instruments SN74AHCT1G02DBVT 0.9100
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74AHCT1G02 1 4.5V ~ 5.5V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 게이트도 8ma, 8ma 1 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
JM38510/30501BDA Texas Instruments JM38510/30501BDA 12.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 JM38510 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
MC74HC04AFL2 onsemi MC74HC04AFL2 0.0600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 온세미 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC04 6 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 5.2MA, 5.2MA 1 µA 1 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74LVC1G00GX,125 NXP Semiconductors 74LVC1G00GX, 125 -
RFQ
 ECAD 6790 0.00000000 nxp 반도체 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 - 74LVC1G00 1 1.65V ~ 5.5V 5-X2SON (0.80x0.80) 다운로드 0000.00.0000 1 NAND 게이트 32MA, 32MA 4 µA 2 4NS @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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