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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음
SNJ54AS20J	-	RFQ	3007	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인									-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54AS20J			1
M74HCT132TTR	-	RFQ	1367	stmicroelectronics	74hct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	슈미트 슈미트	74HCT132	4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	4MA, 4MA	1 µA	2	30ns @ 4.5v, 50pf	0.5V ~ 0.6V	1.9V ~ 2.1V
SN74LVC2G00 년	-	RFQ	7653	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-XFBGA, DSBGA	-	74LVC2G00	2	1.65V ~ 5.5V	8-XFBGA, DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트	32MA, 32MA	10 µA	2	3.3ns @ 5v, 50pf	0.58V ~ 1.65V	1.07V ~ 3.85V
SN74LVC1G00DBVTG4	-	RFQ	9607	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753	-	74LVC1G00	1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-SN74LVC1G00DBVTG4-296	귀 99	8542.39.0001	250	NAND 게이트	32MA, 32MA	10 µA	2	4.3ns @ 5V, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74AHCT32QDRG4Q1	0.6500	RFQ	4961	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, 74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74AHCT32	4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는	8ma, 8ma	2 µA	2	7.9ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
74LVC04ATTR	-	RFQ	3463	stmicroelectronics	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74LVC04	6	1.65V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터	24MA, 24MA	10 µA	1	5.4ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
NC7SP00L6X	0.1600	RFQ	9946	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn	-	7SP00	1	0.9V ~ 3.6V	6 마이크로 팩	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	2.6MA, 2.6MA	900 NA	2	7ns @ 3.3v, 30pf	0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2.1V
SN74HCT08PW	1.0900	RFQ	3	텍사스 텍사스	74hct	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	74HCT08	4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90	그리고 그리고	4MA, 4MA	2 µA	2	22ns @ 5.5v, 50pf	0.8V	2V
nlu3g14cmx1tcg	-	RFQ	4698	온세미	Minigate ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-XFLGA	슈미트 슈미트	NLU3G14	3	1.65V ~ 5.5V	8- 룰가 (1.45x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터	8ma, 8ma	1 µA	3	10.6ns @ 5V, 50pf	0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
MC74AC32MR1	0.0600	RFQ	9	온세미	*	대부분	활동적인					74AC32				다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000
74AHC164D, 118	0.1200	RFQ	243	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74AHC164				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHC164D, 118-954			2,496
SN74S20NE4	1.6910	RFQ	5727	텍사스 텍사스	74S	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-		2	4.75V ~ 5.25V	14-PDIP	-	Rohs3 준수			296-SN74S20NE4	귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트	1ma, 20ma	18 MA	4	5NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
CD4001BCMX	-	RFQ	3452	온세미	4000B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	CD4001	4	3V ~ 15V	14 -Soic	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	3.4ma, 3.4ma	1 µA	2	70ns @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
SN74HC7002PW	2.8200	RFQ	669	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	슈미트 슈미트	74HC7002	4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90	게이트도	5.2MA, 5.2MA	2 µA	2	22ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
MC10H104M	-	RFQ	5163	온세미	10h	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 75 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	4/4 n/nand 출력	MC10H104	4	-4.94V ~ -5.46V	16- Ooeaj	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	그리고 그리고	50MA, 50MA		2	1.75ns @ -5.2v, -	-1.48V	-1.13V
HEF4070BT, 653	0.5200	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	4000B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	HEF4070	4	3V ~ 15V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	xor (또는 독점)	3MA, 3MA	4 µA	2	55NS @ 15V, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
sn74auc1g08yzar	-	RFQ	8166	텍사스 텍사스	74AUC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-XFBGA, DSBGA	-	74AUC1G08	1	0.8V ~ 2.7V	5-DSBGA (1.4x0.9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고	9MA, 9MA	10 µA	2	2NS @ 2.5V, 30pf	0.7V	1.7V
74AHCT08PW, 118	-	RFQ	2808	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74AHCT08				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT08PW, 118-954			1
CD74HCT14E-NG	-	RFQ	8263	텍사스 텍사스	74hct	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	슈미트 슈미트		6	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	-	Rohs3 준수			296-CD74HCT14E-NG			1	인버터	4MA, 4MA	2 µA	6	38ns @ 4.5v, 50pf	1.2V ~ 1.4V	1.9V ~ 2.1V
SN74HCT00N	0.6400	RFQ	3	텍사스 텍사스	74hct	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	-	74HCT00	4	4.5V ~ 5.5V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	NAND 게이트	4MA, 4MA	2 µA	2	18NS @ 5.5V, 50pf	0.8V	2V
MC74HC132AFR2	0.2300	RFQ	6	온세미	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	슈미트 슈미트	74HC132	4	2V ~ 6V	14 -Soic	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	1 µA	2	21ns @ 6v, 50pf	0.3V ~ 1.2V	1.5V ~ 4.2V
74AHCT2G32DC, 125	0.2210	RFQ	3595	Nexperia USA Inc.	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)	-	74AHCT2G32	2	4.5V ~ 5.5V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	또는 또는	8ma, 8ma	1 µA	2	7.9ns @ 5V, 50pf	0.8V	2V
SN74LVC06APWG4	-	RFQ	3164	텍사스 텍사스	74LVC	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	열린 열린	74LVC06	6	1.65V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90	인버터	-, 24ma	1 µA	1	3.5ns @ 3.3v, 50pf	0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
NLV74HC32ADG	0.4028	RFQ	1264	온세미	자동차, AEC-Q100, 74HC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74HC32	4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	55	또는 또는	5.2MA, 5.2MA	1 µA	2	19NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
54S22dm	-	RFQ	9180	국가 국가	54S	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	오픈 오픈	54S22	2	4.5V ~ 5.5V	14-CDIP	다운로드	rohs 비준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트	250µA, 20mA	18 MA	4	7NS @ 5V, 50pf	0.8V	2V
SN74HC20DBR	-	RFQ	7039	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	-	74HC20	2	2V ~ 6V	14-ssop	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	4,000	NAND 게이트	5.2MA, 5.2MA	2 µA	4	19NS @ 6V, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
SN54HC4075J	0.5200	RFQ	7582	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인					54HC4075				다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
MC14001BDTR2G	0.7000	RFQ	9146	온세미	4000B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	MC14001	4	3V ~ 18V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	게이트도	8.8ma, 8.8ma	1 µA	2	80ns @ 15v, 50pf	1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
SN74LV04ADG4	-	RFQ	7142	텍사스 텍사스	74lv	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LV04	6	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	인버터	12MA, 12MA	20 µA	1	7.5ns @ 5V, 50pf	0.5V	1.5V
MC74LVX00DR2	-	RFQ	1774	온세미	74lvx	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	-	74LVX00	4	2V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트	4MA, 4MA	2 µA	2	9.7ns @ 3.3v, 50pf	0.5V ~ 0.8V	1.5V ~ 2.4V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

게이트와 게이트와 (16927)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²