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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
74AUP1G38GM,132 Nexperia USA Inc. 74AUP1G38GM, 132 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 열린 열린 74AUP1G38 1 0.8V ~ 3.6V 6- XSON, SOT886 (1.45x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 NAND 게이트 -, 4MA 500 NA 2 12.7ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
CD4012BEG4 Texas Instruments CD4012BEG4 -
RFQ
 ECAD 4979 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - CD4012 2 3V ~ 18V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 3.4ma, 3.4ma 1 µA 4 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74HCT132D,653 Nexperia USA Inc. 74HCT132d, 653 0.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74HCT132 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 4MA, 4MA 2 µA 2 33ns @ 4.5v, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
NLV74HC86ADR2G onsemi NLV74HC86ADR2G 0.1651
RFQ
 ECAD 4110 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HC86 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 xor (또는 독점) 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 26NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
DM74ALS11AMX onsemi DM74ALS11AMX -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 온세미 74ALS 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74ALS11 3 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 400µA, 8mA 3 13ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LCX00SJX onsemi 74LCX00SJX -
RFQ
 ECAD 4594 0.00000000 온세미 74lcx 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LCX00 4 2V ~ 3.6V 14-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 24MA, 24MA 10 µA 2 5.2ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
SN74AUP1G32DBVT Texas Instruments SN74AUP1G32DBVT 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74AUP1G32 1 0.8V ~ 3.6V SOT-23-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 또는 또는 4MA, 4MA 500 NA 2 6.4ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
74VHC14FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC14ft 0.4600
RFQ
 ECAD 8510 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74VHC14 6 2V ~ 5.5V 14-TSSSOPB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 10.6ns @ 5V, 50pf 0.1V ~ 0.36V 2V ~ 4.5V
SNJ5401J Texas Instruments SNJ5401J -
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 SNJ5401 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
74HCT2G08DP-Q100H Nexperia USA Inc. 74HCT2G08DP-Q100H 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) - 74HCT2G08 2 4.5V ~ 5.5V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 4MA, 4MA 20 µA 2 14ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
MC74AC11DR2G onsemi MC74AC11DR2G 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 74AC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AC11 3 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 24MA, 24MA 4 µA 3 8NS @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
MC74LVX00DR2G onsemi MC74LVX00DR2G 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 74lvx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVX00 4 2V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 4MA, 4MA 2 µA 2 9.7ns @ 3.3v, 50pf 0.5V ~ 0.8V 1.5V ~ 2.4V
74HCT32D,653 Nexperia USA Inc. 74HCT32d, 653 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 4MA, 4MA 2 µA 2 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
CD4030BPW Texas Instruments CD4030BPW 1.3000
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - CD4030 4 3V ~ 18V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 xor (또는 독점) 3.4ma, 3.4ma 1 µA 2 100ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
SN74LVC1G386YEPR Texas Instruments SN74LVC1G386YEPR -
RFQ
 ECAD 2493 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-XFBGA, DSBGA - 74LVC1G386 1 1.65V ~ 5.5V 6-DSBGA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 32MA, 32MA 10 µA 3 4NS @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVQ02SC onsemi 74LVQ02SC -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 온세미 74LVQ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVQ02 4 2V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 74LVQ02SC-NDR 귀 99 8542.39.0001 1,100 게이트도 12MA, 12MA 2 µA 2 7.5ns @ 3.3v, 50pf 0.8V 2V
SN74LS04DG4 Texas Instruments SN74LS04DG4 -
RFQ
 ECAD 7270 0.00000000 텍사스 텍사스 74ls 튜브 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LS04 6 4.75V ~ 5.25V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 인버터 400µA, 8mA 1 15ns @ 5v, 15pf 0.8V 2V
74LVC2G86GT/S500115 NXP USA Inc. 74LVC2G86GT/S500115 0.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn - 74LVC2G86 2 1.65V ~ 5.5V 8-XSON (1.95X1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,312 xor (또는 독점) 32MA, 32MA 4 µA 2 3.6ns @ 5V, 50pf 0.58V ~ 1.65V 1.07V ~ 3.85V
MC74HCT04AN onsemi MC74HCT04AN -
RFQ
 ECAD 3909 0.00000000 온세미 74hct 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MC74HCT04ANOS 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 4MA, 4MA 1 µA 1 17ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74HC05ADG onsemi MC74HC05ADG 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 74HC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 74HC05 6 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 인버터 -, 5.2ma 1 µA 1 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74AHCT2G08DP,125 Nexperia USA Inc. 74AHCT2G08DP, 125 0.5400
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) - 74AHCT2G08 2 4.5V ~ 5.5V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74AC11000NS Texas Instruments 74AC11000NS 2.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74AC11000 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
CD4030BMG4 Texas Instruments CD4030BMG4 -
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - CD4030 4 3V ~ 18V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 xor (또는 독점) 3.4ma, 3.4ma 1 µA 2 100ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74HCT132PW,112 Nexperia USA Inc. 74HCT132PW, 112 -
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74HCT132 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 NAND 게이트 4MA, 4MA 2 µA 2 33ns @ 4.5v, 50pf 0.5V ~ 0.6V 1.9V ~ 2.1V
MC74HC08ANG onsemi MC74HC08ANG -
RFQ
 ECAD 5350 0.00000000 온세미 74HC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HC08 4 2V ~ 6V 14-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74AUC2G02DCUR Texas Instruments SN74AUC2G02DCUR 0.2835
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74AUC2G02 2 0.8V ~ 2.7V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 9MA, 9MA 10 µA 2 1.9ns @ 2.5v, 30pf 0V ~ 0.7V 1.7V
TC74VHC32FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC32FK (El, K) 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-VFSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) - 74VHC32 4 2V ~ 5.5V 14-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.1V ~ 36V 2V ~ 4.5V
SN74S09N Texas Instruments SN74S09N 4.8600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 텍사스 텍사스 74S 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 오픈 오픈 74S09 4 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 그리고 그리고 -, 20ma 32 MA 2 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74VHC86DR2 onsemi MC74VHC86DR2 -
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VHC86 4 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 2 µA 2 8.8ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
74AHCT1G00GW-Q100H Nexperia USA Inc. 74AHCT1G00GW-Q100H 0.0941
RFQ
 ECAD 4191 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74AHCT1G00 1 4.5V ~ 5.5V 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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