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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
SN74AHC132RGYR Texas Instruments SN74AHC132RGYR 0.4900
RFQ
ECAD 2311 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 슈미트 슈미트 74AHC132 4 2V ~ 5.5V 14-VQFN (3.5x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 9.7ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
MC10E107FNR onsemi MC10E107FNR 5.0100
RFQ
ECAD 500 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 MC10E107 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 500
MC10H104MR1 onsemi MC10H104MR1 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 MC10H104 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1,000
CD4069UBK Harris Corporation CD4069ubk 20.0000
RFQ
ECAD 45 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack - CD4069 6 3V ~ 18V 14-cfp 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 6.8ma, 6.8ma 5 µA 1 50ns @ 15V, 50pf 1V ~ 2.5V 4V ~ 12.5V
CD4082BF3A Texas Instruments CD4082BF3A 10.2400
RFQ
ECAD 98 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 CD4082 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-CD4082BF3A-296 1
MM74HC132SJX onsemi MM74HC132SJX -
RFQ
ECAD 2826 0.00000000 온세미 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC132 4 2V ~ 6V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 21ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
NLV18SZ02DFT2G onsemi NLV18SZ02DFT2G -
RFQ
ECAD 5508 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 18SZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 18SZ02 1 1.65V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NLV18SZ02DFT2GTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 32MA, 32MA 1 µA 2 5.9ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.9V 1.4V ~ 3.6V
74AHC1G04GV,125 NXP Semiconductors 74AHC1G04GV, 125 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74AHC1G04 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74AHC1G04GV, 125-954 10,545
NLV74HC14ADG onsemi NLV74HC14ADG -
RFQ
ECAD 2301 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100, 74HC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC14 6 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 인버터 5.2MA, 5.2MA 1 µA 1 19NS @ 6V, 50pf - -
SN74ALVC32PW Texas Instruments SN74ALVC32PW 1.0000
RFQ
ECAD 119 0.00000000 텍사스 텍사스 74ALVC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74ALVC32 4 1.65V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 또는 또는 24MA, 24MA 10 µA 2 2.8ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVX02SJX onsemi 74LVX02SJX -
RFQ
ECAD 2217 0.00000000 온세미 74lvx 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LVX02 4 2V ~ 3.6V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 게이트도 4MA, 4MA 2 µA 2 10.1ns @ 3.3v, 50pf 0.5V ~ 0.8V 1.5V ~ 2.4V
SN74LVC1G08DRLR Texas Instruments SN74LVC1G08DRLR 0.3700
RFQ
ECAD 317 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 SOT-553 - 74LVC1G08 1 1.65V ~ 5.5V SOT-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 10 µA 2 4NS @ 5V, 50pf - -
SN74LS04N Texas Instruments SN74LS04N 0.9100
RFQ
ECAD 7424 0.00000000 텍사스 텍사스 74ls 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74LS04 6 4.75V ~ 5.25V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 400µA, 8mA 1 15ns @ 5v, 15pf 0.8V 2V
CD74HCT08M96120 Harris Corporation CD74HCT08M96120 -
RFQ
ECAD 8888 0.00000000 해리스 해리스 74hct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT08 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic - 0000.00.0000 1 그리고 그리고 4MA, 4MA 2 µA 2 25ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74LVC1G32GF/S505125 NXP USA Inc. 74LVC1G32GF/S505125 0.1200
RFQ
ECAD 149 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74LVC1G32 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 5,000
SN200428N Texas Instruments SN200428N -
RFQ
ECAD 5764 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 SN200428 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74VHCT04AM Fairchild Semiconductor 74VHCT04AM 0.3100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74VHCT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VHCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 귀 99 8542.39.0001 961 인버터 8ma, 8ma 2 µA 1 7.7ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MM54HC27J National Semiconductor MM54HC27J 1.3700
RFQ
ECAD 238 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - 54HC27 3 2V ~ 6V 14-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 5.2MA, 5.2MA 2 µA 3 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74LX1GU04CTR STMicroelectronics 74LX1GU04CTR -
RFQ
ECAD 7447 0.00000000 stmicroelectronics 74lx 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74LX1GU04 1 1.65V ~ 5.5V SOT-323-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 32MA, 32MA 10 µA 1 3NS @ 5V, 50pf - -
CD4049UBNSR Texas Instruments CD4049UBNSR 0.5700
RFQ
ECAD 1292 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - CD4049 6 3V ~ 18V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 4.3ma, 24ma 4 µA 1 50ns @ 15V, 50pf 1V ~ 2.5V 4V ~ 12.5V
74F38SJ onsemi 74F38SJ -
RFQ
ECAD 9638 0.00000000 온세미 74f 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 오픈 오픈 74F38 4 4.5V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 47 NAND 게이트 -, 64ma 2 12.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
DM74ALS09N onsemi DM74ALS09N -
RFQ
ECAD 5308 0.00000000 온세미 74ALS 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 오픈 오픈 74ALS09 4 4.5V ~ 5.5V 14-mdip 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 그리고 그리고 -, 8ma 2 54ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74AC08DR2 onsemi MC74AC08DR2 0.1800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 온세미 74AC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AC08 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 24MA, 24MA 4 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
74HC132D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC132d 0.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 슈미트 슈미트 74HC132 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 19NS @ 5V, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
MC1230F Motorola MC1230F 16.7500
RFQ
ECAD 422 0.00000000 모토로라 MC1200 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack - MC1230 4 - 14-cflatpack 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 xor (또는 독점) - 2 - 1.5V 0.85V
MC74LCX08DTR2G onsemi MC74LCX08DTR2G 0.6600
RFQ
ECAD 34 0.00000000 온세미 74lcx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LCX08 4 2V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 24MA, 24MA 10 µA 2 5.5ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
SN200430N Texas Instruments SN200430N -
RFQ
ECAD 2555 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 SN200430 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
SN74LVC1G125DCKR-P Texas Instruments SN74LVC1G125DCKR-P -
RFQ
ECAD 7732 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 대부분 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 74LVC1G125 SC-70-5 - Rohs3 준수 296-SN74LVC1G125DCKR-P 1
SN74HCT32DT Texas Instruments SN74HCT32DT 1.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 또는 또는 4MA, 4MA 2 µA 2 22ns @ 5.5v, 50pf 0.8V 2V
SN74S03D Texas Instruments SN74S03D 0.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74S03 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고